据Wccftech报道，近日Galaxy S24 FE已通过FCC认证，型号为SM-721U，按照三星的安排，大概会在今年10月左右发布。随后有网友透露了更多有关Galaxy S24 FE的细节信息，比如高度和宽度的尺寸为162 x 77.3 mm，采用了直屏和圆角边缘设计，比起Galaxy S24的147 x 70.6 mm更为宽大。

另外的信息显示，Galaxy S24 FE配备了EB-BS721ABE / EB-BS721ABY电池，充电器型号为EP-TA800，属于25W充电器。同时Galaxy S24 FE支持Wi-Fi 6E无线网络，以改善连接体验，并支持最高9W的反向无线充电。

前一段时间还有报道称，Galaxy S24 FE搭载的SoC是Exynos 2400e，频率比标准版本低一些，搭配8GB容量的内存，屏幕为6.7英寸的直屏，支持120Hz刷新率，峰值亮度可达1900尼特，边框厚度为1.99mm，内置4564mAh容量的电池，采用Android 14系统，提供了蓝色、黑色、石墨色、绿色和黄色五种颜色可选。

此外，新机型也将支持包含括圈选即搜、Portrait Studio、Generative Edit、Sketch to Image 和 Live Translate等Galaxy AI功能。

据Notebookcheck报道，三星最终在Galaxy S25系列上很可能会选择让高通第四代骁龙8独占，不过这并不代表三星已经放弃了Exynos 2500，仍然计划用在明年晚些时候的Galaxy Z Flip 7和Galaxy Z Fold 7两款折叠屏手机上首次亮相。

对部分性能要求较高的用户来说，三星没有执行双平台策略，在不同地区销售搭载不同处理器的版本，这是一件好事。另一方面，大家也好奇Exynos 2500究竟是怎么了，到底是什么原因陷入了困境。今年三星将带来第二代3nm工艺技术，也就是SF3（3GAP）。Exynos 2500在三星内部被称为“Dream Chip”，传闻是其首款采用SF3工艺制造的智能手机SoC，被寄予厚望，但过去几个月里三星已尽了最大的努力，可是情况似乎没有什么改善。

有消息称，高通采用台积电（TSMC）N3E工艺制造的第四代骁龙8的定价将比上一代芯片（第三代骁龙8约200美元）上涨25%，预计超过250美元。三星一直希望尽可能使用更多Exynos芯片，以降低智能手机的成本。目前Galaxy S24系列里，Exynos芯片占比为40%，骁龙芯片占比为60%。如果Galaxy S25系列全部改用骁龙芯片，三星想维持定价及利润率，要不在其他配置上做出妥协，要不只能继续提高新产品的定价，大概率会选择后者。

据相关媒体报道，有消息人士透露，诺基亚对自身的移动网络业务做了评估，初步判定价值约为100亿美元，而三星已表达了兴趣，有意收购部分资产，以扩大其在无线网络中的影响力，提升用户将手机连接到电信基础设施的使用体验。

诺基亚曾经是最为顶级的手机供应商，不过在市场份额丢失给苹果和三星后，最终选择出售了手机业务。从那时起，诺基亚将重点转移到生产通信网络设备上，包括为移动设备传输信号的硬件。在5G网络升级的早期阶段，移动通信市场中电信服务提供商的需求强劲，然而近年网络升级放缓，使得市场需求下降，诺基亚所在的欧洲地区尤为明显。一系列市场信号使得诺基亚转向寻找新的商机，以减少对电信网络部署市场的依赖。

对于以上的市场传言，三星拒绝发表评论，而诺基亚则表示，将致力于移动网络业务的成功，这对其具有高度的战略重要性。

三星内存业务副总裁兼汽车集团负责人Hyunduk Cho表示：“高通拥有广泛的汽车AEC-Q1001认证（针对车用封装集成电路的压力测试认证）DRAM和NAND产品阵容，是长期客户解决方案的理想合作伙伴。通过三星在内存解决方案设计、制造和封装方面的领导地位，我们与高通的合作可以帮助支持快速开发周期，同时确保可靠性、验证和卓越的产品控制，这对汽车行业至关重要。”

