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传三星减少下一代High-NA EUV采购量,与ASML的研发中心计划或陷入僵局
吕嘉俭 发布于1天之前 / 关键字: ASML, 阿斯麦, High-NA EUV, 三星, Samsung
去年末,三星与ASML签署了一项价值1万亿韩元(约合7.7亿美元/人民币54.9亿元)的协议,双方将在韩国京畿道东滩投资建设半导体芯片研究设施,并在那里共同努力改进EUV光刻制造技术。同时三星获得了High-NA EUV光刻设备技术的优先权,有助于确保购入下一代High-NA EUV光刻设备,为其DRAM存储芯片和逻辑芯片的生产创造出更好的技术使用环境。
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三星押注CXL内存模块,认为新技术将是AI领域的后起之秀
吕嘉俭 发布于1天之前 / 关键字: 三星, Samsung, CXL
Compute EXpress Link(CXL)作为一种开放性的互联协议,建立在PCIe 5.0标准的物理和电气接口上,能够让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联,满足现今高性能异构计算的要求,并且提供更高的带宽及更好的内存一致性,最新规范已来到CXL 3.0。三星对于CXL内存模块的开发非常积极,早在2022年5月就推出了业界首款基于CXL 1.1的512GB CXL DRAM,去年5月又推出了首款支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM。
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三星或今年底前流片HBM4,将选择1cnm工艺制造DRAM芯片
吕嘉俭 发布于2天之前 / 关键字: 三星, Samsung, HBM, HBM4
三星在上个月成立了新的“HBM开发团队”,将专注于HBM3、HBM3E和下一代HBM4技术的相关开发工作,以提高三星在HBM市场的竞争力。三星早在2015年就在DRAM部门里组建了专门负责HBM产品开发的团队,这次组织架构的改组进一步做了加强,而且似乎很快便在HBM4开发上取得了进展。
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三星最快2024Q4安装其首台High-NA EUV,或早于台积电得到最新光刻工具
吕嘉俭 发布于5天之前 / 关键字: ASML, 阿斯麦, High-NA EUV, 三星, Samsung
本月初,英特尔首席执行官Pat Gelsinger在2024年第二季度的财报电话会议上透露,位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔半导体技术研发基地即将迎来第二台High-NA EUV光刻机,很快就会进入厂房。早在去年末,ASML已向英特尔交付业界首台High-NA EUV光刻机,并在今年4月完成组装工作,进入到校准步骤。
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三星投资1cnm DRAM生产线,目标2025年6月量产
吕嘉俭 发布于7天之前 / 关键字: 三星, Samsung
此前有报道称,SK海力士正在准备第六代10nm级别的1cnm工艺的产品,打算在2024年第三季度量产,将领先于竞争对手三星。相比于现在的1βnm工艺产品,1cnm工艺在同样采用EUV光刻技术的情况下,每片晶圆可生产更多数量的芯片,并实现更高的功率效率。
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三星玄龙骑士G80SD电竞显示器开售:4K@240Hz QD-OLED屏,预售价9999元
吕嘉俭 发布于2024-08-08 16:10 / 关键字: 三星, Samsung, OLED
三星在今年6月,推出了2024 Odyssey OLED电竞显示器,包括有新款Odyssey OLED G8(型号G80SD)和Odyssey OLED G6(型号G60SD),后者此前已经在国内上市销售了。此前玄龙骑士G80SD国行版已登陆官网,并开始接受预约。现在新产品也登陆到第三方电商平台,已经开启了预售。
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三星8层堆叠HBM3E已通过英伟达所有测试,预计今年底开始交付
吕嘉俭 发布于2024-08-08 11:48 / 关键字: 三星, Samsung, HBM, HBM3E
三星去年10月就向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E(24GB)样品,不过一直没有通过英伟达的测试。此前有报道称,已从多家供应链厂商了解到,三星的HBM3E很快会获得认证,将在2024年第三季度开始发货。
