ASML还宣布，已经在其位于荷兰费尔德霍芬的High-NA实验室首次使用High-NA EUV光刻机印刷出10nm线宽（dense line）图案。这是迄今为止打印出的最精细的线条，创下了EUV光刻设备新的世界纪录。这是世界上目前仅有的两套High-NA EUV光刻系统之一，另外一套刚刚在英特尔的Fab D1X晶圆厂完成组装工作，正在进行校准步骤。

该演示验证了ASML合作伙伴蔡司的创新型High-NA EUV光学设计，在光学系统、传感器和平台完成粗调校准后，打印出突破性的图案。这是以全规格运行的第一步，接下来将致力于让系统达到最佳性能表现，并最终在实际生产环境中复制这一成果。

虽然ASML的客户并不着急使用High-NA EUV光刻机进行大规模生产，但都准备在未来某个时间点引入新的制造工艺，这也是ASML对High-NA EUV光刻机的销售前景感到乐观的原因之一。此前有报道称，一台High-NA EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV（约1.83亿美元）的两倍多，ASML目前收到的订单数量在10至20台之间。

去年末，ASML向英特尔交付了首台High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000的系统。英特尔将其作为试验机，可以更好地了解High-NA EUV设备的使用，获得宝贵的经验。High-NA EUV光刻机将提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。

英特尔院士兼英特尔晶圆代工逻辑技术开发光刻、硬件和解决方案总监Mark Phillips表示，随着High-NA EUV的加入，英特尔将拥有业界最全面的光刻工具箱，使其能够推动Intel 18A以外的未来制程工艺进入本十年（2021年至2030年）的后半段。

新工具能够通过改变将打印图像投射到硅晶圆上的光学设计，显著提高下一代处理器的分辨率和功能缩放。当与英特尔晶圆代工的其他工艺技术相结合时，High-NA EUV有望打印现有EUV工具1.7倍一维密度的功能。这意味着在二维特征缩放上，可实现1.9倍的密度提升。

High-NA EUV光刻技术将在先进芯片开发和下一代处理器的生产中发挥关键作用，英特尔打算在Intel 14A工艺引入，最快会在2026年到来。在此之前，英特尔将继续优化先进的工艺技术，以进一步提高性能和成本效益。

据相关媒体报道，ASML透露其一台High-NA EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是现有EUV光刻机（约1.83亿美元）的两倍多。目前ASML已从英特尔和SK海力士等公司获得了High-NA EUV光刻机的订单，数量在10至20台之间。与此同时，ASML计划到2028年，每年生产20台High-NA EUV光刻机，以满足市场的需求。

High-NA EUV光刻机是具有高数值孔径和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光大批量生产系统，用于制造3nm以下的芯片。其提供了0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。

由于新一代光刻设备与旧款产品之间有许多不同之处，需要进行大量的基础设施改造。英特尔打算在Intel 18A制程节点引入High-NA EUV光刻技术，这意味着大概在2026年至2027年之间开始启用新设备。台积电（TSMC）要等到1nm级的A10工艺才会使用High-NA EUV光刻机，可能是出于对成本的考虑，也就是说要等到2030年左右。

英特尔打算在Intel 18A制程节点引入High-NA EUV光刻技术，这意味着大概在2026年至2027年之间开始启用新设备。事实上，台积电（TSMC）和三星都已表示会采购High-NA EUV光刻机，用于研发未来新的半导体工艺，不过没有设定任何的时间表。

据DigiTimes报道，来自于晶圆厂工具制造商的消息证实，台积电要等到1nm制程节点才会使用High-NA EUV光刻机，可能是出于对成本的考虑。根据台积电之前公布的路线图，1.4nm级A14工艺的推出时间大概在2027年至2028年之间，而1nm级A10工艺的开发预计会在2030年前完成。

此前ASML首次财务官Roger Dassen在接受采访时表示，High-NA EUV光刻机可以避免制造上双重或四重曝光带来的复杂性，在逻辑和存储芯片方面是最具成本效益的解决方案。显然并不是所有的芯片制造商都像英特尔那样急于将High-NA EUV光刻机用于芯片的量产，表面上可以降低总体成本，但毕竟现有的EUV光刻机也可以双重成像技术实现相同的效果。

由于计划会根据现有技术的表现以及其他市场因素而改变，所以台积电最后也可能会改变引入High-NA EUV光刻技术的时间点。

这次三星获得了High-NA EUV光刻设备技术的优先权，有助于确保购入下一代High-NA EUV光刻设备，为其DRAM存储芯片和逻辑芯片的生产创造出优化High-NA EUV技术使用的机会。除了确保2nm芯片制造设备进入韩国，三星更看重的是与ASML建立的合作伙伴关系，以便更好地利用下一代光刻设备。

High-NA EUV系统将提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征，同时每小时能生产超过200片晶圆。此前英特尔已宣布购买业界首个TWINSCAN EXE:5200系统，计划从2025年使用High-NA EUV进行生产。

