财报显示，2024财年第一季度的收入为12.4296万亿韩元（约合90.32亿美元/人民币656.28亿元），同比/环比增长114/10%；营业利润为2.886万亿韩元（约合20.97亿美元/人民币152.38亿元），同比扭亏为盈，环比增长734%；净利润为1.917万亿韩元（约合13.93亿美元/人民币101.03亿元），同比和环比均实现了扭亏为盈。同时营业利润率为23%，净利润率为15%。

展望未来，SK海力士认为面向AI的存储器需求正在不断增长，普通DRAM产品需求也将从下半年起有所恢复，因此今年半导体存储器市场将呈现稳定的增长趋势。由于HBM等高端产品与普通DRAM产品相比需要利用更大的产能，随着前者产量增加，后者的供应将会相对减少。除了3月已经开始生产供应的HBM3E外，年内将推出1β (b) nm（第五代10nm级别）的32Gb DDR5 DRAM产品。

另外由于eSSD销量增加及价格上升，NAND闪存成功实现扭亏为盈。SK海力士为了维持业绩改善的趋势，将推进产品优化工作，比如子公司Solidigm的四层单元（QLC）高容量eSSD产品为中心着重提高产品销售。同时SK海力士还将通过适时推出用于AI PC的第五代PCIe cSSD，并以最佳产品线应对市场需求。

此外，SK海力士今年的投资规模与年初的原计划相比会有所提升，以适应客户需求的增长趋势。

随着人工智能时代的到来，半导体业界认为DRAM市场进入了中长期增长时代。SK海力士预计HBM的年均增长率将达到60%以上，以面向服务器的高容量DDR5模块为主的普通DRAM产品需求也将持续增加。在此趋势下，要想确保HBM产品的产量达到与普通DRAM相同的水平，则至少需要相对于普通DRAM至少两倍以上的生产能力。

SK海力士的董事会已经通过决议，将建设在韩国忠清北道清州市的M15X定为新的DRAM生产基地，并决定投资约5.3万亿韩元（约合人民币279.84亿元）建设厂房。SK海力士打算加快新工厂的建设工程速度，将于本月末开工，计划于2025年11月竣工并开始量产。在这段时间里，SK海力士将依次进行设备投资，计划超过20万亿韩元（约合人民币1056亿元）进一步扩充产能。

此前SK海力士决定在位于韩国京畿道中部的龙仁市建设新的半导体生产园区，其中包括四座独立的晶圆厂，目前正在做开工前的准备工作。该园区首座晶圆厂计划在2027年完工，在此之前，清州M15X厂将承担生产新一代DRAM产品的任务。

据The Elec报道，SK海力士打算选择台积电的7nm工艺，用于生产HBM4所需要的基础裸片（Base Die），这是双方针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片优化工作的一部分。HBM是将多个DRAM裸片（Core Die）堆叠在基础裸片上，并通过硅通孔（TSV）技术进行垂直连接而成。基础裸片也连接至GPU，起着对HBM进行控制的作用。

SK海力士包括HBM3E（第五代HBM产品）在内的HBM产品，都是基于自身制程工艺制造了基础裸片，但HBM4选择台积电的先进逻辑工艺，以便增加更多的功能。双方还计划将SK海力士的HBM产品和台积电的CoWoS技术融合，做进一步的协力优化工作，以应相关客户对HBM产品的要求。

此外，SK海力士还计划生产在性能和功效等方面更广的满足客户需求的定制化（Customized）HBM产品。根据SK海力士的安排，2026年将实现HBM4的批量生产。

今年1月，SK海力士开始量产第五代HBM产品，也就是8层堆叠的HBM3E，使其在竞争中处于优势位置。三星则计划今年上半年，带来8层堆叠的HBM3E。不过三星在12层堆叠的HBM3E上扳回一城，于今年2月率先宣布开发成功，暂时处于领先位置，并计划今年晚些时候量产，并开始向英伟达供货。反观SK海力士，目前其12层堆叠的HBM3E刚刚向英伟达交付样品，比起三星稍微落后了一些。

