企业级QLC SSD在AI应用搭载提升可能有两个原因，一个是读取速度，另一个是TCO优势。由于AI推理服务器在工作负载中主要以读取为主，写入次数不如AI训练服务器频繁，如果与HDD相比，企业级QLC SSD读取速度优势十分明显。同时现阶段企业级QLC SSD的最大容量已经达到了64TB，而服务器所使用的HDD主流容量在22/24TB，无论单个产品还是单位存储所需要的用电都更少，而且同样存储容量下占用的物理空间也更少，可大幅度降低TCO成本。

随着AI服务器总电力消耗的增加，节能指标变得越来越重要，让企业级QLC SSD成为了AI大客户寻求的最佳解决方案。

Solidigm计划下半年扩大144层QLC NAND闪存的生产，而三星则以176层QLC NAND闪存为主。由于企业级QLC SSD供应商较少，产能吃紧，使得相关产品的价格持续上涨，预计涨势会持续至今年第三季度，季度涨幅5~10%。

传闻AMD计划在今年下半年推出Instinct MI350系列，属于Instinct MI300系列的升级版本。其采用了台积电（TSMC）的4nm工艺制造，以提供更强的性能并降低功耗。由于采用了12层堆叠的HBM3E，提高带宽的同时还加大了容量。

三星的HBM3E 12H DRAM提供了高达1280GB/s的带宽，加上36GB容量，均比起之前的8层堆栈产品提高了50%。由于采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层产品与8层产品有着相同的高度规格，满足了当前HBM封装的要求。该技术还通过芯片间使用不同尺寸的凸块改善HBM的热性能，在芯片键合过程中，较小凸块用于信号传输区域，而较大凸块则放置在需要散热的区域，将有助于提高产品的良品率。

按照三星的说法，在人工智能应用中，采用HBM3E 12H DRAM预计比HBM3E 8H DRAM的训练平均速度提高34%，同时推理服务用户数量也将增加超过11.5倍。

有业内人士称，该笔交易与三星晶圆代工的谈判是分开的。此前有传言称，AMD下一代CPU/GPU将引入三星的工艺。

按照三星的安排，Galaxy S24 FE大概会在今年10月左右发布，不过有消息称，有可能延期到11月。

三星是在去年10月发布了Galaxy S23 FE，外观上沿用了Galaxy S23的设计，采用铝制边框和玻璃后盖，机身支持IP68防尘防水，提供了“ 晴云白”、“山岩灰”、“湖泊绿”和“浆果紫”四种配色。

Galaxy S23 FE提供了第一代骁龙8和Exynos 2200两个版本；配备了一块6.4英寸的第二代动态AMOLED直屏，峰值亮度可达1450尼特，最高对比度为2000000:1，最高支持120Hz刷新率，屏幕支持Vision Booster功能；采用了5000万像素主摄广角镜头（OIS,F 1.8，三星S23同款传感器）+1200万像素超广角镜头（F2.2）+800万像素长焦镜头（OIS，F 2.4，最高支持三倍光学变焦及30倍数码变焦）+1000万像素前置镜头（F 2.4）；搭载了4500mAh电池，支持最高25W有限快充，支持无线充电功能。

今年1月，SK海力士开始量产第五代HBM产品，也就是8层堆叠的HBM3E，使其在竞争中处于优势位置。三星则计划今年上半年，带来8层堆叠的HBM3E。不过三星在12层堆叠的HBM3E上扳回一城，于今年2月率先宣布开发成功，暂时处于领先位置，并计划今年晚些时候量产，并开始向英伟达供货。反观SK海力士，目前其12层堆叠的HBM3E刚刚向英伟达交付样品，比起三星稍微落后了一些。

至于第六代HBM产品，即HBM4，三星和SK海力士的竞争就更激烈了。三星的HBM4计划明年亮相，2026年开始进入批量生产，将提供8/12/16层堆叠的产品。SK海力士同样计划在2026年实现HBM4的批量生产，为此还与台积电（TSMC）展开合作，利用全球第一晶圆代工厂的先进技术。当然，三星也有自己的优势，是唯一拥有完整生产、代工、封装流程的半导体企业，具备为客户提供可定制化HBM解决方案的能力。

