据Business Korea报道，三星计划减少对ASML下一代High-NA EUV光刻机的采购数量，另外与ASML合作的研发中心计划也很可能陷入僵局。传闻三星原计划未来十年内购入三款型号的下一代High-NA EUV光刻设备，包括TWINSCAN EXE:5200/5400/5600，但是现在决定只引入TWINSCAN EXE:5200，未来适当的时候再重新考虑后续版本问题。

这一决定是三星DS（设备解决方案）部门更换新负责人，审查正在进行的项目和投资之后做出的。随着三星计划的变更，相关进程已经完全停止，也让联合研发中心计划打上了问号，究竟是更换建造地点还是完全取消项目，三星和ASML还需要进一步讨论。

有三星内部人士透露，尽管计划进行了修订，但引进High-NA EUV光刻机的计划没有变，并确保联合研发中心建造在合适的位置。

据相关媒体报道，目前三星在HBM市场上落后于SK海力士，不过希望押注了下一代CXL内存模块，预计今年下半年开始出货。三星认为CXL是继HBM之后引领存储器市场的新技术，将成为人工智能（AI）领域的后起之秀，打算加大投入，加速CXL技术开发抢占先机。

三星内存部门新业务规划团队负责人Choi Jang Seok在上个月的活动上，确认三星计划今年年底之前批量生产支持CXL 2.0的256GB CXL DRAM，称CXL市场预计下半年开始进入蓬勃发展阶段，到2028年将呈现爆炸性增长。去年末，三星宣布与开源软件供应商Red Hat合作，在实际用户环境中成功验证了CXL内存模块的操作，进一步扩展了CXL生态系统。

根据市场调查机构的数据，全球CXL市场预计从2022年的170万美元增长2028年的150亿美元。

据The Elec报道，三星将在年底前流片HBM4，属于第六代HBM产品，此举被认为是为2025年底大规模生产奠定基础。由于从流片到最终确定测试产品之间的时间跨度可能在三到四个月之间，三星的HBM4测试产品预计最早会在明年初发布，之后三星将继续做改进，直到将样品发送给主要客户。

三星的HBM4为12层垂直堆叠，打算选择4nm工艺用于大规模生产HBM4的基础裸片，并采用1cnm工艺制造DRAM芯片。虽然相比于7/8nm工艺，采用4nm工艺的成本要高得多，但是会带来更好的芯片性能，同时能耗方面也有更明显的优势。三星目前采用10nm工艺生产HBM3E的基础裸片，在新一代HBM4上换成4nm工艺可以增强其在HBM领域的竞争优势。

竞争对手SK海力士计划2025年下半年量产12层垂直堆叠的HBM4，打算采用台积电（TSMC）的N5和N12FFC+工艺制造基础裸片，DRAM芯片则是在1bnm和1cnm之间做选择。有消息称，SK海力士原本更倾向于1bnm工艺，但是随着三星采用1cnm工艺制造DRAM芯片，内部最后有可能决定追随三星的做法，换成1cnm工艺。

据相关媒体报道，三星将于2024年第四季度到2025年第一季度之间开始安装其首台High-NA EUV光刻机，主要用于技术研发，将安装在华城园区，预计2025年中开始使用。三星已决定开发用于逻辑和DRAM芯片的下一代半导体制造工艺，一些技术需要通过High-NA EUV光刻机实现。此外，三星还与Lasertec、JSR、Tokyo Electron和Synopsys合作，打造High-NA EUV生态系统。

据了解，ASML手上已经受到了十多台High-NA EUV光刻机的订单，除了英特尔，还包括台积电、三星、SK海力士、以及美光。此前ASML证实了台积电将在今年引入High-NA EUV光刻机，传闻三星和SK海力士则要等到明年，预计在2025年下半年。不过按照现在的情况来看，三星可能会早于台积电拿到High-NA EUV光刻机。

High-NA EUV光刻机是具有高数值孔径和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光大批量生产系统，用于制造3nm以下的芯片。其提供了0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。有消息称，一台High-NA EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV（约1.83亿美元）的两倍多。