至于第六代HBM产品，即HBM4，三星和SK海力士的竞争就更激烈了。三星的HBM4计划明年亮相，2026年开始进入批量生产，将提供8/12/16层堆叠的产品。SK海力士同样计划在2026年实现HBM4的批量生产，为此还与台积电（TSMC）展开合作，利用全球第一晶圆代工厂的先进技术。当然，三星也有自己的优势，是唯一拥有完整生产、代工、封装流程的半导体企业，具备为客户提供可定制化HBM解决方案的能力。

三星和SK海力士的竞争还扩展到了DRAM领域，前者近期推出了速率为10.7 Gbps的LPDDR5X，超过了SK海力士去年速率为9.6 Gbps的LPDDR5T。三星还计划今年底量产第六代10nm级别的DRAM，明年生产第七代10nm级别的DRAM。SK海力士则计划在今年第三季度量产第六代10nm级别的DRAM，比三星要更早一些。去年SK海力士凭借更先进的工艺，以及更早取得英特尔新平台的验证，通过新款DDR5内存获得不少收益。

此外，随着人工智能应用的扩大，在存储器上加入计算功能也是未来的发展方向之一，此前三星和SK海力士都已展示过相关的产品。

SK海力士表示：“公司作为AI应用的存储器领域的领先者，与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作，将会继续引领HBM技术创新。通过以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方技术合作的方式，公司将实现存储器产品性能的新突破。”

据了解，SK海力士和台积电首先致力于针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片（Base Die）进行性能改善。HBM是将多个DRAM裸片（Core Die）堆叠在基础裸片上，并通过硅通孔（TSV）技术进行垂直连接而成。基础裸片也连接至GPU，起着对HBM进行控制的作用。

SK海力士包括HBM3E（第五代HBM产品）在内的HBM产品，都是基于公司自身制程工艺制造了基础裸片，但HBM4开始会采用台积电的先进逻辑（Logic）工艺，以便增加更多的功能。SK海力士和台积电将协力优化SK海力士的HBM产品和台积电的CoWoS技术融合，以应相关客户对HBM产品的要求。

此外，SK海力士还计划生产在性能和功效等方面更广的满足客户需求的定制化（Customized）HBM产品。

据Business Korea报道，三星和SK海力士将得益于SSD产品的价格持续上涨，NAND闪存业务有望在2024年第一季度再次实现盈利，结束连续亏损的局面。根据TrendForce上个月发布的2023年第四季度NAND闪存市场报告，显示三星是市场占有率最高的厂商，达到了36.6%，其次是SK海力士的21.6%，第三名是西部数据的14.5%。

更值得关注的是，除了SSD，现在HDD的价格也在不断上涨。虽然HDD比起SSD速度更慢、发热量更高、噪音也更大，但是在相同容量下，价格会更便宜，而且发生故障时更容易恢复数据，在部分细分市场会更受欢迎。HDD的价格上涨说明了这次存储产品的价格上涨，与整个下游产业链有密切的关系，同时人工智能（AI）的蓬勃发展影响供需关系不仅仅是与计算相关的芯片。

与DRAM业务恢复的速度相比，三星和SK海力士的NAND闪存业务反弹的速度较慢，两大巨头都希望通过提高SSD产品的价格，以尽早让整个存储器业务恢复到盈利的状态，为营收做出更大的贡献。

据Business Korea报道，有业内人士透露，SK海力士正在准备第六代10nm级别的1cnm工艺的产品，已经制定了对应的客户认证及生产计划，打算在2024年第三季度量产，这将领先于竞争对手三星。相比于现在的1βnm工艺产品，1cnm工艺在同样采用EUV光刻技术的情况下，每片晶圆可生产更多数量的芯片，并实现更高的功率效率。

SK海力士将加快英特尔数据中心的存储器产品兼容性验证步伐，以便1cnm DDR5 DRAM量产后能够迅速进入市场，第一时间供应给亚马逊和微软等主要客户。SK海力士去年正是把握了1βnm DDR5 DRAM抢先通过验证及上市的机会，获得了相当部分的数据中心DDR5内存产品的市场份额，一定程度上弥补了存储器市场低迷造成的损失。