三星称，车用LPDDR4X认证意味着其致力于为客户提供各种汽车应用新产品和技术的长期支持，也有助于确保强大的供应链稳定性，并加强对使用Snapdragon Digital Chassis的生态系统合作伙伴的支持。此外，三星还在开发下一代车用LPDDR5，预计今年第四季度带来样品，将提供目前车用内存的最高速度，达到9.6 Gbps，即便在极端温度下也能充分发挥性能

据TrendForce报道，最近三星晶圆代工PDK开发团队的高级副总裁Lee Sun-Jae在活动上，介绍了BSPDN背面供电技术的一些情况，表示相较于传统的FSPDN供电方式，在同样是2nm芯片的情况下，采用BSPDN的SF2Z工艺可以减少约17%的芯片面积，并为能效和性能带来约15%和8%的提升。此外，通过背面供电技术，可以消除供电线路和信号线路之间的瓶颈，更轻松地生产出更小的芯片。

按照三星在2nm制程节点上面的规划，初代的SF2工艺将于2025年量产，2026年则会推出改进的SF2P工艺以及面向HPC/AI应用的SF2X工艺，2027年则会有加入BSPDN背面供电技术的SF2Z工艺，同样面向HPC/AI应用，另外同年还会有用于车用芯片的SF2A工艺。

除了三星以外，英特尔和台积电也有类似的技术。英特尔的是PowerVia技术，计划在Intel 20A制程节点首次引入，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。台积电所采用的超级电轨（Super Power Rail）架构被认为是最直接有效的解决方案，适用于具有复杂讯号及密集供电网络的HPC产品，预计2026年量产，将大规模应用于A16制程工艺上。

三星电子视觉显示业务企业团队执行副总裁Hoon Chung表示：“我们很高兴在全球最大的游戏展览会Gamescom上展示我们的裸眼3D游戏显示器。三星始终致力于通过不断开发可增强游戏体验的尖端技术，来引领高端游戏显示器市场。”

Odyssey 3D的光场显示技术（Light Field Display，LFD）通过使用前面板上的透镜，从2D内容中创建逼真的3D图像，并结合眼动追踪和视图映射技术，为用户的双眼提供不同画面，无需单独的3D眼镜。眼动追踪系统使用了内置的立体摄像头监控双眼的运动，而视图映射系统则不断调整图像以增强深度感知。用户可以根据自己的喜欢，在2D和3D模式之间无缝切换。

“Odyssey 3D”游戏显示器提供了27英寸和37英寸两种尺寸可选，具有4K分辨率，响应时间（GtG）为1ms，刷新率达到了165Hz，确保了流畅且不间断的游戏体验。同时三星还采用了人体工程学设计，配备了可调支架，带有高度和倾斜调节功能，支持FreeSync Premium技术，配有一个DisplayPort 1.4端口和两个HDMI 2.1端口。

据Business Korea报道，三星计划减少对ASML下一代High-NA EUV光刻机的采购数量，另外与ASML合作的研发中心计划也很可能陷入僵局。传闻三星原计划未来十年内购入三款型号的下一代High-NA EUV光刻设备，包括TWINSCAN EXE:5200/5400/5600，但是现在决定只引入TWINSCAN EXE:5200，未来适当的时候再重新考虑后续版本问题。

这一决定是三星DS（设备解决方案）部门更换新负责人，审查正在进行的项目和投资之后做出的。随着三星计划的变更，相关进程已经完全停止，也让联合研发中心计划打上了问号，究竟是更换建造地点还是完全取消项目，三星和ASML还需要进一步讨论。

有三星内部人士透露，尽管计划进行了修订，但引进High-NA EUV光刻机的计划没有变，并确保联合研发中心建造在合适的位置。

据相关媒体报道，目前三星在HBM市场上落后于SK海力士，不过希望押注了下一代CXL内存模块，预计今年下半年开始出货。三星认为CXL是继HBM之后引领存储器市场的新技术，将成为人工智能（AI）领域的后起之秀，打算加大投入，加速CXL技术开发抢占先机。

