之前OCZ的财报一再推迟，10月中才发布2014财年Q1季度（截至今年5月31日）的财报，营收从2013财年Q1季度的7650万美元下降到了5530万美元，相比上个季度也连续下降20%，形势依然吃紧。

　　今年早些时候OCZ为此跟HTGC借贷，不过因为现在不符合双方的一些协议，HTGC作为债权人已经接管了OCZ的银行账户，OCZ也将申请破产保护。

　　目前东芝已经对破产程序中的OCZ资产及知识产权进行了报价，准备收购OCZ。目前的进度是OCZ和东芝的谈判接近完成，双方在重大条款上已经达成协议，而且获得破产法院的同意，进度快的话双方会在11月底完成交易。

　　东芝目前是全球第二大NAND厂商，不过他们缺少主控芯片，而OCZ爆出的问题则是NAND供应困难，双方各取所需，一拍即合。东芝拿下OCZ之后也会有利于提高自己在固态硬盘市场的存在，而不是仅仅满足一个NAND供应商的角色。

　　SK海力士是全球首家推出16nm NAND闪存的芯片厂商，在6月份的时候就已经开始量产第一版16nm MLC，而现在量产的是芯片尺寸更小的第二版，他们相信新版本更有竞争力。

　　理论上来说，制作工艺越先进，单元的间隔越小，他们之间的干扰会越严重，不过SK海力士表示他们采用了最新的Air-Gap技术，以“真空孔”替代原来在电路之间的绝缘物质。

　　在新版64Gb MLC芯片的规格与耐用性的基础上，SK海力士也成功开发出16nm 128Gb/16GB MLC芯片，这是目前容量密度最大的单片MLC芯片，计划在明年年初开始投产。除此以外，他们也表示将会加快TLC和3D NAND闪存芯片的研发。

　　在企业市场OCZ做得不错，不过在消费级市场上NAND闪存的供应存在问题。按照Ralph Schmitt的说法，和上一季度相比，第一季度通过企业解决方案产生的收入达到了两倍有多，推动了顺序毛利率增长。财政总收入继续下降了约20%，主要归结于缺乏向客户的SSD产品供应NAND闪存。

　　Ralph Schmitt表示他们集中精力于改造公司，将其变得更合理和更有效率。虽然第三财季的最高收入接近1亿美元，不过因为竞争价格和客户价值产品线成本结构的不协调，所以业务方面仍是负毛利。

　　在第三和第四财季，他们会从公司内部以及渠道方面对库存作出重大的调整，让其集中于高增长和更有价值的市场，包括企业级SATA、SAS和PCIe市场。这些措施会令产品组合更合理化，但会压缩利润，收入也会下降。

　　Ralph Schmitt还说基于信用状况，相信闪存的出产能力和价格都是可靠的，尤其是第二季度的表现更能说明这个问题。

　　下一个季度对于公司产品的需求会有增长，但由于现时的财务状况，会有一段要保证供应的困难时期。

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　　超频玩家应该记得Intel有一个XTU（ Extreme Tuning Utility）超频软件，未来的SSD超频功能也会集成在这个软件内。Myce研究了下XUT里面的代码，找到了三处涉及SSD超频的地方，这就是Intel实现SSD超频的三个主要方式。

　　第一个是设置主控频率，Intel在代码中添加了如下语句：“设置特定Intel SSD的驱动器主控频率以提升数据吞吐量”。

　　第二个地方是允许用户调节SSD功耗状态，有“受限（limited）”、“典型（typical）”以及“无限制（unconstrained）”三种范围可选，命令为“设置特定Intel SSD的功耗限制”

　　第三个地方是设置NAND闪存的总线频率，范围为83-100MHz，代码描述为“设置特定Intel SSD的NAND总线频率”。

注：NAND闪存使用不同的接口，它们其实也有各自的频率的，详情可以参考：关于SSD的二三事，NAND闪存的一些常识

　　需要注意的是，所有的描述中都提到了“特定Intel SSD”，这意味着即便是真能超频，可选的范围也很有限，基本上就是Intel挑选出来的某些特别版SSD（依照Intel的鸟性，这些SSD售价也会更贵），想支持所有的SSD不太可能。

　　此外，提高主控频率带来的性能提升其实并不大，不过这么做是没有副作用的，而提高NAND总线频率可能有更多的副作用，包括稳定性或者数据纠错方面的问题。

　　三星在NAND市场上有如此大优势主要得益于智能移动设备的发展。三星加强了智能手机、平板等嵌入式NAND市场的存在，而且在SSD、eMMC、eMCP领域同样实力强劲。目前该公司已从21nm工艺加速推进到19nm工艺。

　　东芝在SSD、eMMC市场的份额也在增加，同时该公司也在向新的19nm工艺转变。

　　SK Hynix之所以能够超越美光夺得第三把交椅，靠的也是在移动设备的eMMC、eMCP市场的快速增长，集邦科技认为中国智能手机市场的增长帮助SK Hynix第二季度的出货量连续增长了29%。

　　美光的市场份额在第二季度下跌了4.5%，这主要是与Intel的供应协议造成的。尽管如此，该公司还会加速在SSD市场的发展，未来这一市场会推动美光的NAND业务继续增长。

　　2013年Q2季度的全球NAND供应商销售额达到了57.8亿美元，环比增长11.2%，同比大幅增长30%。

　　DRAMeXchange认为厂商原本对下半年的市场持乐观态度，上半年不断追加订单，但是今年Q3季度的市场态势低于预期，智能手机、平板及笔记本厂商下调了出货量预期，因此NAND厂商将直接面临订单及库存的压力。就算Q3季度的智能手机市场有上涨势头，会拉动Q3季度的NAND需求，但是这些仍不足以改变整个趋势。这种情况下，Q4季度及2013年下半年的市场销售情况依然值得怀疑，DRAMeXchange认为OEM市场前景需要谨慎看待。