三星和SK海力士的竞争还扩展到了DRAM领域，前者近期推出了速率为10.7 Gbps的LPDDR5X，超过了SK海力士去年速率为9.6 Gbps的LPDDR5T。三星还计划今年底量产第六代10nm级别的DRAM，明年生产第七代10nm级别的DRAM。SK海力士则计划在今年第三季度量产第六代10nm级别的DRAM，比三星要更早一些。去年SK海力士凭借更先进的工艺，以及更早取得英特尔新平台的验证，通过新款DDR5内存获得不少收益。

此外，随着人工智能应用的扩大，在存储器上加入计算功能也是未来的发展方向之一，此前三星和SK海力士都已展示过相关的产品。

据Wccftech报道，Exynos 2500将是三星首款采用第二代3nm工艺的智能手机SoC，很可能与Exynos 2400一样，选择应用扇出型晶圆级封装（FoWLP），不但减小了封装的尺寸，而且能更好地控制芯片发热，以提供更强的多核性能表现，并延长设备的续航时间。得益于更先进的工艺，Exynos 2500可以在相同功耗水平下运行在更高的频率。

今年三星将带来第二代3nm工艺技术，也就是SF3（3GAP），使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，已经在试产。三星对第二代3nm工艺技术期望很高，功耗、性能和面积（PPA）指标甚至能与台积电N3P工艺相媲美，与之前的4nm FinFET工艺相比，能效和密度有着20%至30%的提升。

不过三星还需要面对良品率的问题，过去几年里，三星先进制程工艺在良品率上都不是那么理想，要知道2022年6月量产的第一代3nm工艺技术，也就是SF3E（3nm GAA，3GAE），最初的良品率一直徘徊在10%至20%之间，经过长时间努力才在近期提升两倍以上。

有消息称，高通在第四代骁龙8上遇到了功耗和发热问题，制造商需要为智能手机配备更大容量的电池。如果三星能解决Exynos 2500生产上的问题，或许能效上比起第四代骁龙8会有更好的表现。

三星表示，这次测试是一个重要的里程碑，因为这是业界首次实现FDD频段的1024 QAM。通过使用20MHz带宽，使得数据传输速度达到了485Mbps，实现了接近理论的增益。这次测试是在三星位于韩国的研发实验室进行的，利用了三星的5G vRAN软件和无线电（均支持2.1 GHz的FDD和3.5GHz的TDD频段），并配备了最新骁龙X75 5G 调制解调器射频系统的高通测试终端。

QAM是一种先进的调制技术，可以更有效地传输数据或信息。这直接关系到每次传输中可以传输多少位数据。虽然256 QAM广泛用于商业网络，但三星和高通最近完成了3GPP第17版规范中定义的最新1024 QAM，有助于运营商最大限度地利用频谱资源，并允许移动用户无缝享受各种移动服务，比如实时视频流和在线多人游戏，这些服务都需要更高的下载速度。

此外，三星还计划在传统RAN中完成正在进行的1024 QAM测试，预计今年内商用。

美国商务部称，三星是唯一一家在先进内存和先进逻辑技术方面都处于领先地位的半导体公司，预计未来几年将在德克萨斯州泰勒市奥斯汀和地区投资超过400亿美元，创造至少21500个就业机会。三星拟议的投资将分布在德克萨斯州中部两个不同地点，拥有多个项目：

德克萨斯州泰勒市 - 构建一个全面的先进制造生态系统，从前沿逻辑到先进封装再到研发，打造尖端半导体制造中心，服务于各种终端市场。该生态系统将包括两个领先的晶圆代工厂，专注于4nm和2nm工艺技术的大规模生产；一个致力于开发和研究当前生产节点之前的技术代的研发工厂；一个生产3D高带宽存储器和2.5D封装的先进封装设施。其中首座晶圆厂计划在2026年投产，第二座晶圆厂则是2027年，研发工厂也会在同年启用。