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三星量产业界最薄LPDDR5X内存封装:高度仅0.65mm,12/16GB容量可选
吕嘉俭 发布于2024-08-06 09:33 / 关键字: 三星, Samsung, LPDDR5X
三星宣布,已开始大规模生产业界最薄的12nm级LPDDR5X DRAM封装,巩固了其在低功耗DRAM市场的领导地位。其采用了4堆栈、每堆栈2层的结构设计,提供了12GB和16GB两种容量版本可选。
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三星玄龙骑士G80SD电竞显示器上架:4K@240Hz,QD-OLED屏,8月8日开启预售
吕嘉俭 发布于2024-08-02 15:22 / 关键字: 三星, Samsung, OLED
三星在今年6月,推出了2024 Odyssey OLED电竞显示器,包括有新款Odyssey OLED G8(型号G80SD)和Odyssey OLED G6(型号G60SD),后者此前已经在国内上市销售了。现在玄龙骑士G80SD国行版已登陆官网,并开始接受预约,将在8月8日10:00至8月14日19:30之间进行预售。
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三星确认正在开发Exynos 2500:采用3nm工艺,将保证稳定供应
吕嘉俭 发布于2024-08-01 11:49 / 关键字: Exynos, Samsung, 三星
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三星公布2024年第二季度财报:营业利润暴增1458%,存储和OLED产品推动增长
吕嘉俭 发布于2024-07-31 18:26 / 关键字: 三星, Samsung
今天,三星公布了截至2024年6月30日的第二季度财报。三星表示,本季度主要得益于有利的存储器市场条件,推动了平均销售价格(ASP)的上涨,同时OLED面板的强劲销售也为业绩做出了贡献。
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三星或升级Galaxy S25系列的内存配置:Ultra型号配16GB,其余提供12GB
吕嘉俭 发布于2024-07-30 14:29 / 关键字: 三星, Samsung
三星明年将带来旗舰级的Galaxy S25系列智能手机,预计与今年的Galaxy S24系列一样,提供三款机型,分别是Galaxy S25、Galaxy S25+、以及Galaxy S25 Ultra。此前有传言称,三星暂时还没有为Galaxy S25系列升级内存的计划,不过情况有可能发生了变化。
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三星HBM3获得英伟达有限使用许可,暂时仅用于国内特供的H20
吕嘉俭 发布于2024-07-26 09:22 / 关键字: 三星, Samsung, HBM3, 英伟达, NVIDIA
三星在去年中,就开始向英伟达提供了HBM3样品,用于H100等多款计算卡进行验证,试图打进英伟达的计算卡供应链,预计2024年最多可以拿到英伟达30%的HBM3订单。不过由于长时间不能通过英伟达的验证,导致计划受阻,时间表一拖再拖,传闻三星的HBM3在发热和功耗方面存在一些问题。
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三星即将量产Galaxy Tab S10系列,首次在旗舰平板采用联发科芯片
吕嘉俭 发布于2024-07-24 18:05 / 关键字: 三星, Samsung, 联发科
此前有报道称,相比于去年的Galaxy Tab S9系列,三星今年新一代Galaxy Tab S10系列选择放弃了基本型号,仅提供Plus和Ultra版,或者说提供了12.4英寸和14.9英寸两种不同尺寸的产品。同时正在测试搭载联发科天玑9300+的Galaxy Tab S10+,这意味三星将改变之前高通骁龙芯片独占的策略。
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三星将增加2nm工艺的EUV曝光层数30%以上,1.4nm工艺预计超过30层
吕嘉俭 发布于2024-07-24 11:32 / 关键字: 三星, Samsung
2022年三星在“Samsung Foundry Forum 2022”上,公布了未来的技术路线图,其中2nm(SF2)工艺计划2025年开始大规模量产。三星上个月还发布公告,将与Preferred Networks Inc.合作,基于2nm GAA工艺和2.5D封装技术的Interposer-Cube S(I-Cube S),提供一站式的半导体解决方案,为对方制造AI加速器所使用的芯片。
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