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◆ DDR3：延迟真的上升？
DDR3
| DDR2
| |
| CL(CAS潜伏期) | 5/6/7/8/9/10/11 | 3/4/5/6 |
| AL(附加潜伏期) | 0/CL-1/CL-2 | 0/1/2/3/4 |
| RL(读取潜伏期) | AL+CL | AL+CL |
| WL(写入潜伏期) | AL+CWL CWL=5/6/7/8 | RL-1 |
DDR3的I/O频率相比DDR2有了成倍的增加，为了保证高频率下数据精确的传递，DDR3的总体延迟相比DDR2有所提高。这样的情况在DDR2替代DDR时也发生过，这些延迟的提高降低了内存频率提升带来的收益，现时的DDR3同样无法回避。
DDR2的CL值为3-6，而DDR3则在5-11范围内：DDR3-800（5-6）、DDR3-1066（6-8）、DDR3-1333（7-10）、DDR3-1600（8-11）。在AL（附加潜伏期）上，也有所变化，DDR2时AL的范围是0-4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。同时，DDR3的WL（写入潜伏期）也比DDR2要高。
在很多天前，三星的半导体记忆体产品专家指出，片面地认为CL数值大就是DDR3延迟表现不及DDR2，是完全错误无知的观念。他指出，事实上，JEDEC定下的DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5及DDR2-800的 CL6-6-6，其记忆体延迟均为15ns。
三星专家称，要计算整个内存模组的延迟值，还需要把内存颗粒运行频率计算在内。如果DDR3-1066、DDR3-1333及DDR3-1600的CL值分别为7-7-7、8-8-8及9-9-9，把内存颗粒运行频率计算在内，其延迟值应为13.125ns（7*1000/533.33）、12.0ns及11.25ns，相比DDR2改善约25%，因此把CAS数值当成内存的延迟值是不正确的。
显然，CL和延迟值这是两个不同的概念，一个单位是时钟周期，如CL=5，表示CL值为5个周期，而三星专家所说的延迟值，是延迟的绝对时间，单位是ns，频率越高，自然一个周期所用的绝对时间也越短。当我们还在为DDR3 CL上升耿耿于怀时，绝对延迟值其实已经在降低了。
Super Talent低延迟DDR3-1600(7-7-7)，售价648美元 |
其实我们不必过份担心，DDR2不是一样成为今日内存市场王者么？高端内存厂商肯定会推出低延迟的DDR3产品，比如Super Talent前些时就发布了一款低延迟DDR3-1600套装W1600UX2G7，工作电压1.8V，延迟是7-7-7-18，当然售价也不便宜，高达648美元(人民币5000元)。
