近日三星公布了2024年第二季度财报，表示采用业界首个3nm技术的新型可穿戴设备SoC的初步反应良好，预计今年下半年主要客户对采用该技术的SoC的采用范围将扩大，同时还计划确保旗舰型号Exynos 2500的稳定供应。

Exynos 2500采用了三星第二代3nm工艺技术，也就是SF3，也是其首款采用该工艺制造的智能手机SoC。按照官方的说法，与之前的4nm FinFET工艺相比，能效和密度有着20%至30%的提升。同时很可能与Exynos 2400一样，选择应用扇出型晶圆级封装（FoWLP），不但减小了封装的尺寸，而且能更好地控制芯片发热，以提供更强的多核性能表现，并延长设备的续航时间。

三星在财报中试图打消用户、投资者和潜在的客户对其3nm制程节点的担忧，不过仍然没有提供具体的生产情况。结合之前传出使用联发科SoC进行测试的消息，看起来为了维持定价及利润率，三星真的不愿意在明年的Galaxy S25系列上选择高通芯片独占的策略。

财报显示，三星2024年第二季度的营收为74.07万亿韩元（约合人民币3929.22亿元），高于去年同期为60.01万亿韩元，同比增长23.44%，也高于上一个季度的71.92亿韩元；营业利润为10.44万亿韩元（约合人民币549.14亿元），相比去年同期的6700亿韩元暴增1458.2%，高于市场的预期，相比上一个季度的6.61万亿韩元也有着较大幅度的增长；毛利润为29.76万亿韩元（约合人民币1565.38亿元），不但高出去年同期的18.36万亿，也高出上一个季度的26.03万亿韩元；净利润为9.84万亿韩元（约合人民币517.58亿元），高于上一季度的6.75万亿韩元，相比去年同期的1.71万亿韩元猛增475.44%。

随着今年存储芯片行情见涨，三星的半导体业务重新走上正轨，正积极应对人工智能（AI）高附加值产品的需求，比如扩大产能以增加HBM3E供应。本季度DS部门营收为28.56万亿韩元（约合人民币1502.26亿元），营业利润为6.45万亿韩元（约合人民币339.27亿元）。

三星称，对HBM以及传统DRAM和服务器SSD的强劲需求推动下，存储器市场整体继续复苏，这是对人工智能领域需求不断投资的结果，预计这种趋势将延续到2024年下半年。不过随着产能转移这些领域，传统的PC和移动设备产品供应将受到一定的限制。

据Notebookcheck报道，三星有可能升级Galaxy S25系列的内存配置，其中Galaxy S25将可选12GB，而Galaxy S25 Ultra则提升至16GB，Galaxy S25+或许会维持在12GB。另外还有一点值得注意，三星有机会采用速率达到10.7 Gbps的LPDDR5X内存。

三星在Galaxy S系列的内存配置上一直较为吝啬，这次传出加大内存容量的消息，唯一符合的原因可能是设备上的人工智能（AI）应用程序可能对内存的需求较高。考虑到三星正在加大Galaxy AI方面的投入，提升内存配置是一个合理的选择。

三星原本打算在Galaxy S25系列上维持双平台的策略，分别提供第四代骁龙8和Exynos 2500版本，可惜后者在良品率方面“低于预期”，可能不得不选择放弃。随着骁龙新一代旗舰SoC的定价提高，使得三星越来越难控制利润率。想维持定价及利润率，要不在其他配置上做出妥协，要不只能继续提高新产品的定价。

上个月传出，Galaxy S25系列了使用联发科的SoC进行测试，有可能是天玑9400。此外，三星本月已宣布10.7Gbps的LPDDR5X已在联发科天玑9400平台完成验证。三星有可能选择引入联发科方案，降低SoC的成本，以便在加强其他方面的配置。

据相关媒体报道，三星的HBM3已经通过了英伟达的适用性测试，不过还不打算大规模铺开，仅计划用于中国特供版的H20计算卡。传闻三星的HBM3在英伟达其他GPU上的使用仍然不确定，可能需要进行额外的验证测试，另外HBM3E还在接受英伟达的评估。

根据之前泄露的H20计算卡基准测试成绩，其内核数量相比H100减少了41%，性能下降了28%。虽然规格上打了折扣，但是H20仍有着不错的销售前景，受到了客户的欢迎，预计2024年英伟达将向中国出售超过100万块H20，每块售价大概在1.2万至1.3万美元，意味着销售额将达到120亿美元以上，这将超过上一个财年英伟达在中国的总收入。