　　存储卡及闪盘市场下半年的市场也比预期更弱，这也会导致NAND闪存价格下跌。综合经济环境的不确定性及不断收紧的市场需求，DRAMeXchange认为从今年8月份开始NAND的合约价格会持续下降。

　　PS：希望DRAMeXchange预测对了，SSD什么时候再来一次大降价，快点普及256GB的吧。

　　根据此前的协议，美光将100%收购尔必达公司位于日本广岛市的300mm DRAM晶圆厂以及位于台湾的瑞晶电子（Rexchip）300mm DRAM晶圆厂65%的股份。在此之前，美光已经跟力晶电子（PowerChip）达成协议收购24%的瑞晶股份，这样美光合计控股了瑞晶电子89%的股份，为未来100%控股奠定了基础。

　　收购尔必达和瑞晶的晶圆厂之后，美光公司的产能将提高45%，每月300mm晶圆厂商约合185000片，通过这项收购也会大大提升美光的研究、开发能力。

　　美光擅长的是NOR和NAND闪存，尔必达擅长的是DRAM内存，收购尔必达之后美光也可以提供更全面的内存解决方案了。

　　有关TRIM及SSD性能恢复的内容这里不做过多介绍，详情可以参考我们之前的文章：花开正当时，十四款120/128GB SSD固态硬盘横评。

　　回到Nexus设备上来，安卓4.3支持Linux系统下的FSTRIM功能，跟Windows系统下的TRIM功能是一样的。这个功能可以在ADB中使用如下命令进行验证：

　　adb logcat -d | grep -i fstrim

　　Anandtech网站已经在Nexs 7、2012版Nexus 7及Nexus 4手机上做了验证，FSTRIM功能确实起作用了，详细的测试还在进行中。

　　目前许多移动设备，包括手机和平板电脑都采用eMMC芯片（Embedded MultiMedia Card，嵌入式多媒体卡）作为存储介质，因为它将主控和NAND闪存芯片封装称BGA芯片，节省了空间。

　　不过目前仍未有更详细的测试数据。如果三星新版eMMC PRO的性能足够强，那么三星的Exynos 5420处理器将有更强力的帮手，另外以后的Atom Windows 8平板（包括未来的Bay Trail Atom）也将不用再担心被吐槽读写性能差了。

　　据美光提供的消息称，目前试产的128Gb MLC NAND闪存主要用在消费级SSD、闪存盘、存储卡、平板电脑、智能手机、超薄移动设备以及云存储数据中心等地方。由于制程上的优势，新的闪存芯片体积更小，因此在同样面积的晶圆上可以生产出更多的成品，目前一块16nm工艺晶圆的总容量可达6TB。

16nm工艺晶圆

　　由于单颗晶圆可以切割出更多的闪存芯片，因此同样容量的16nm工艺闪存在成本上要比20nm级别产品更低，因此新工艺对降低SSD成本会起到促进作用，未来在同样的价格下，玩家可以买到容量更大的SSD产品。

　　目前美光已经开始试产16nm工艺128Gb MLC NAND闪存，主要提供给合作伙伴进行测试，真正的量产要到今年第四季度。同时美光已经着手开发基于16nm闪存的SSD产品，预计会在2014年登场。另外考虑到英特尔和美光在NAND上的紧密合作关系，我们相信英特尔的16nm工艺SSD产品也已经在研发当中，进度上应该与美光大致相同。

　　Fab 5二期工程将于今年8月份启动，明年夏季完成。除了扩大产能的初衷之外，Fab 5二期还非常注重环保，工厂将安装价格更高、但是更节能的LED灯，以及二氧化碳排放量要比Fab 4工厂减少13%。

　　双方希望Fab 5二期可以扩大二者在四日市的工厂产能。新的无尘室可以为Fab 2、Fab 3、Fab 4以及Fab 5一期的晶圆辅助设备提供空间，满足下一代2D NAND闪存及3D NAND初期的需要。

　　目前东芝在3D NAND闪存上的研究处于领先地位，去年底他们宣布使用p-BiCS（pipe-shaped Bit Cost Scalable）技术在一个50nm宽的垂直通道上集成了16层NAND单元，今年开始出样，2015年量产，东芝的p-BiCS技术将晶体管以U形排列。

　　目前3D堆栈NAND还不够成熟，而且现有的2D NAND还未到极限，目前的主流是20nm，预计还有15nm、10nm的制程工艺可供升级，3D堆栈工艺可能在15nm节点出现。

　　此外，Esfarjani表示目前16层的3D NAND在成本上还不能显示出成本优势，需要64层堆栈，至少也要达到32层的水平才行。

　　IMFT在20nm工艺节点使用了浮栅高K金属栅极Cell结构（floating-gate high-K metal gate）取代了34nm及25nm工艺使用的环绕式Cell结构（wrap-around），2012年时IMFT就展示过了128Gbit容量的NAND闪存，美光的M500 SSD固态硬盘使用的就是128Gbit的NAND。

　　东芝之前联合Sandisk于2011年4月成功开发出第1代19nm工艺的nand闪存芯片，而第2代则是通过控制周边电路的方法以及使用MLC芯片，达成仅94mm²、世界最小64Gb NAND闪存芯片的目标，而此前的20nm工艺生产出的64Gb NAND闪存核心面积约为118mm2，东芝的新闪存核心面积要小得多。

　　目前东芝正在研发TLC NAND芯片产品，预定在2013年第2季度量产。新产品将搭配新的eMMC控制器，除了智能手机和平板电脑外，使用SSD的笔记本也将受惠。