尽管台积电正在探索下一代堆叠式CFET架构晶体管技术，不过A14工艺不太可能采用，更可能依赖于第二代或第三代Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术，这一点应该与N2工艺相同。此外，也不清楚台积电是否会在A14工艺上启用High-NA EUV光刻机，新设备的引入或许会为芯片设计人员和芯片制造商带来一些新挑战。像N2和A14这样的前沿半导体工艺，需要系统级协同优化，才能真正发挥作用，最终将性能、功耗和功能提升到新的水平。

去年三星在“Samsung Foundry Forum 2022”上，公布了未来的技术路线图，其中SF1.4（1.4nm级别）工艺预计会在2027年量产，纳米片的数量从3个增加到4个，有望显著改善性能和功耗的表现。从时间上来看，台积电的A14工艺应该与三星的SF1.4工艺差不多。

对于外界盛传三星在2nm上采降价策略抢夺订单，台积电董事长刘德音表示“客户还是看技术的品质”，似乎对下一代工艺非常有信心。

台积电（TSMC）和三星的3nm制程节点均贡献了营收，为产业带来正面效应，也带动了2023年第三季度前十晶圆代工厂的营收增长，环比增长7.9%至282.9亿美元。

排名第一的台积电受惠于PC、智能手机零部件的急单回补，加上3nm制程节点在本季度贡献了约6%的营收，使得先进制程（7nm及以下）的营收占比已达到近六成，而整体营收环比增长10.2%至172.5亿美元；第二的三星通过高通中低端骁龙5G苹果、基带，还有28nm的OLED DDI等订单加持，整体营收环比增长14.1%至36.9亿美元；第三的格罗方德（GlobalFoundries）与上个季度几乎齐平，约18.5亿美元；虽然排在第四的联华电子（UMC）也得到急单支撑，不过整体营收环比减少1.7%，约18亿美元；中芯国际（SMIC）也优惠于季节性调整，主要以智能手机急单为主，整体营收环比增长3.8%至16.2亿美元。

第六至第十名里，变化最大的是英特尔代工业务（IFS），排名大幅度上升，也首次出现在前十的榜单中。得益于今年下半年笔记本电脑季节性拉货等因素，加上先进制程的贡献，整体营收环比增长34.1%至3.1亿美元，排在了第九位。

展望第四季度，在年底购物旺季的心理预期下，智能手机和笔记本电脑供应链的急单有望延续，其中以前者更为明显，预计2023年第四季度前十晶圆代工厂的营收将继续环比增长，且涨幅高于第三季度。

据TomsHardware报道，半导体分析报告显示台积电拿下了英特尔超过140亿美元的订单，其中2024年将近40亿美元，而2025年则超过100亿美元。据了解，台积电明年底可能会为英特尔准备每月1.5万片晶圆的3nm产能，到了2025年将提高至每月3万片晶圆。最快在2025年，英特尔将成为台积电前三大客户，也是3nm制程节点的第二大客户。

有分析师表示，台积电代工能力太强，直言“一旦使用就很难再回去”，虽然英特尔至今仍然坚持只是外包GPU和I/O模块等芯片，但从Lunar Lake开始，将包括计算模块，这是英特尔首次外包生产高性能x86内核。假设英特尔内部产能不变，每年代工产能加持19~20%总产能，这意味着代工产品的营收贡献在2024年将达到28%，到2025年更是高达44%。

使用台积电代工能带来英特尔诸多好处，包括使用更为先进的工艺技术、降低制造与制程研发成本、节省资本开支以便支付更多现金股利，另外还能降低折旧费用，并且提供更有竞争力的产品价格。

据Wccftech报道，英伟达GPU的供应离不开其主要代工厂台积电（TSMC），而后者的董事长刘德音在近期的采访中表示，确信英伟达在今年底将成为世界上最大的芯片公司，认为英伟达正处于全球半导体供应链的顶端。刘德音还介绍了台积电在人工智能领域的地位，以及所使用的技术方法，通过引入人工智能，可以简化公司运营，并辅助技术研发，提高了整体效率。