有消息称，三星在今年5月启动了一项代号“Nemo”的内部战略计划，要求所有的部门优先考虑英伟达的订单，这意味着与英伟达相关的业务已成为三星的首要任务。此前三星还否定了坊间有关HBM3和HBM3E芯片一直没有通过英伟达验证是由于运行过热和功耗过高的说法，强调通过持续的合作来确保产品的质量和可靠性，以便向客户提供最佳解决方案。

已经有媒体联系了三星和英伟达，不过暂时都没有得到官方的回应。

据Wccftech报道，三星即将量产Galaxy Tab S10系列，预计时间是8月份，大家很快就能看到三星首次在其旗舰平板电脑中搭载联发科芯片，发布时间大概在10月份，将提供灰色和银色两种配色。

有业内人士透露，天玑9300+提供了良好的性能，而且相比高通骁龙8系列平台的定价更低，便宜了大概10%，这也给了联发科展示自身实力的机会，并且有可能推进与三星建立长期合作伙伴关系。据了解，三星2023年智能手机的制造成本中，有18.1%来自于高通的芯片组，而2022年这一数字为12.8%。今年由于在Galaxy S24系列里加入了Exynos 2400，占比应该会有所降低。

三星选择部分产品过渡到联发科的芯片，可以减少对高通的依赖，提升议价能力，增加了订单谈判中的筹码。与此同时，三星还在为Exynos 2500而努力，希望能用在Galaxy S25系列上，以避免过多采购高通芯片影响智能手机销售的利润率。

据The Elec报道，三星将增加2nm工艺的EUV曝光层数，相比3nm工艺高出30%以上，而现有的3nm工艺的EUV曝光层数为20层。根据第三方的报告，台积电（TSMC）在N3工艺上的EUV曝光层数为25层。随着EUV曝光层数的增加，制造成本也会上升，三星2nm工艺的定价或许会有不小的涨幅。

三星于2018年在7nm工艺上首次引入EUV技术，之后的后续制程节点上，三星不断增加EUV曝光层数。目前三星还在开发1.4nm（SF1.4）工艺，计划在2027年量产，预计EUV曝光层数将超过30层。此外，三星还打算在1.4nm工艺上增加纳米片的数量，从3个增加到4个，从而进一步提升性能和功耗的表现。

除了逻辑芯片，三星还在存储芯片上采用了EUV技术，比如第六代10nm级别的1cnm工艺上，EUV曝光层数为6或7层。

据三星的介绍，与AMD开发了将多个半导体芯片集成到单个基板上的封装技术，对CPU和GPU应用至关重要，提供了更好的性能、效率和灵活性，为超大规模数据中心产品所需要的高密度互联铺平了道路。相比于通用计算机基板相比，数据中心基板面积是其10倍、层数则是其3倍，同时对芯片的供电和可靠性的要求会更高。

FCBGA基板作为人工智能（AI）、5G、高性能计算（HPC）、智能汽车和数据中心等新兴需求应用的CPU、GPU、FPGA等高性能芯片的重要载体，业界对其的需求正在快速增长。有市场调查机构预测，基板市场将会以年均7%左右的速度增长，预计从2024年的15.2万亿韩元（约合人民币798亿元）增加到2028年的20万亿韩元（约合人民币1050亿元）。

三星计划继续投资先进的基板解决方案，以满足数据中心和计算密集型应用不断变化的需求，为重要客户提供具备核心价值的产品。

据ZDNet Korea报道，三星内存部门新业务规划团队负责人Choi Jang Seok在近期的活动上，确认三星计划今年年底之前批量生产支持CXL 2.0的256GB CXL DRAM，称CXL市场预计下半年开始进入蓬勃发展阶段，到2028年将呈现爆炸性增长。根据市场调查机构的数据，全球CXL市场预计从2022年的170万美元增长2028年的150亿美元。

CXL是一种开放性的互联协议，能够让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，满足现今高性能异构计算的要求，并且提供更高的带宽及更好的内存一致性。作为下一代接口，与主DRAM一起使用的时候，可以扩大带宽和容量，满足计算市场高速数据处理的需求。三星预计引入CXL技术后，可以让每台服务器的内存容量增加8到10倍，这标志着计算能力的重大飞跃。

Choi Jang Seok表示，三星在过去多年里，一直致力于开发和大规模生产高质量CXL内存模块，目前正与合作伙伴一起测试产品，以进行性能验证。去年末，三星宣布与开源软件供应商Red Hat合作，在实际用户环境中成功验证了CXL内存模块的操作，进一步扩展了CXL生态系统。

基础裸片位于芯片堆栈的底部，是HBM的核心组件。DRAM制造商已经有能力为HBM3E等现有产品生产基础裸片，不过对于HBM4，由于客户要求的定制功能，需要额外的晶圆加工步骤。据了解，目前三星4nm工艺的良品率已超过70%，Galaxy S24系列旗舰智能手机中搭载的Exynos 2400也采用了这一制程工艺。

