SanDisk推出T40备份小魔方：4/8TB可选，最高存取速度达1000MB/s
西部数据旗下品牌SanDisk（闪迪）宣布，推出T40备份小魔方桌面固态硬盘，提供了4TB和8TB容量可选，得到了2024红点设计奖。目前新产品已登陆电商平台，并开始销售了，另外提供了白条3期免息分期，晒单返200元E卡，厂家提供了三年质保。
美光推出英睿达LPCAMM2内存：LPDDR5X-7500规格，已用于联想移动工作站
美光宣布，旗下专注于消费类存储产品的英睿达（Crucial）品牌推出LPCAMM2内存。作为一款颠覆性外形设计的笔记本电脑内存，搭载了LPDDR5X颗粒，为专业人士和内容创作者提升移动设备性能。前一段时间联想推出了新一代ThinkPad P1 Gen 7移动工作站，已采用了美光的新产品，成为了AI PC和处理复杂工作负载的理想高性能内存解决方案。
英特尔联合14家日企推动半导体组装自动化，目标2028年实现商业化
日本雅马哈发动机近日发布了一则新闻稿，宣布与包括英特尔在内的14家公司和组织一起成立“半导体组装测试自动化和标准化研究协会”（简称“SATAS”），旨在通过开发、联合验证和标准化组装测试流程自动化所需要的技术，促进传统半导体制造业的转型，实现更高效、可持续和灵活的供应链，降低可能存在的风险。
2024Q2存储产品价格涨幅扩大，DRAM和NAND闪存可达18/20%
TrendForce针对2024年第二季度DRAM和NAND闪存的价格趋势，发布了新的调查报告，表示两者不但会延续过去多个月的增长趋势，而且涨幅扩大。其中DRAM合约价季涨幅将达到13~18%，而NAND闪存的合约价季涨幅将扩大至15~20%。
SK海力士在研究低温蚀刻设备，下一代3D闪存可能在-70℃低温下生产
随着3D NAND的堆叠层数越来越多，厂家门也在着手研究新的生产技术以改进效率，SK海力士就在评估东京电子最新的低温蚀刻设备，该设备可以在-70℃的低温下运行，用来生成400层以上堆叠的新型3D NAND。低温蚀刻设备的钻孔速度是传统工具的三倍，对多层数的3D NAND非常有用。
明年HBM产品或涨价5~10%，占DRAM总产值超过30%
近年来高带宽内存（HBM）的需求急剧上升，尤其是人工智能（AI）热潮的到来，让这一趋势愈加明显，HBM产品的销量节节攀升，价格也是水涨船高。即便各个存储器供应商不断提升HBM的产能，仍然难以满足市场的需求，传闻SK海力士和美光至2025年底之前的HBM产能已经售罄。
未来内存或能耐受600℃高温，协助推动大规模AI系统建设
近日，宾夕法尼亚大学的研究人员开发了一种全新耐高温存储设备，这种设备可以在600℃的高温下保持稳定性，让存储其上的数据不会丢失。这种存储设备改变了目前硅基闪存200℃下就会失效的问题，后续可能会被运用于制作大规模AI系统的内存。
美光宣布为AI数据中心提供关键内存：32Gb DRAM打造的128GB DDR5 RDIMM
美光宣布，率先在领先服务器平台上验证并交付了基于32Gb DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM内存模块，引领了行业。其采用了最新的1β（1-beta）工艺节点批量生产，与3DS硅通孔（TSV）产品相比，密度提升了45%以上，能效提高了22%，延迟降低了16%。
Rambus发布DDR5服务器PMIC：支持数据中心高性能内存模块
Rambus宣布，推出新款DDR5 RDIMM服务器内存专用PMIC电源管理芯片。Rambus表示，凭借这一新的服务器PMIC系列产品，为内存模块制造商提供了完整的DDR5 RDIMM内存接口芯片组，支持广泛的数据中心用例。
三星计划2024Q2开始量产HBM3E 12H DRAM，以及1βnm 32Gb DDR5产品
近日，三星公布了截至2024年3月31日的第一季度财报。显示其存储器业务通过满足高附加值产品的市场需求终于实现了盈利，带动了整个DS部门的营收和利润增长，让半导体业务自2022年以来的首次恢复盈利。
