• 2D闪存还有一两代可活，未来是3D NAND的天下

    bolvar 发布于2013-05-28 10:29 / 关键字： NAND, 3D NAND, IMFT, 东芝, p-BiCS

    　　Intel在处理器制程工艺上已经实现了3D晶体管的量产，现在他们又准备把3D带到NAND闪存制造中去。当然，NAND中的3D不是3D晶体管，而是3D堆栈布局，Intel高管预测现有的20nm NAND工艺在过一两代就会进入新的3D堆栈时代了。

    　　在上周举办的比利时微电子研究中心技术论坛会议上，Intel高级技术副总、IMFT联合CEO Keyvan Esfarjani谈论了IMFT公司对3D NAND的一些看法。目前的非易失性NAND的Cell单元还是2D排列的，新的3D堆栈NAND将以GAA（Gate All Around）的结构形式将传统的2D Cell单元垂直排列起来。

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