相比于7/8nm工艺，采用4nm工艺的成本要高得多，但是会带来更好的芯片性能，同时能耗方面也有更明显的优势。三星正在采用10nm工艺生产HBM3E，在新一代HBM4上采用4nm工艺可以增强其在HBM领域的竞争优势。

今年4月，竞争对手SK海力士宣布与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4。

随后台积电确认将生产用于HBM4的基础裸片，计划采用N5和N12FFC+工艺，为HBM4提供前所未有的性能和能源效率。

据TrendForce报道，已经从多家供应链厂商了解到，三星的HBM3E很快会获得认证，将在2024年第三季度开始发货。由于三星会将至少20%到30%的产能转移到HBM产品，进一步收缩供应，很可能会推动DDR5内存价格上涨。

有消息称，三星的部分供应链合作伙伴最近收到了尽快下单和准备产能的信息，预示着三星的HBM产品在下半年会顺利出货，也意味着三星内部会加快DRAM芯片的产能配置，将生产线的重心转移。随着人工智能（AI）市场的快速增长，HBM技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片来显著提高数据处理速度，已经变得越来越重要。

三星原本预计2024年第二季度就能通过英伟达的认证，但是最后推迟了，不但落后于SK海力士和美光，而且导致HBM产量低于预期。有市场人士担心HBM3E的供应不足，从而影响英伟达H200在2024年第二季度的出货。

三星表示，利用自身的晶圆代工和先进封装产品，可以支持Preferred Networks Inc.开发性能强大的AI加速器，以满足生成式AI对计算能力不断增长的需求。自业界首款GAA晶体管架构的3nm工艺量产以来，三星通过提升性能和能效，成功赢得2nm订单，巩固了其GAA技术领先地位。这次与Preferred Networks Inc.的合作，标志着日本企业在大型异构集成封装技术领域取得的首个成就，同时三星还计划加快先进封装市场的攻势。

Preferred Networks Inc.成立于2014年，主要进行人工智能深度学习开发，并吸引了包括丰田、NTT和发那科在内的各领域大公司的大量投资。据了解，三星之所以被选中，是因为其同时具备存储器和代工服务，有着较强的综合能力和技术积累，可以提供高带宽存储器（HBM）设计到生产和先进2.5D封装的全套解决方案。

过去Preferred Networks Inc.也曾与台积电合作，这次转向三星，一定程度上也是从供应链方面考虑，并减少对台积电的依赖。

近日，三星发出了2024年第二季度财报的盈利指引，显示合并销售额约74万亿韩元（约合人民币3907.2亿元），高于2024年第一季度的71.92万亿韩元和2023年第二季度的60.01万亿韩元，另外合并营业利润约10.4万亿韩元（约合人民币549.12亿元），也高于2024年第一季度的6.61万亿韩元和2023年第二季度的0.67万亿韩元，大幅度超出了市场的预期。

显然三星受益于全球人工智能（AI）市场的快速增长，以及存储器需求的反弹，这很可能是过去数年里三星最为强劲的销售额与营业利润增长。其中销售额同比增长了23.31%，已连续两个季度保持在70万亿韩元以上。营业利润同比暴增1452%，大幅高出8.55万亿韩元的市场平均预期，也是继2022年第三季度（10.85万亿韩元）之后。再次单季度营业利润超过10万亿韩元，甚至比2023年全年6.57万亿韩元的营业利润还要高。

本月31日，三星将正式公布2024年第二季度财报，届时可以了解更为详尽的业绩报告。

据TrendForce报道，三星已经成立了新的“HBM开发团队”，将专注于HBM3、HBM3E和下一代HBM4技术的相关开发工作，以提高三星在HBM市场的竞争力。三星早在2015年就在DRAM部门里组建了专门负责HBM产品开发的团队，甚至还成立了特别工作组，而这次组织架构的改组进一步做了加强。

三星希望能够加快HBM产品的开发进度，抢夺高附加值DRAM市场。早在今年2月，三星就宣布完成了HBM3E 12H DRAM的开发，并在4月量产了HBM3E 8H DRAM。三星从去年开始，就提供了HBM3E给英伟达进行验证，包括了8层和12层堆叠的产品，但是一直没有通过，预计第三季度末能够部分完成验证工作。

此前三星还发表了一篇采访文章，介绍了目前HBM产品的开发情况，并再次重申了HBM4正在开发当中，将于2025年首次亮相。之前还有传言称，三星打算在下一代HBM4引入针对高温热特性优化的非导电粘合膜（NCF）组装技术和混合键合（HCB）技术。