三星上个月在美国硅谷举行的“Memcon 2024”全球半导体大会上表示，计划今年底量产1cnm DRAM产品，12月前获得客户验证。

自去年人工智能市场快速发展后，HBM等超高性能存储器的需求剧增，半导体先进封装也变得更加重要。作为HBM市场上掌握主动权的厂商，SK海力士为了加强技术领导力，考虑到大量美国科技客户的需求，决定在当地投资先进后端工艺领域，并寻找最合适的地点，并积极推进先进后端工艺方面的技术研究。

经过评估多处候选地点，SK海力士最终选择在美国印第安纳州为投资地。一方面是当地政府积极地招商引资政策，另一方面该地区拥有丰富的半导体生产所需的制造基础设施，还有着以半导体等先进研究而闻名的普渡大学等科研学术单位。

此外，SK海力士还将推动在韩国的投资项目，以120万亿韩元建设的龙仁半导体集群目前正在进行用地在建工程，计划明年3月开工建造首座工厂，并于2027年初完工。SK海力士还打算建造“迷你工厂”，这是为了验证半导体材料、零部件、设备等，具备300毫米晶圆工艺设备的研究设施，以加强半导体生态系统建设。

据相关媒体报道，SK海力士计划在美国印第安纳州西拉斐特市投资40亿美元，建造一座芯片封装厂。预计新工厂将在2028年开始运营，并创造多达1000个工作岗位，此举也将得到当地州政府以及联邦政府的税收减免支持。

SK海力士是英伟达HBM产品的主要供应商之一，包括HBM3和HBM3E等芯片，是AI GPU供应链中的关键组成部分。据了解，SK海力士在报告中提及政府可能提供的税收优惠政策，认为这些支持对该项投资至关重要。SK海力士向媒体透露，该投资项目正在审查当中，尚未做出最终决定。

由于台积电（TSMC）在亚利桑那州正在兴建两座晶圆厂，加上SK海力士的新设施，那么英伟达面向人工智能应用的各类产品就能在本土完成更多的生产和封装流程。

据ComputerBase报道，SK海力士耗资至少120万亿韩元（约合907亿美元），在位于韩国京畿道中部的龙仁市建设新的半导体生产园区，其中包括四座独立的晶圆厂，目前正在做开工前的准备工作，已完成了三分之一。

SK海力士早在2019年就宣布了建造全球最大芯片生产设施的计划，不过因各方面的原因延误了，最终在2022年与韩国中央及地方政府达成协议，让项目有了新的进展。SK海力士打算在2025年3月正式开工，首座晶圆厂将在2027年完工，整个园区预计在2046年完工。暂时还不清楚首座晶圆厂到底是生产DRAM还是NAND闪存芯片，考虑到目前人工智能市场对于HBM产品的巨大需求，SK海力士产能吃紧，这很可能是选择的方向。

据了解，四座晶圆厂将占据一半的园区，SK海力士还会在园区建造大量的配套支持设施，比如废水处理厂。除了SK海力士外，三星也选择了在附近建造类似的半导体生产园区，其中还有研发中心。

而根据以上信息，不难算出未来SK海力士GDDR7的显存规格：

预览var tableid = settableid(); document.write(''); Table().init({ title: "SK海力士GDDR7显存规格", header: ["显存位宽", "传输速度", "最大显存", "最大带宽"], width: '92%', columnWidth: 'AVG', //表格单元宽度，"MAX"最大内容显示，""AVG"平均，"AUTO"自动，指定[15,16,20] id: tableid, data: [ ["512bit", "40Gbps", "48GB", "2560GB/s"], ["384bit", "40Gbps", "36GB", "1920GB/s"], ["256bit", "40Gbps", "24GB", "1280GB/s"], ["192bit", "40Gbps", "18GB", "960.0GB/s"], ["128bit", "40Gbps", "12GB", "640.0GB/s"] ] });除了上述信息外，SK海力士并没有披露更详细的信息，像运行电压、功耗、显存热阻等信息都未知，只是笼统地介绍了GDDR7的一些标准特性。不过这次展示出来的显存传输速度比早些时候披露的35.4Gbps快上不少，甚至比三星最快的37Gbps GDDR7显存还要快3Gpbs，这很有可能会打击三星在新显卡供应链上的地位。