SK海力士将清州M15X定为DRAM生产基地，以应对HBM需求的大幅增长
今天SK海力士宣布，为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，决定扩充人工智能基础设施的核心产品，即HBM等新一代DRAM的生产能力。在SK海力士看来，提高以HBM为主的DRAM产能是其面临的首要问题。
企业级QLC SSD出货位元快速增长：AI需求推动，Solidigm受益最多
据TrendForce报道，随着节能成为AI推理服务器优先考虑的方向，加上北美客户扩大存储产品的订单，带动企业级QLC SSD的需求攀升。目前市场上仅Solidigm和三星有经过验证的企业级QLC产品，而更积极做推广的Solidigm受益最多。TrendForce预计2024年企业级QLC SSD出货位元相比2023年增长四倍，达到了30EB。
传三星与AMD签订价值30亿美元的新协议：将供应12层堆叠的HBM3E
去年10月，三星举办了“Samsung Memory Tech Day 2023”活动，宣布推出代号为“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM。到了今年2月，三星宣布已开发出业界首款HBM3E 12H DRAM，拥有12层堆叠，容量为36GB，是迄今为止带宽和容量最高的HBM产品。随后三星开始向客户提供了样品，计划下半年开始大规模量产。
SK海力士将选择台积电7nm工艺，用于生产HBM4的基础裸片
近日，SK海力士宣布与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4，预计在2026年投产。
Rambus发布GDDR7控制器IP：面向AI 2.0的内存解决方案
今年3月，JEDEC固态技术协会正式发布了JES239 Graphics Double Data Rate 7即GDDR7的标准，可提供两倍于GDDR6的带宽，达到了192 GB/s，以满足未来图形、游戏、计算、网络和人工智能（AI）应用对高内存带宽不断增长的需求。其实早在去年7月，三星就已完成了业界首款GDDR7芯片的开发工作，每个数据I/O接口的速率达到了32Gbps。
铠侠出样最新一代UFS 4.0闪存芯片：顺序写入速度提升15%，封装尺寸更小
铠侠在今天宣布出样最新一代UFS 4.0闪存芯片，新产品提供256GB、512GB和1TB容量规格，可用于包括高端智能手机在内的下一代移动端应用产品。
三星宣布投产第九代V-NAND闪存：存储密度较上代提升了50%
三星今天宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存，首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存，新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力，巩固其领导地位。
三星BAR升级版+国行版U盘上市：读速最高可达400MB/s，售价79.9元起
近日三星正式在京东自营店铺上架了全新的三星BAR升级版+国行版U盘。这是一款采用USB 3.2 Gen 1 Type-A接口的高性能便携闪存盘，最高可提供400MB/s的读取速度，写入速度则低于读取速度，但对于日常使用来说还是足够使用的。新品提供了深空灰和香槟银两种配色，存储容量方面则是64GB起步，最高可选512GB，提供5年有限质保服务，首发期间售价价79.9元起，晒单可赢取500京豆和参与手机抽奖。
AI产业带动大容量HDD需求，希捷跟进西部数据涨价
据TechNews报道，继西部数据发函通知客户上调NAND闪存和HDD产品的价格后，希捷也于近日通知其合作伙伴，表示将对新订单和额外需求进行涨价，并且此轮涨价将会持续至未来几个季度。
三星和SK海力士竞争升级：争夺下一代AI半导体市场主导权