德克萨斯州奥斯汀 - 扩建近30年来的设施，以支持为美国关键行业，生产领先的全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）工艺技术。此外，这项拟议的投资还包括与美国国防部合作的承诺。

三星表示，这些投资表明了其对美国的持续承诺，自1996年以来一直在当地制造芯片。通过继续在美国开发未来技术，三星正在采取措施，努力加强美国的经济和国家安全，并提高美国和全球半导体供应链的弹性。

《芯片法案》对三星的补贴规模仅次于英特尔（85亿美元）和台积电（66亿美元），不同的是，三星并没有获得《芯片法案》中的贷款和担保部分，而英特尔和台积电分别得到了110亿美元和55亿美元的贷款。

据Business Korea报道，三星和SK海力士将得益于SSD产品的价格持续上涨，NAND闪存业务有望在2024年第一季度再次实现盈利，结束连续亏损的局面。根据TrendForce上个月发布的2023年第四季度NAND闪存市场报告，显示三星是市场占有率最高的厂商，达到了36.6%，其次是SK海力士的21.6%，第三名是西部数据的14.5%。

更值得关注的是，除了SSD，现在HDD的价格也在不断上涨。虽然HDD比起SSD速度更慢、发热量更高、噪音也更大，但是在相同容量下，价格会更便宜，而且发生故障时更容易恢复数据，在部分细分市场会更受欢迎。HDD的价格上涨说明了这次存储产品的价格上涨，与整个下游产业链有密切的关系，同时人工智能（AI）的蓬勃发展影响供需关系不仅仅是与计算相关的芯片。

与DRAM业务恢复的速度相比，三星和SK海力士的NAND闪存业务反弹的速度较慢，两大巨头都希望通过提高SSD产品的价格，以尽早让整个存储器业务恢复到盈利的状态，为营收做出更大的贡献。

据相关媒体报道，三星计划下个月发布第9代V-NAND技术，层数将达到290层，高于之前所传的280层，以替代2022年发布的236层第8代V-NAND技术。目前存储行业似乎已进入“层层堆叠”的激烈竞争当中，而三星看起来领先于SK海力士和铠侠等竞争对手。此外，三星还公布了第10代V-NAND技术上，层数将达到430层，计划会在明年到来，或许会引入三堆栈架构。

传闻首款采用第9代V-NAND技术的是1Tb（128GB）QLC 3D NAND闪存芯片，存储密度达到了28.5Gb mm2，将高于目前业界最高的长江存储产品，后者的存储密度为20.62Gb mm2。同时I/O速率达到了3.2 Gbps，相比第8代V-NAND技术的2.4 Gbps也要快得多。如果条件允许，三星可能会提供容量为16TB的M.2 SSD，或者是单面8TB的产品。

除了提高存储密度外，新款3D NAND闪存芯片的性能也将得到提升，其中包括了最大化3D NAND闪存输入/输出（I/O）速度的新结构。预计三星将带来990 Pro系列的继任者，采用PCIe 5.0接口的新一代旗舰SSD。

2022年三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出了长期愿景：到2030年会将层数提高至1000层。不过有着相同目标的NAND闪存制造商不止三星一家，此前有报道称，铠侠首席技术官Hidefumi Miyajima在近期的一次会议上表示，计划到2031年开始批量生产超过1000层的3D NAND闪存芯片。

I-Cube属于三星自己开发的2.5D封装，是一种异构集成技术，可将一个或多个逻辑管芯（Logic Chip）和多个高带宽内存芯片（HBM，High Bandwidth Memory）使用硅中介层，从而使多个芯片排列封装在一个芯片里。三星表示，从高性能计算（HPC）到人工智能、5G、云和大型数据中心等各种应用场景使用的芯片，都可以选择I-Cube封装，可带来更高的效率。

三星在去年年底成立了先进封装团队，目的就是要扩大芯片封装业务的收入。三星去年开启谈判后，曾向英伟达建议，可以从台积电拿到制造好的芯片，然后从三星的存储器业务部门采购HBM3，并使用三星的I-Cube封装来完成后续的工作。对三星来说稍微有点遗憾的是，这次并没有同时拿到英伟达的HBM3订单。