据了解，ASML计划明年生产10台High-NA EUV系统，其中英特尔已购入了6台。有消息称，台积电计划在2024年引入High-NA EUV系统，为2025年末2nm工艺进入大批量生产做好准备。ASML打算未来几年内，将High-NA EUV系统的年产量提升至20台。

根据ASML的新计划，2025年至2026年的年产能将提高到90台EUV（极紫外光）光刻系统和600台DUV（深紫外光）光刻系统，同时2027年至2028年High-NA EUV系统的产能也将提高到20台。在2022年第三季度中，ASML已收到了TWINSCAN EXE:5200系统的新订单，来自于当前EUV光刻系统的客户，而首个购入High-NA EUV系统的客户是英特尔，预计2025年开始投入运营。

ASML还基于不同的市场情景，预计会有巨大的增长机会，以实现以下目标：

2025年 - 年收入约300亿欧元至400亿欧元之间，毛利率约54%至56%之间。

2030年 - 年收入约440亿欧元至600亿欧元之间，毛利率约56%至60%之间。

ASML不但上调了营收目标，而且还打算通过增加股息和股票回购的组合，继续向股东返还大量现金。为此ASML宣布了一项新的股票回购计划，自2022年11月11日起生效，将于2025年12月31日前执行，计划回购不超过120亿欧元的股票，其中总计最多200万股将用于支付员工股票计划。

在一系列好消息的刺激下，近期ASML股价上涨，也带动了其他半导体设备股的股价。

据Martin van den Brink介绍，开发High-NA EUV技术的最大挑战是为EUV光学器件构建计量工具，配备的反射镜尺寸为此前产品的两倍，同时需要将其平整度控制在20皮米内。这种需要在一个“可以容纳半个公司”的真空容器中进行验证，其位于蔡司公司，这是ASML推进High-NA EUV技术的关键光学合作伙伴，是后来加入的。

目前ASML有序地执行其路线图，且进展顺利，在EUV之后是High-NA EUV技术，ASML正在为客户交付首台High-NA EUV光刻机做准备，大概会在明年某个时间点完成。虽然供应链问题仍可能打乱ASML的时间表，不过应该问题不大。High-NA EUV光刻机会比现有的EUV光刻机更为耗电，从1.5兆瓦增加到2兆瓦。主要原因是因为光源，High-NA使用了相同的光源需要额外0.5兆瓦，ASML还使用水冷铜线为其供电。

外界还想知道，High-NA EUV技术之后的继任者。ASML技术副总裁Jos Benschop在去年SPIE高级光刻会议上透露了可能的替代方案，即降低波长。不过这种方案需要解决一些问题，因为EUV反射镜反射光的效率很大程度上取决于入射角，而波长的降低会改变角度范围，使得透镜必须变得太大而无法补偿，这种现象也会随着数值孔径的增加而出现。

Martin van den Brink证实，ASML正在对此进行研究，不过个人而言，怀疑Hyper-NA将是最后一个NA，而且不一定能真正投入生产，这意味经过数十年的光刻技术创新，我们可能会走到当前半导体光刻技术之路的尽头。ASML进行Hyper-NA研究计划的主要目标是提出智能解决方案，使技术在成本和可制造性方面保持可控。

High-NA EUV系统将提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。到了Hyper-NA系统，会高于0.7，甚至达到0.75，理论上是可以做到的。

Martin van den Brink不希望制造更为庞大的“怪物”，预计Hyper-NA可能是接下来半导体光刻技术发展会出现问题的地方，其制造和使用成本都会高得惊人。如果采用Hyper-NA技术的制造成本增长速度和目前High-NA EUV技术一样，那么经济层面几乎是不可行的。就目前而言，Martin van den Brink希望可以克服的是成本问题。

由于可能存在无法克服的成本限制，晶体管缩小速度正在放缓。多亏了系统集成的发展，继续开发新一代芯片仍然是值得的，这是个好消息。在这点上，问题变得非常现实：哪些芯片结构太小，无法经济地制造?

ASML总裁兼首席技术官Martin van den表示，英特尔对ASML在High-NA EUV技术的远见和早期承诺证明了对摩尔定律的不懈追求。与目前的EUV系统相比，ASML的扩展EUV路线图以更低的成本、时间周期和架构等方面提供了持续的改进，这将是推动芯片行业未来十年发展的动力所在。

在去年七月份的“英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会”上，英特尔CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）展示了一系列底层技术创新，这些技术将驱动英特尔到2025年乃至更远未来的新产品开发。英特尔公布其近十多年来首个全新晶体管架构RibbonFET和业界首个全新的背面电能传输网络PowerVia之外，还重点介绍了迅速采用下一代极紫外光刻（EUV）技术的计划，表示将部署业界第一台High-NA EUV光刻机。

英特尔在2018年率先购买了早期的TWINSCAN EXE:5000系统，这次合作将延续英特尔从2025年使用High-NA EUV进行生产制造的道路。新的EUV系统将提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。