在进入人工智能（AI）时代后，两大存储器生产厂商三星和SK海力士的竞争不断升级。双方都在努力通过加快新产品的开发和批量生产，以抢夺市场先机，争夺下一代人工智能半导体市场的主导权。随着英特尔的加入，全球半导体战线正在扩大。
JEDEC更新DDR5内存标准：引入PRAC方案，速率提升至8800Mbps
JEDEC固态技术协会在2020年，首次公布了DDR5 SDRAM标准，提升重点在于提高内存密度以及频率上。其最高速率达到了6400 Mbps，单条LRDIMM最大容量为2TB，最大UDIMM容量为128GB。
SK海力士和台积电签署谅解备忘录，在HBM4研发和下一代封装技术上展开合作
SK海力士宣布，已经与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4，预计在2026年投产。
三星HBM4计划2025年首次亮相：将有16层堆叠，改用3D封装
近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长，各大厂商也加大了这方面的投入。目前HBM市场主要由三星、SK海力士和美光三家存储器制造商占有，根据统计机构的数据，SK海力士占据了50%的市场份额，三星以40%紧随其后，剩下的10%属于美光。
铠侠连续亏损后再次寻求IPO，最快今年10月在东京上市融资
自2021年开始，西部数据和铠侠（Kioxia）就NAND闪存生产业务合并断断续续地进行谈判，以打造全球最大的NAND闪存制造商。不过在双方即将敲定最终计划之际，遭到了铠侠重要的间接股东SK海力士的强烈反对，让西部数据选择中止谈判。随后西部数据宣布未来将分拆为两家独立上市公司，分别专注于机械硬盘和NAND闪存业务，预计在2024年下半年开始执行。
十铨科技发布MP44Q M.2 PCIe 4.0 SSD：最大可选4TB，紧随大容量需求趋势
十铨科技（Team Group）宣布，推出MP44Q M.2 PCIe 4.0 NVMe SSD。十铨科技表示，致力于为消费者提供多元化最佳存储解决方案，这次带来的新产品以领先的技术结合大容量需求趋势，全面满足用户日常系统与文件存储的需求。
三星推出速率达10.7Gbps的LPDDR5X：专为人工智能应用优化
三星宣布，已开发出其首款速率达10.7Gbps的LPDDR5X DRAM。三星表示，新款LPDDR5X是未来端侧人工智能（AI）的理想解决方案，预计将在PC、加速器、服务器和汽车领域中得到更广泛的应用，将巩固其在低功耗DRAM市场的技术卓越地位。
美光宣布量产232层QLC NAND闪存，将供应给客户端和数据中心产品
美光宣布，已开始量产232层QLC NAND闪存，并已经在选定的关键SSD中发货。除了消费客户端产品外，还会向企业存储客户及OEM厂商提供对应的产品，比如Micron 2500 NVMe SSD。
科赋发布CRAS C925 PCIe 4.0 M.2 SSD：单面设计，最大2TB，兼容PS5
科赋（KLEVV）宣布，推出全新CRAS C925 SSD。这是一款PCIe 4.0 M.2 NVMe SSD产品，以满足用户对笔记本电脑、迷你主机和PlayStation 5游戏主机等设备的存储升级需求。
美光带来适用于智能手机的LPDDR5X新方案：速率保持9.6Gbps，功耗降低4%
去年10月，美光推出了使用最新1β（1-beta）工艺节点生产的LPDDR5X内存，容量高达16GB，速率也达到了9.6 Gbps，相比前代产品的峰值带宽提高了12%。
受益于SSD价格持续上涨，三星和SK海力士在NAND闪存业务或再盈利
随着过去一年多里存储器供应商的连续减产策略取得成效，存储产品的价格正在反弹。上个月有报告称，2024年第二季度DRAM和NAND闪存在价格方面都会延续过去多个月的增长趋势，其中NAND闪存会表现得更为强势，合约价将上涨约13~18%。此前西部数据已发出正式的客户信函，通知其合作伙伴将上调NAND闪存和HDD产品的价格。