三星内存部门新业务规划团队负责人Choi Jang Seok在上个月的活动上，确认三星计划今年年底之前批量生产支持CXL 2.0的256GB CXL DRAM，称CXL市场预计下半年开始进入蓬勃发展阶段，到2028年将呈现爆炸性增长。去年末，三星宣布与开源软件供应商Red Hat合作，在实际用户环境中成功验证了CXL内存模块的操作，进一步扩展了CXL生态系统。

根据市场调查机构的数据，全球CXL市场预计从2022年的170万美元增长2028年的150亿美元。

据The Elec报道，三星将在年底前流片HBM4，属于第六代HBM产品，此举被认为是为2025年底大规模生产奠定基础。由于从流片到最终确定测试产品之间的时间跨度可能在三到四个月之间，三星的HBM4测试产品预计最早会在明年初发布，之后三星将继续做改进，直到将样品发送给主要客户。

三星的HBM4为12层垂直堆叠，打算选择4nm工艺用于大规模生产HBM4的基础裸片，并采用1cnm工艺制造DRAM芯片。虽然相比于7/8nm工艺，采用4nm工艺的成本要高得多，但是会带来更好的芯片性能，同时能耗方面也有更明显的优势。三星目前采用10nm工艺生产HBM3E的基础裸片，在新一代HBM4上换成4nm工艺可以增强其在HBM领域的竞争优势。

竞争对手SK海力士计划2025年下半年量产12层垂直堆叠的HBM4，打算采用台积电（TSMC）的N5和N12FFC+工艺制造基础裸片，DRAM芯片则是在1β (b) nm和1cnm之间做选择。有消息称，SK海力士原本更倾向于1β (b) nm工艺，但是随着三星采用1cnm工艺制造DRAM芯片，内部最后有可能决定追随三星的做法，换成1cnm工艺。

据相关媒体报道，三星将于2024年第四季度到2025年第一季度之间开始安装其首台High-NA EUV光刻机，主要用于技术研发，将安装在华城园区，预计2025年中开始使用。三星已决定开发用于逻辑和DRAM芯片的下一代半导体制造工艺，一些技术需要通过High-NA EUV光刻机实现。此外，三星还与Lasertec、JSR、Tokyo Electron和Synopsys合作，打造High-NA EUV生态系统。

据了解，ASML手上已经受到了十多台High-NA EUV光刻机的订单，除了英特尔，还包括台积电、三星、SK海力士、以及美光。此前ASML证实了台积电将在今年引入High-NA EUV光刻机，传闻三星和SK海力士则要等到明年，预计在2025年下半年。不过按照现在的情况来看，三星可能会早于台积电拿到High-NA EUV光刻机。

High-NA EUV光刻机是具有高数值孔径和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光大批量生产系统，用于制造3nm以下的芯片。其提供了0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。有消息称，一台High-NA EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV（约1.83亿美元）的两倍多。

据TrendForce报道，面对日益增长的市场需求和内存行业的持续复苏，三星将选择在其平泽P4工厂建设第六代10nm级别的DRAM生产线，目标是在2025年6月开始量产。尽管暂时落后于SK海力士，但是三星决心赶上进度，为接下来的大规模生产做好准备。

三星的平泽P4工厂是一个综合性半导体生产中心，分为四个建设阶段。原计划一期工程于2022年开始动工建设，并于今年开始运营。不过在完成了P4大楼和必要的基础设施（比如水和电）之后，三星就没有继续建设生产线了。这是由于之前半导体市场低迷，三星只能选择通过缩小规模的策略来减少损失。

随着半导体市场在去年下半年开始复苏，三星开始转向扩张和投资，计划在P4设施中安装NAND闪存生产设备，并对1cnm DRAM生产线进行投资。三星希望在2025年下半年，能使用这条生产线制造新一代HBM4芯片。毕竟HBM产品的生产消耗要大于普通DRAM，需要更高的产能应对。