几天前英伟达公布的2024财年第三财季财报显示，其营收又一次创下了新纪录，收入为181.2亿美元，同比增长206%，环比增长34%，而且继续在快速增长当中，第四财季预计达到200亿美元。另一方面，AMD和英特尔的季度营收分别为58亿美元和141.6亿美元，这意味着两者相加才与英伟达相当。此外，英伟达目前市值为1.19万亿美元，而AMD和英特尔分别为1980亿美元和1850亿美元。

台积电和英特尔在欧洲新建晶圆厂获得的补贴主要有两个来源：一个是欧盟本身，这是7月份通过的《欧洲芯片法案》的一部分内容；另外一个是各个国家政府，德国政府已经向台积电和英特尔承诺，分别获得大概50亿和100亿欧元的补贴。

据ComputerBase报道，德国宪法法院日前裁定德国联邦政府预算挪用违宪，其中也涉及到对半导体企业的补助，相关资金的审批已经停滞，这些项目的补贴可能会重新审查，存在一定的不确定性，补贴金额可能会被削减甚至取消。

如果得不到及时的政府资金，台积电和英特尔的新建晶圆厂项目可能需要自己额外增加资本支出或者在其他项目里重新分配资金，另外也有可能缩小项目规模、方面项目建设进度、或者寻求其他的投资者。有业界从业人员称，如果补贴承诺无法兑现，可能会对台积电和英特尔的生产和经营方式产生影响。

据DigiTimes报道，台积电2023年全年营收跌幅有可能比预期更小一些，这主要得益于年底前产能利用率回升，而且2024年上半年有可能重新回到80%以上。市场需求主要来自终端设备需求回升和人工智能需求拉升，高通、英伟达和AMD等客户扩大了投片的规模。

另外一个重要因素，是台积电报价1万美元以上的7nm以下工艺占整体营收的比重持续提高，同时CoWoS封装订单也在攀升，而且有着美元强势的加持。当然，台积电头号客户苹果功不可没，有着稳健表现的iPhone，加上各种Mac和iPad新品，报价达2万美元的3nm工艺开始放量明显带动了近期台积电的营收。

有业内人士表示，台积电至今年底，6/7nm产能利用率能守住70%，4/5nm产能利用率接近80%，3nm月产能大概在每月6至7万片晶圆，预计明年底会提升至每月10万片晶圆。不过需要注意的是，台积电3nm工艺的良品率较低，明显影响了毛利率，即便到明年也会有较大压力。

据相关媒体报道，台积电已经计划提高明年月度CoWoS产能目标，在原有基础上提升20%，达到每月35000片晶圆，以满足激增的市场需求。过去一段时间里，由于台积电CoWoS产能不足，导致英伟达数据中心GPU长期供应紧缺，同时其他几间主要的芯片设计公司也希望获得更多的CoWoS产能，以制造更为先进的芯片。

近日台积电董事长刘德音曾向媒体表示，正在努力满足客户对于CoWoS产能的需求，但只能支持大约80%的潜在订单。随着英伟达H200的到来，对CoWoS产能的需求只高不低，有消息人士称，可能要消耗掉台积电60%的CoWoS产能。

事实上，提高先进封装的产能并不完全在台积电的掌控范围内，毕竟需要供应链的配合，比如材料也要相对应增加产量。台积电总裁兼联合行政总裁魏哲家已经表态，到2024年底要将CoWoS产能翻一番，这是现阶段制约先进芯片生产的关键点。

据Wccftech报道，经过台积电的不断努力，目前CoWoS封装产能已提高至每月15000片，英伟达占用了其中40%的部分，而AMD则占据了8%。英伟达急剧增加的订单也促使台积电在今年早些时候启动了对应的流程，以应付CoWoS封装产能的提升。传闻到2024年上半年，台积电可能会将CoWoS封装产能进一步提高至每月20000片。

如果对比之前报道中出现的数据，可以发现台积电的CoWoS封装产能提升速度比预期的要更快。数月前有消息称，台积电计划2023年底前将现有的CoWoS封装产能从每月8000片提高到11000片，到2024年底时再进一步提高到14500片至16600片，现在台积电已提前达成目标。