三星下个月带来第9代290层V-NAND闪存，明年会有第10代430层产品
作为全球最大的NAND闪存供应商，三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。去年三星曾表示，2024年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。
美商海盗船发布WS DDR5 RDIMM ECC套装，进军工作站内存市场
美商海盗船（CORSAIR）宣布，推出WS DDR5 RDIMM ECC套装，进军工作站内存市场。美商海盗船表示，新产品提供了无与伦比的性能和可靠性，重新定义了新一代工作站的功能，并与最新的英特尔第四代Xeon和AMD Ryzen Threadripper 7000系列处理器兼容。
盈通宣布牵手美商海盗船，推出复仇者RGB DDR5樱瞳花嫁联名款内存
盈通宣布与美商海盗船联手，带来复仇者RGB DDR5樱瞳花嫁联名款内存，与玩家浪漫牵手，共度春夏。
美光推出车规级4150AT：全球首款四端口SSD
美光宣布，推出车规级4150AT，这是全球首款四端口SSD，能够与多达四个SoC连接，为软件定义的智能汽车集中存储。美光表示，4150AT SSD结合了市场领先的功能，比如单路输入/输出虚拟化（SR-IOV）、PCIe 4.0接口和坚固耐用的汽车级别设计，为智能汽车生态系统提供了数据中心级别的灵活性和强大功能。
澜起科技率先试产DDR5 CKD芯片：面向客户端内存模组，支持7200 MT/s速率
澜起科技宣布，在业界率先试产DDR5第一子代时钟驱动器芯片（简称CKD），已开始批量供货给内存厂商。澜起科技表示，该款CKD芯片应用于新一代客户端内存，旨在提高内存数据访问的速度及稳定性，以匹配日益提升的CPU运行速度及性能。
西部数据确认HDD和NAND闪存短缺，警告合作伙伴价格将上涨
据TechNews报道，西部数据已发出正式的客户信函，通知其合作伙伴将上调NAND闪存和HDD产品的价格。西部数据还确认旗下NAND闪存和HDD产品都出现了供应短缺，本季度将继续调整价格，其中一些变动将立即生效。西部数据表示，人工智能（AI）市场的蓬勃发展是需求激增的原因，超出了原来的预期，导致供应紧张。
SK海力士准备1cnm DRAM：第六代10nm级别工艺，计划2024Q3量产
去年，SK海力士宣布已经完成了现有DRAM中最为微细化的1β (b) nm（第五代10nm级别）的技术研发，并进入了英特尔数据中心的存储器产品兼容性验证。其采用了HKMG（High-K Metal Gate）工艺，相比1αnm（第四代10nm级别）工艺的产品，功耗降低了20%。
受地震影响内存厂已经停止公布DRAM合约价，预示会进一步涨价
4月3日在中国台湾地区花莲发生的地震即使对岛内的晶圆厂是肯定有影响的，即使厂房没有损坏光刻机也得停下来检修，美光在当地的厂区当时就有进行停机评估，在地震过后内存制造商已经停止披露2024年第二季度DRAM内存合约报价，这可能预设着即将涨价。
希捷推出BarraCuda 530系列SSD：搭载E27T主控，最大2TB可选
希捷宣布，推出BarraCuda 530系列SSD。其支持PCIe 4.0 x4接口和NVMe 2.0协议，可向下兼容PCIe 3.0 x4接口。与其他一些希捷同类产品搭载自研主控芯片不同，新产品选择搭载了群联电子的PS5027-E27T主控芯片。
机械硬盘制造商酝酿容量升级计划：未来十年通过多层堆栈达到120TB
过去十几年里，随着固态硬盘容量的提升和单位存储价格的下滑，在消费市场已逐渐取代机械硬盘成为主流选择。即便如此，机械硬盘在容量方面的优势也没那么明显，除非有较大的存储需求，要不是很难找到购买机械硬盘的理由，只需要购买大容量固态硬盘即可。
美光内存产能受地震影响，停止相关产品的报价