玄龙骑士G80SD具有超薄流线型设计，背后带有涡轮灯环+，可以营造时尚氛围，让玩家打造自己的舒适空间。其采用的是三星原厂新一代32英寸QD-OLED屏幕，支持量子点技术，色深为10bit，可视角度为178度（水平和垂直），带有防反光设计，分辨率为3840 x 2160，刷新率最高可达240Hz，响应时间（GtG）为0.03ms，典型亮度为250尼特，静态对比度为1000000:1，DCI-P3色域为99%。该款显示器搭载三星NQ8 AI第三代处理器，支持HDR10、可变刷新率（VRR）和AMD FreeSync Premium Pro技术，有效降低了延迟，避免了画面撕裂。

该款显示器搭载三星 NQ8 AI Gen3处理器，内置了Tizen智能系统。借助游戏中心（Game Hub），无需下载，即可方便地访问云游戏，还能通过AI增强功能将游戏画质提升至接近4K分辨率。用户还能将玄龙骑士G80SD作为三星流媒体服务的显示平台，观看经常的节目和直播内容，无需下载或注册。利用AI技术，通过AI动态增强Pro功能可以呈现逼真画质、流畅运动影像和清晰的字幕效果，提高运动赛事类的流媒体内容细节。此外，智能控声Pro和内置扬声器进一步提升了音频水平。

玄龙骑士G80SD配备了两个HDMI 2.1接口、一个DisplayPort 1.4a接口、以及一个3.5mm音频插孔，并带有USB集线器功能，提供了两个USB 3.0接口。其配备了人体工学底座，具有0至120mm升降高度、-30°至30°水平旋转、-2°至25°前后俯仰、以及-92°至92°垂直旋转。另外还支持100 x 100 mm规格的VESA壁挂，便于玩家使用悬臂支架。

据The Japan Times报道，三星的HBM3E终于通过了英伟达的所有测试项目，这将有利于其与SK海力士和美光争夺英伟达计算卡所需要的HBM3E芯片订单。虽然三星和英伟达还没有最终确定供应协议，但是问题不大，预计今年底开始交付。

值得一提的是，三星还有更先进的12层垂直堆叠HBM3E（32GB）样品，正在努力通过英伟达的验证测试。有行业专业指出，SK海力士也准备了12层垂直堆叠的HBM3E产品，三星总体进度上仍然要落后一些。SK海力士一直是英伟达主要的HBM产品供应商，而美光之前已开始向英伟达供应HBM3E芯片，逐渐提升了市场占有率。

随着人工智能（AI）市场的快速增长，HBM技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片来显著提高数据处理速度，已经变得越来越重要。随着三星的HBM3E开始通过英伟达的验证，预计至少20%到30%的产能转移到HBM产品，这将进一步收缩普通DRAM芯片的供应，很可能会推动DDR5内存价格上涨。

玄龙骑士G80SD具有超薄流线型设计，背后带有涡轮灯环+，可以营造时尚氛围，让玩家打造自己的舒适空间。其采用的是三星原厂新一代32英寸QD-OLED屏幕，支持量子点技术，色深为10bit，可视角度为178度（水平和垂直），带有防反光设计，分辨率为3840 x 2160，刷新率最高可达240Hz，响应时间（GtG）为0.03ms，静态对比度为1000000:1，DCI-P3色域为99%。该款显示器搭载三星NQ8 AI第三代处理器，支持HDR10、可变刷新率（VRR）和AMD FreeSync Premium Pro技术，有效降低了延迟，避免了画面撕裂。

玄龙骑士G80SD配备了两个HDMI 2.1接口、一个DisplayPort 1.4a接口、以及一个3.5mm音频插孔，并带有USB集线器功能，提供了两个USB 3.0接口。其配备了人体工学底座，具有0至120mm升降高度、-30°至30°水平旋转、-2°至25°前后俯仰、以及-92°至92°垂直旋转。另外还支持100 x 100 mm规格的VESA壁挂，便于玩家使用悬臂支架。