此外，台积电还与多家企业合作，将部分封装订单外包出去，这可以提升20%的产能。其中包括了日月光（ASE）和联华电子（UMC）都在9月接到了订单，在英伟达的封装供应链中发挥关键作用。英伟达正计划将其封装供应链多元化，已联系日月光和联华电子提供相关技术，作为台积电的后备缓解部分压力。

在英特尔看来，Intel 20A和Intel 18A分别属于2nm和1.8nm级别，有可能比台积电同级别制造工艺更早上线，而且有RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术加持，所以技术上领先于对方。显然台积电持不同的看法，虽然其3nm制程节点的N3、N3E、N3P和N3X等工艺仅依赖于成熟的FinFET晶体管和传统的供电设计，但是技术运用上更为娴熟，实际效果并不比对方差。

台积电计划在2nm制程节点采用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，同时将使用背面供电（BSPD）技术来提高性能，制造的过程仍依赖于现有的极紫外（EUV）光刻技术。台积电认为引入新一代技术后，N2工艺将在功率、性能、面积上全面胜出。

台积电在2023年第三季度的净利润为2110亿新台币（约合人民币477.28亿元），摊薄后每股收益为新台币8.14元（1.29美元每ADR单位），相比去年同期两者均减少了24.9%。如果与2023年第二季度的财报比较，2023年第三季度的净利润增加了16.1%。

在2023年第二季度，台积电的毛利率、营业利润率和税后纯益率分别为54.1%、42%和37.8%。到了2023年第三季度，台积电的毛利率略微增加至54.3%，营业利润率降至41.7%，同时税后纯益率增加到38.6%。

在2023年第三季度里，3nm、5nm和7nm工艺的出货量分别占总收入的6%、37%和16%，三者相加达到了销售金额的59%，高于上一季度的53%，随着3nm工艺进入大批量生产阶段，目前先进工艺占据了台积电接近六成的收入。目前在台积电的定义里，7nm或更先进的工艺都称为先进工艺。

台积电表示，2023年第三季度的营收得益于3nm工艺的量产和市场对5nm工艺有了更大的需求，不过部分收益被客户持续的库存调整所抵消。台积电预计2023年第四季度的业绩得到3nm工艺的有力支持，不过部分增益仍会被客户的库存调整抵消，该季度的收入将在188亿美元至196亿美元之间（假设新台币兑换美元的平均汇率为32兑1），毛利率在51.5%至53.5%之间，营业利润率在39.5%至41.5%之间。

张忠谋表示，尽管台积电的成功要归功于运营效率和大量投资研发，但随着地缘政治变化和竞争加剧，接下来台积电将面临越来越多的困难。虽然英特尔近两年不断推动其IDM 2.0战略，为打造世界一流的英特尔代工服务（IFS）投入了不少资源，同时还得到了美国政府的大力支持，但张忠谋认为英特尔不会对台积电构成实质性的威胁，除非在技术、良品率和定价等方面都提升至台积电的水平才会有机会。张忠谋并不太担心这种情况发生，称台积电可以克服困难，而英特尔代工服务仍将继续停留在台积电阴影下。

此外，张忠谋强调了半导体行业全球化和自由贸易的趋势减弱，原有的政策和商业战略被国家安全问题所取代，不过台积电依然能在半导体供应链中扮演重要角色。由于地缘政治紧张局势加剧，其他竞争对手可能会利用这一点来获得与台积电竞争中的优势，台积电将面临更多的挑战。

CFET晶体管将n和p两种MOS器件相互堆叠在一起，需要使用高精度和高功率的High-NA EUV光刻机来制造。其概念最初由IMEC研究所于2018年提出，虽然早期探索研究主要集中在学术界，不过英特尔和台积电已经冒险进入该领域，积极展开下一代晶体管架构的研究。

目前英特尔已建立了一个单片式3D CFET，将三条n-FET纳米片分布覆盖在三条p-FET纳米片之上，并保持30nm的垂直间隙。英特尔将报告取名为“采用电源通孔和直接背面组件触点60nm栅极间距的堆栈式CMOS逆变器演示”，描述了在60nm栅极间距上使用CFET的功能逆变器测试电路。该设计还采用垂直分层双电源漏外延和双金属闸极堆栈，并结合了英特尔的PowerVia背面供电技术。