据TrendForce集邦咨询研报，受4月3日中国台湾地区花莲地震影响，美光在中国台湾新北林口和台中的厂区仍在进行停机评估，需要几天时间才能恢复正常。美光也在震后发布公告称所有在台员工安然无恙，目前正在评估地震对供应链的影响，停止有关产品的报价，评估完成后将会和客户沟通产品交付情况。
佰维存储推出TGP200系列固态硬盘：支持-40℃~85℃宽温工作，面向工控等领域
近日，佰维存储推出了工规级宽温SSD——TGP200系列，该系列主要面向轨道交通、工控、数据通信、电力等工业领域，系列产品支持宽温工作，具备高度抗振抗冲击、掉电保护以及强电磁兼容性等特性，保证了工业设备在高低温、异常断电、震动、冲击、脏污等环境下能稳定运行。
三星将增加美国德州晶圆厂的投资：提高至440亿美元，扩大生产线和研发业务
2022年5月，三星宣布在美国德克萨斯州泰勒市新建晶圆厂，投资额为170亿美元，不过随着设备的采购，投资额上涨到250亿美元。三星在美国奥斯汀原有的晶圆厂只推进到14nm制程节点，这次加入EUV光刻设备以后，将推进至5nm制程节点，预计2024年开始运营。
铠侠目标1000层3D NAND闪存：计划2031年量产“千层面”
目前全球每天产生的数据量是非常庞大的，通过HDD和SSD存储在大容量的服务器和数据中心里，不过SSD在读/写速度、能耗和设备尺寸上都优于HDD，使得SSD正逐步取代HDD。SSD单位成本的扩展，其中一个原因归功于在存储单元上堆叠更多的层数。
英特尔Granite Rapids-SP工程样品泄露：配备80核心，睿频2.5GHz
英特尔在去年初发布了代号为Sapphire Rapids的第四代至强可扩展处理器，年末还会推出了同属于Eagle Stream平台的Emerald Rapids，也就是第五代至强可扩展处理器。不过真正带来质变的是今年即将到来的Granite Rapids，属于新的Mountain Stream（或Birch Stream）平台。
2024Q2存储产品价格涨势持续，DRAM和NAND闪存涨幅可达8/18%
TrendForce发布了新的调查报告，分别针对2024年第二季度DRAM和NAND闪存的价格趋势。两者都会延续过去多个月的增长趋势，不过DRAM合约价季涨幅将缩小至3~8%，而NAND闪存则会保持强势，合约价将上涨约13~18%。
西部数据带来24TB WD Red Pro机械硬盘，面向NAS应用环境
西部数据宣布，推出24TB WD Red Pro机械硬盘（部件号WD240KFGX），这是专门针对NAS（网络附加存储）应用环境而设计的。值得一提的是，其属于CMR（垂直记录）机械硬盘，标志着西部数据进一步扩大了该类产品的应用范围。其实西部数据去年就推出了24TB的机械硬盘，不过面向的是超大规模、云端和企业数据中心客户。
微星发布SPATIUM M580 FROZR：带有塔式散热器的PCIe 5.0 SSD
微星宣布，推出SPATIUM M580 FROZR，这是一款PCIe 5.0 SSD，配有一个大型的塔式散热器，还带有热管。微星表示，凭借尖端技术和创新的散热解决方案，新产品重新定义存储解决方案的速度和可靠性标准，开创了存储性能的新时代。
三星已准备好GDDR7芯片，速率28/32Gbps产品页面已上线
本月初，JEDEC固态存储协会正式发布了JES239 Graphics Double Data Rate 7，即GDDR7的标准。随后在英伟达GTC 2024上，三星和SK海力士都展示了自己的GDDR7芯片，这是为接下来基于Blackwell架构的Geforce RTX 50系列显卡所准备的，未来也会用于人工智能、高性能计算和汽车等应用。
美光展示256GB的DDR5-8800：MCRDIMM内存模块，功耗约20W
上周美光在英伟达GTC 2024上，展示了单条256GB的DDR5-8800内存，属于MCRDIMM模块。这是针对英特尔下一代服务器产品设计的，比如代号Granite Rapids的至强可扩展服务器处理器。
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