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◆ DDR3内存的优势
在最近的那次IDF上，英特尔对DDR3内存的优势以简明的文字作了概括：
和上一代的DDR2相比，DDR3在许多方面作了新的规范，比如核心电压降低了，预取设计增加了等，这些设计都是围绕着高速度低功耗这一特点来进行的。
DDR3
| DDR2
| |
电压 VDD/VDDQ
| 1.5V/1.5V (+/-0.075) | 1.8V/1.8V (+/-0.1) |
I/O接口
| SSTL_15 | SSTL_18 |
数据传输率(Mbps)
| 800/1066/1333/1600 | 400/533/667/800 |
容量标准
| 512MB-8GB | 256MB-4GB |
CL(CAS潜伏期)
| 5/6/7/8/9/10/11 | 3/4/5/6 |
AL(附加潜伏期)
| 0/CL-1/CL-2 | 0/1/2/3/4 |
RL(读取潜伏期)
| AL+CL | AL+CL |
WL(写入潜伏期)
| AL+CWL CWL=5/6/7/8 | RL-1 |
预取设计(bit)
| 8 | 4 |
逻辑Bank数量
| 8（512MB/1GB/2GB/4GB/8GB） 16 | 4（256MB/512MB） 8（1GB/2GB/4GB） |
突发长度
| BC4/BL8 | BL4/BL8 |
封装
| FBGA 78-ball:x4/x8 96-ball:x16 | FBGA |
引脚标准
| 240Pin DIMM | 240Pin DIMM |
DDR3和DDR2基本规格对比 |
在上面那张规格对比表上，能看到DDR3相对于DDR2作了许多改良性和突破性的设计，在接下来的文章中，我们将尽可能用浅显的文字去理解DDR3的一些重要设计。