据TrendForce报道，面对日益增长的市场需求和内存行业的持续复苏，三星将选择在其平泽P4工厂建设第六代10nm级别的DRAM生产线，目标是在2025年6月开始量产。尽管暂时落后于SK海力士，但是三星决心赶上进度，为接下来的大规模生产做好准备。

三星的平泽P4工厂是一个综合性半导体生产中心，分为四个建设阶段。原计划一期工程于2022年开始动工建设，并于今年开始运营。不过在完成了P4大楼和必要的基础设施（比如水和电）之后，三星就没有继续建设生产线了。这是由于之前半导体市场低迷，三星只能选择通过缩小规模的策略来减少损失。

随着半导体市场在去年下半年开始复苏，三星开始转向扩张和投资，计划在P4设施中安装NAND闪存生产设备，并对1cnm DRAM生产线进行投资。三星希望在2025年下半年，能使用这条生产线制造新一代HBM4芯片。毕竟HBM产品的生产消耗要大于普通DRAM，需要更高的产能应对。

玄龙骑士G80SD具有超薄流线型设计，背后带有涡轮灯环+，可以营造时尚氛围，让玩家打造自己的舒适空间。其采用的是三星原厂新一代32英寸QD-OLED屏幕，支持量子点技术，色深为10bit，可视角度为178度（水平和垂直），带有防反光设计，分辨率为3840 x 2160，刷新率最高可达240Hz，响应时间（GtG）为0.03ms，典型亮度为250尼特，静态对比度为1000000:1，DCI-P3色域为99%。该款显示器搭载三星NQ8 AI第三代处理器，支持HDR10、可变刷新率（VRR）和AMD FreeSync Premium Pro技术，有效降低了延迟，避免了画面撕裂。

该款显示器搭载三星 NQ8 AI Gen3处理器，内置了Tizen智能系统。借助游戏中心（Game Hub），无需下载，即可方便地访问云游戏，还能通过AI增强功能将游戏画质提升至接近4K分辨率。用户还能将玄龙骑士G80SD作为三星流媒体服务的显示平台，观看经常的节目和直播内容，无需下载或注册。利用AI技术，通过AI动态增强Pro功能可以呈现逼真画质、流畅运动影像和清晰的字幕效果，提高运动赛事类的流媒体内容细节。此外，智能控声Pro和内置扬声器进一步提升了音频水平。

玄龙骑士G80SD配备了两个HDMI 2.1接口、一个DisplayPort 1.4a接口、以及一个3.5mm音频插孔，并带有USB集线器功能，提供了两个USB 3.0接口。其配备了人体工学底座，具有0至120mm升降高度、-30°至30°水平旋转、-2°至25°前后俯仰、以及-92°至92°垂直旋转。另外还支持100 x 100 mm规格的VESA壁挂，便于玩家使用悬臂支架。

据The Japan Times报道，三星的HBM3E终于通过了英伟达的所有测试项目，这将有利于其与SK海力士和美光争夺英伟达计算卡所需要的HBM3E芯片订单。虽然三星和英伟达还没有最终确定供应协议，但是问题不大，预计今年底开始交付。

值得一提的是，三星还有更先进的12层垂直堆叠HBM3E（32GB）样品，正在努力通过英伟达的验证测试。有行业专业指出，SK海力士也准备了12层垂直堆叠的HBM3E产品，三星总体进度上仍然要落后一些。SK海力士一直是英伟达主要的HBM产品供应商，而美光之前已开始向英伟达供应HBM3E芯片，逐渐提升了市场占有率。

随着人工智能（AI）市场的快速增长，HBM技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片来显著提高数据处理速度，已经变得越来越重要。随着三星的HBM3E开始通过英伟达的验证，预计至少20%到30%的产能转移到HBM产品，这将进一步收缩普通DRAM芯片的供应，很可能会推动DDR5内存价格上涨。