除了GDDR7显存以外，SK海力士还展出了服务于移动端的LPDDR5T内存和DDR5 MCR DIMM服务器内存，后者单条容量可达64GB，传输速度8800Mbps，运行电压为1.1V。

SK海力士表示，“PCB01”已从全球主要客户处完成了对该产品性能和稳定性的验证，计划于上半年内完成开发，并在今年内面向大型客户和普通消费者推出。其代号“Alistar”的主控芯片为SK海力士自研，搭配的是238层3D TLC NAND闪存，连续读取速度可达到14GB/s，连续写入速度为12GB/s，是目前行业最高速度的产品之一。

PCB01专为AI PC端优化设计，相较于上一代产品，速度提升了2倍，可在1秒内实现加载需要用于人工智能学习和推理的大型语言模型（LLM）。同时PCB01的功耗效率比起上一代产品提升了30%，可有效管理大规模AI计算的功耗需求。此外，SK海力士的技术团队还应用了SLC缓存技术，使部分NAND闪存存储单元能够以高速的SLC模式运行，仅迅速读取和使用必要数据，以提高读写速度。

不过根据SK海力士提供的资料，Platinum P51的读写速度分别为13.5GB/s和11.5GB/s，比起PCB01略慢一些。Platinum P51将提供500GB、1TB和2TB产品，SK海力士暂时没有给出具体上市时间以及定价的信息。

最近负责SK海力士研发工作的副总裁Lee Kang-Wook接受了媒体的采访，表示SK海力士正在加大在先进芯片封装方面的支出，打算在韩国投资10亿美元建造先进封装设施，以进一步扩大先进封装产能，希望能够抓住市场对高带宽存储器日益增长的需求带来的机遇，同时巩固SK海力士目前在HBM市场的领导地位。

Lee Kang-Wook认为，半导体行业前50年的重点一直在前端，也就是芯片的设计和制造，而接下来的50年的重心将移到后端，即封装部分。虽然SK海力士每月公布今年的资本支出预算，但行业分析师做了评估，预计金额约为14万亿韩元（约合106.88亿美元/人民币768.6亿元），其中大概十分之一用于先进封装技术，比重并不算小。

Lee Kang-Wook曾在HBM2E上采用了开创性的封装方法，是SK海力士在2019年底赢得英伟达订单的关键。

HBM需要在基础晶圆上通过硅通孔（TSV）连接多层DRAM，首批HBM3E产品均采用8层堆叠，容量为24GB，美光、SK海力士和三星分别在去年7月、8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称，英伟达已经向SK海力士和美光分别支付了约合5.4亿至7.7亿美元的预付款，供应下一代HBM3E。

美光、SK海力士和三星都在推进12层堆叠HBM3E的开发，容量也将提升到36GB，其中需要解决一些器件特性和可靠性验证问题。上个月三星宣布，已开发出业界首款12层堆叠HBM3E，提供了高达1280GB/s的带宽，预计今年下半年开始大规模量产。不过目前看来SK海力士的进度也很快，传闻还应用了新的工艺。

有业内人士称，SK海力士提供的样品属于早期版本，主要是为了建立新产品的标准和特性，SK海力士称其为“UTV（Universal Test Vehicle）”，预计这次产品验证测试不会花太多的时间。随着人工智能芯片市场的快速增长，HBM产品的竞争也变得更加激烈。

HBM需要在基础晶圆上通过硅通孔（TSV）连接多层DRAM，如果其中一层出问题就意味着整个HBM堆栈报废。随着堆叠层数的增加，良品率有可能会进一步降低。有消息人士称，现阶段HBM类产品的良品率约为65%，如果想要提高这一数字，产量就会下降。存储器制造商之间的竞争就是在良品率和产量之间找到平衡，提供合适的解决方案。据了解，美光和SK海力士似乎在英伟达的资格测试中处于领先位置，其中前者已经通过了认证阶段，开始为下一代H200产品生产HBM3E芯片。

目前SK海力士和三星都打算增加HBM类产品的产量，不过较低的良品率加上更高的需求，从长远来看是个大问题。