据Wccftech报道，三星今年将带来Galaxy Z Flip FE和Galaxy Z Fold FE。这个消息并不令人感到奇怪，毕竟今年初就传出了Galaxy Z Fold FE的消息，属于Galaxy Z Fold 6系列的入门款，计划在今年下半年发布。

据了解，Galaxy Z Fold FE折叠后的尺寸为155.1 x 67.1 x 14.2 mm，Galaxy Z Flip FE展开后的尺寸为165.2 x 71.9 x 6.9 mm。其中前者将提供第二代骁龙8和Exynos 2200两个版本，而Galaxy Z Flip FE则只提供第二代骁龙7一个版本。显然，三星希望能进一步降低两款可折叠产品的成本。

这是三星首次考虑入门级可折叠机型，目标是提高可折叠智能手机的市场渗透率，特别是扩大中国可折叠智能手机市场的份额。目前除了苹果以外，大部分主要的智能手机厂商都推出了可折叠机型。此前有调查数据显示，2024年大约会有27款可折叠手机发售。

据相关媒体报道，三星计划大幅度增加泰勒市新建晶圆厂的半导体投资，提高至440亿美元，接近翻倍。尽管三星在美国的半导体计划面临通货膨胀、劳动力和材料成本上涨等挑战，但似乎并没有减慢推进的速度。

三星很可能在原项目基础上另外再兴建一座采用先进工艺的晶圆厂，同时还包含一座先进封装设施，并扩大在该地区的研发业务，打造全新的半导体中心，预计会耗费掉约200亿美元。据了解，三星的新计划除了芯片生产外，还将重点放在了与人工智能（AI）相关的部件上，比如HBM，这也是其投资先进封装设施的原因之一，其中包括了2.5D和3D封装技术

目前三星官方还没有确认新计划，有知情人士透露，三星将于2024年4月15日举行一场仪式，宣布新增的投资计划。

过去几年里，高通的SoC有着优异的表现，无论CPU还是GPU部分的性能都全面压制了Exynos系列SoC，毫无疑问是Android旗舰机型的最佳拍档。传闻三星正在对Exynos 2500进行测试，有着不错的性能表现，CPU和GPU都能轻松战胜高通第三代骁龙8。不过高通今年的第四代骁龙8将引入融合了NUVIA技术的定制Oryon内核，性能将会有进一步提升，大概率仍然会领先于Exynos 2500。

有业内人士认为，三星之所以花这么大力气为Galaxy S25系列准备双平台，一方面是为自家的SoC争取更多赶上竞争对手的机会，另一方面是考虑到成本问题。去年高通的高管就曾暗示，第四代骁龙8的定价会更高，传言称高于第三代骁龙8的200美元。如果仅依靠一款SoC，三星将很难维合适的持利润率，今年在Galaxy S24系列加入Exynos 2400版本也是出于同样考虑。

据了解，RGB方法比索尼目前使用的白色OLED（W-OLED）方法在技术方面更进一步，更适合Apple Vision Pro等扩展现实（XR）设备的使用需求。随着苹果和三星都在开发利用OLED显示技术的XR设备，三星显示将更多地利用ai hub的专长，为XR设备准备好RGB micro OLED。有业内人士表示，三星显示将在三年内量产RGB micro OLED。

Jeong Seok-woo还谈到了micro OLED的市场性，“我们必须与液晶显示器（LCD）竞争，但我们相信，随着市场对亮度有更高的要求，micro OLED的竞争力将会越来越强”。一直以来，OLED技术以其出色的色彩表现、对比度和视角性能，正逐渐成为显示技术的主流。随着消费者对电子产品显示效果要求的不断提高，采用OLED技术的面板在需求上也在持续增长。

MicroOLED又称硅基OLED或OLEDoS，是将传统OLED的玻璃基板替换为单晶硅基板，并采用有机发光技术。与传统OLED外置驱动不同，硅基OLED将单晶硅通过CMOS工艺加工成驱动背板，该技术可以将单个像素点尺寸缩小至原来的1/10左右，以实现更高精度的显示效果。