玄龙骑士G80SD具有超薄流线型设计，背后带有涡轮灯环+，可以营造时尚氛围，让玩家打造自己的舒适空间。其采用的是三星原厂新一代32英寸QD-OLED屏幕，支持量子点技术，色深为10bit，可视角度为178度（水平和垂直），带有防反光设计，分辨率为3840 x 2160，刷新率最高可达240Hz，响应时间（GtG）为0.03ms，静态对比度为1000000:1，DCI-P3色域为99%。该款显示器搭载三星NQ8 AI第三代处理器，支持HDR10、可变刷新率（VRR）和AMD FreeSync Premium Pro技术，有效降低了延迟，避免了画面撕裂。

玄龙骑士G80SD配备了两个HDMI 2.1接口、一个DisplayPort 1.4a接口、以及一个3.5mm音频插孔，并带有USB集线器功能，提供了两个USB 3.0接口。其配备了人体工学底座，具有0至120mm升降高度、-30°至30°水平旋转、-2°至25°前后俯仰、以及-92°至92°垂直旋转。另外还支持100 x 100 mm规格的VESA壁挂，便于玩家使用悬臂支架。

近日三星公布了2024年第二季度财报，表示采用业界首个3nm技术的新型可穿戴设备SoC的初步反应良好，预计今年下半年主要客户对采用该技术的SoC的采用范围将扩大，同时还计划确保旗舰型号Exynos 2500的稳定供应。

Exynos 2500采用了三星第二代3nm工艺技术，也就是SF3，也是其首款采用该工艺制造的智能手机SoC。按照官方的说法，与之前的4nm FinFET工艺相比，能效和密度有着20%至30%的提升。同时很可能与Exynos 2400一样，选择应用扇出型晶圆级封装（FoWLP），不但减小了封装的尺寸，而且能更好地控制芯片发热，以提供更强的多核性能表现，并延长设备的续航时间。

三星在财报中试图打消用户、投资者和潜在的客户对其3nm制程节点的担忧，不过仍然没有提供具体的生产情况。结合之前传出使用联发科SoC进行测试的消息，看起来为了维持定价及利润率，三星真的不愿意在明年的Galaxy S25系列上选择高通芯片独占的策略。

财报显示，三星2024年第二季度的营收为74.07万亿韩元（约合人民币3929.22亿元），高于去年同期为60.01万亿韩元，同比增长23.44%，也高于上一个季度的71.92亿韩元；营业利润为10.44万亿韩元（约合人民币549.14亿元），相比去年同期的6700亿韩元暴增1458.2%，高于市场的预期，相比上一个季度的6.61万亿韩元也有着较大幅度的增长；毛利润为29.76万亿韩元（约合人民币1565.38亿元），不但高出去年同期的18.36万亿，也高出上一个季度的26.03万亿韩元；净利润为9.84万亿韩元（约合人民币517.58亿元），高于上一季度的6.75万亿韩元，相比去年同期的1.71万亿韩元猛增475.44%。

随着今年存储芯片行情见涨，三星的半导体业务重新走上正轨，正积极应对人工智能（AI）高附加值产品的需求，比如扩大产能以增加HBM3E供应。本季度DS部门营收为28.56万亿韩元（约合人民币1502.26亿元），营业利润为6.45万亿韩元（约合人民币339.27亿元）。

三星称，对HBM以及传统DRAM和服务器SSD的强劲需求推动下，存储器市场整体继续复苏，这是对人工智能领域需求不断投资的结果，预计这种趋势将延续到2024年下半年。不过随着产能转移这些领域，传统的PC和移动设备产品供应将受到一定的限制。

据Notebookcheck报道，三星有可能升级Galaxy S25系列的内存配置，其中Galaxy S25将可选12GB，而Galaxy S25 Ultra则提升至16GB，Galaxy S25+或许会维持在12GB。另外还有一点值得注意，三星有机会采用速率达到10.7 Gbps的LPDDR5X内存。

三星在Galaxy S系列的内存配置上一直较为吝啬，这次传出加大内存容量的消息，唯一符合的原因可能是设备上的人工智能（AI）应用程序可能对内存的需求较高。考虑到三星正在加大Galaxy AI方面的投入，提升内存配置是一个合理的选择。