台积电将讨论其实际操作CFET的方法，这是为制造逻辑芯片而量身定制的，具有48nm栅极间距。台积电的设计强调了层状n型纳米片晶体管置于p型晶体管之上，使其具有跨越六个数量级的开/关电流比。台积电已经证明了其设计的耐用性，90%以上的晶体管成功经受住了测试。不过台积电也承认，要充分利用CFET技术的能力，还有更多的功能需要吸收，目前正在进行的工作是实现这一目标的关键一步。

CFET技术为晶体管设计带来了明显的转变，其允许垂直堆栈两个晶体管安装在一个晶体管的面积内，可进一步提升芯片上晶体管的密度。这种设计不仅为提高空间使用提供解决方案，而且还促进了更精简的CMOS逻辑电路布局，有利于提高设计效率。CFET的既有结构可以减少寄生效应，从而为提高性能和功率效率创造了可能。此外，还能与背面供电等新技术相结合，可简化制程技术的复杂性。

据ChosunBiz报道，虽然三星和台积电都已量产了3nm工艺，不过两者都遇到了良品率方面的问题，都正在努力提高良品率及产量。三星在3nm工艺上采用下一代GAA（Gate-All-Around）晶体管技术，而台积电沿用了原有的FinFET晶体管技术，无论如何取舍和选择，似乎都没有逃过同一个难题，在新的制程节点都没有达到预期的良品率。

按照台积电的规划，在3nm制程节点上至少有5个不同的工艺，其中2个可以投产，接下来还会有N3P、N3X和N3AE。相比之下三星规划的工艺数量更少一些，只有3个，且仅有1个投产，就是目前称为3GAE的工艺，未来还会有3GAP和3GAP+。

据了解，目前三星和台积电在3nm工艺上的良品率分别为60%和50%，距离70%的及格线显然还差不少。从纸面数据来看，三星的良品率更高一些，但其基于的数字局限于某款加密货币所使用的专用芯片上，显然缺乏说服力。有业内人士表示，三星实际的良品率可能还不到50%，想要吸引大客户至少要达到70%以上。

去年台积电带来了3Dblox开放标准，旨在模块化和简化半导体行业的3D IC设计解决方案，现在已成为未来3D集成电路发展的关键推动者。台积电在今年的OIP论坛上，宣布推出新的3Dblox 2.0开放标准，具备早期3D IC设计能力，以进一步提高设计效率。台积电还会成立3Dblox委员会，作为一个独立的标准组织，目标是创建一个行业范围的规范，使系统设计能够使用来自任何供应商的小芯片。

3Dblox 2.0通过创新的早期设计解决方案，为3D架构探索提供了可行性研究，业界首次将功率规格和3D物理结构放在一个整体环境中，并模拟整个3D IC系统的功率和发热。同时3Dblox 2.0还支持芯片设计重用功能，如芯片镜像，以进一步提高设计效率。目前3Dblox 2.0已赢得了台积电EDA主要合作伙伴的支持，开发了完全支持台积电所有3DFabric产品的设计解决方案。

在过去一年里，3DFabric联盟发展迅速，继续推动存储、基板、测试、制造及封装集成的发展，使其全面的3D芯片堆叠和先进的封装技术更容易为每个客户所使用。目前台积电致力于为客户提供全方位的成熟解决方案和服务，3DFabric联盟的合作伙伴数量也由最初的19个增加至21个。

AMD最早采用3nm工艺的是EPYC服务器处理器，如无意外也会在2024年下半年出现。随着市场回暖，高通和联发科也计划在2024年下半年采用台积电的3nm工艺。虽然三星更早进入3nm代工市场，不过截至目前几乎所有大的订单都是集中在台积电手上。

此前有报道称，台积电的3nm产能利用率可能会下降，2024至2025年年间大概在每月7万片到8万片晶圆。即便现在接连传出利好消息，台积电的3nm产能规划仍然比较保守，现阶段对2024年3nm月产能规划也就提升至10万片晶圆。

值得注意的还有英特尔，由于高度不确定性，台积电并没有将其纳入统计中。如果下一代Arrow Lake如传言那样将部分计算模块改用台积电的3nm工艺，那就是额外的进补。