三星原本打算在Galaxy S25系列上维持双平台的策略，分别提供第四代骁龙8和Exynos 2500版本，可惜后者在良品率方面“低于预期”，可能不得不选择放弃。随着骁龙新一代旗舰SoC的定价提高，使得三星越来越难控制利润率。想维持定价及利润率，要不在其他配置上做出妥协，要不只能继续提高新产品的定价。

上个月传出，Galaxy S25系列了使用联发科的SoC进行测试，有可能是天玑9400。此外，三星本月已宣布10.7Gbps的LPDDR5X已在联发科天玑9400平台完成验证。三星有可能选择引入联发科方案，降低SoC的成本，以便在加强其他方面的配置。

据相关媒体报道，三星的HBM3已经通过了英伟达的适用性测试，不过还不打算大规模铺开，仅计划用于中国特供版的H20计算卡。传闻三星的HBM3在英伟达其他GPU上的使用仍然不确定，可能需要进行额外的验证测试，另外HBM3E还在接受英伟达的评估。

根据之前泄露的H20计算卡基准测试成绩，其内核数量相比H100减少了41%，性能下降了28%。虽然规格上打了折扣，但是H20仍有着不错的销售前景，受到了客户的欢迎，预计2024年英伟达将向中国出售超过100万块H20，每块售价大概在1.2万至1.3万美元，意味着销售额将达到120亿美元以上，这将超过上一个财年英伟达在中国的总收入。

有消息称，三星在今年5月启动了一项代号“Nemo”的内部战略计划，要求所有的部门优先考虑英伟达的订单，这意味着与英伟达相关的业务已成为三星的首要任务。此前三星还否定了坊间有关HBM3和HBM3E芯片一直没有通过英伟达验证是由于运行过热和功耗过高的说法，强调通过持续的合作来确保产品的质量和可靠性，以便向客户提供最佳解决方案。

已经有媒体联系了三星和英伟达，不过暂时都没有得到官方的回应。

据Wccftech报道，三星即将量产Galaxy Tab S10系列，预计时间是8月份，大家很快就能看到三星首次在其旗舰平板电脑中搭载联发科芯片，发布时间大概在10月份，将提供灰色和银色两种配色。

有业内人士透露，天玑9300+提供了良好的性能，而且相比高通骁龙8系列平台的定价更低，便宜了大概10%，这也给了联发科展示自身实力的机会，并且有可能推进与三星建立长期合作伙伴关系。据了解，三星2023年智能手机的制造成本中，有18.1%来自于高通的芯片组，而2022年这一数字为12.8%。今年由于在Galaxy S24系列里加入了Exynos 2400，占比应该会有所降低。

三星选择部分产品过渡到联发科的芯片，可以减少对高通的依赖，提升议价能力，增加了订单谈判中的筹码。与此同时，三星还在为Exynos 2500而努力，希望能用在Galaxy S25系列上，以避免过多采购高通芯片影响智能手机销售的利润率。

据The Elec报道，三星将增加2nm工艺的EUV曝光层数，相比3nm工艺高出30%以上，而现有的3nm工艺的EUV曝光层数为20层。根据第三方的报告，台积电（TSMC）在N3工艺上的EUV曝光层数为25层。随着EUV曝光层数的增加，制造成本也会上升，三星2nm工艺的定价或许会有不小的涨幅。

三星于2018年在7nm工艺上首次引入EUV技术，之后的后续制程节点上，三星不断增加EUV曝光层数。目前三星还在开发1.4nm（SF1.4）工艺，计划在2027年量产，预计EUV曝光层数将超过30层。此外，三星还打算在1.4nm工艺上增加纳米片的数量，从3个增加到4个，从而进一步提升性能和功耗的表现。

除了逻辑芯片，三星还在存储芯片上采用了EUV技术，比如第六代10nm级别的1cnm工艺上，EUV曝光层数为6或7层。