SK海力士将清州M15X定为DRAM生产基地，以应对HBM需求的大幅增长
随着人工智能时代的到来，半导体业界认为DRAM市场进入了中长期增长时代。SK海力士预计HBM的年均增长率将达到60%以上，以面向服务器的高容量DDR5模块为主的普通DRAM产品需求也将持续增…
复仇者RGB SL DDR5内存有多个规格，频率涵盖6400MHz、6800MHz和7200MHz，单条容量则有16GB和32GB两种，最大可提供64GB （32GB×2），目前只有Intel XMP 3.0版本，可选择黑色或白色。此次我们拿到了黑色版本的DDR5-6400 32GB（16GB×2）套条，下面就来看看这套复仇者RGB SL内存究竟表现如何。
企业级QLC SSD出货位元快速增长：AI需求推动，Solidigm受益最多
企业级QLC SSD在AI应用搭载提升可能有两个原因，一个是读取速度，另一个是TCO优势。由于AI推理服务器在工作负载中主要以读取为主，写入次数不如AI训练服务器频繁，如果与HDD相比，企业…
传三星与AMD签订价值30亿美元的新协议：将供应12层堆叠的HBM3E
三星的HBM3E 12H DRAM提供了高达1280GB/s的带宽，加上36GB容量，均比起之前的8层堆栈产品提高了50%。由于采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层产品与8层产品有着相同的…
SK海力士将选择台积电7nm工艺，用于生产HBM4的基础裸片
SK海力士包括HBM3E（第五代HBM产品）在内的HBM产品，都是基于自身制程工艺制造了基础裸片，但HBM4选择台积电的先进逻辑工艺，以便增加更多的功能。双方还计划将SK海力士的HBM产品和…
Rambus发布GDDR7控制器IP：面向AI 2.0的内存解决方案
Rambus称，新款GDDR7控制器IP将在下一波AI推理浪潮中提供服务器和客户端所需的突破性内存吞吐量，提供了功能齐全、带宽效率高的解决方案。
铠侠出样最新一代UFS 4.0闪存芯片：顺序写入速度提升15%，封装尺寸更小
铠侠在今天宣布出样最新一代UFS 4.0闪存芯片，新产品提供256GB、512GB和1TB容量规格，可用于包括高端智能手机在内的下一代移动端应用产品。与上一代UFS 4.0产品相比，新闪存芯片的顺序写入速度提升15%，随机写入速度提升了50%，随机读取速度提升30%，顺序读取速度不变，依旧维持在4640MB/s。
三星宣布投产第九代V-NAND闪存：存储密度较上代提升了50%
三星今天宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存，首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存，新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力，巩固其领导地位。
三星BAR升级版+国行版U盘上市：读速最高可达400MB/s，售价79.9元起
近日三星正式在京东自营店铺上架了全新的三星BAR升级版+国行版U盘。这是一款采用USB 3.2 Gen1 Type-A接口的高性能便携闪存盘，最高可提供400MB/s的读取速度，写入速度则低于读取速…
盈通近年来凭借萌宠风和动漫风的显卡外观设计，逐渐在玩家群体中获得不少认同，其中“樱瞳花嫁”系列以靓丽的代言形象成为盈通显卡中人气最高产品线。如今盈通想把“樱瞳花嫁”系列引入到其他类型的硬件当中，而樱瞳花嫁内存显然是一个不错的选择。
AI产业带动大容量HDD需求，希捷跟进西部数据涨价
据TechNews报道，继西部数据发函通知客户上调NAND闪存和HDD产品的价格后，希捷也于近日通知其合作伙伴，表示将对新订单和额外需求进行涨价，并且此轮涨价将会持续至未来几个季度。
三星和SK海力士竞争升级：争夺下一代AI半导体市场主导权
在进入人工智能（AI）时代后，两大存储器生产厂商三星和SK海力士的竞争不断升级。双方都在努力通过加快新产品的开发和批量生产，以抢夺市场先机，争夺下一代人工智能半导体市场的主导…
JEDEC更新DDR5内存标准：引入PRAC方案，速率提升至8800Mbps
在JESD79-5C DDR5 SDRAM标准里，JEDEC固态技术协会引入了一种创新的解决方案来提高DRAM数据完整性，称为PRAC，将根据字行粒度精确计算DRAM激活次数。
铠侠推出EXCERIA G2极至瞬速SD存储卡：最大可选1TB，支持4K视频拍摄
EXCERIA G2极至瞬速SD存储卡整体尺寸为32.0 x 24.0 x 2.1 mm，重量约为2g，采用了UHS-I接口，提供了100 MB/s的读取速度和50 MB/s的写入速度，支持UHS Speed Class 3（U3）和Video Speed …
SK海力士和台积电签署谅解备忘录，在HBM4研发和下一代封装技术上展开合作
SK海力士表示：“公司作为AI应用的存储器领域的领先者，与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作，将会继续引领HBM技术创新。通过以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方技术合作的…
三星HBM4计划2025年首次亮相：将有16层堆叠，改用3D封装
近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长，各大厂商也加大了这方面的投入。
铠侠连续亏损后再次寻求IPO，最快今年10月在东京上市融资
目前铠侠的多数股权是由私募股权公司贝恩资本牵头的投资者集团持有，传闻已经向交易银行传达了力争IPO的想法。
十铨科技发布MP44Q M.2 PCIe 4.0 SSD：最大可选4TB，紧随大容量需求趋势
MP44Q SSD为M.2 2280规格，采用了PCIe 4.0 x4接口，支持SLC缓存技术，以低功耗等优势，满足所有文书处理机应用存储，大幅提升工作效率。其搭载了十铨科技独家的超薄石墨烯散热标签贴，…
三星推出速率达10.7Gbps的LPDDR5X：专为人工智能应用优化
三星电子内存业务内存产品规划执行副总裁YongCheol Bae表示：“随着对低功耗、高性能内存需求的增加，LPDDR DRAM的应用领域有望从主要的移动领域扩展到PC、加速器、服务器和汽车等其…
美光宣布量产232层QLC NAND闪存，将供应给客户端和数据中心产品
美光表示，这次四层单元的NAND闪存新品是一项突破性的成就，提供了前所未有的层数和密度，可实现比以往NAND闪存更高的存储密度和设计灵活性，并缩短了访问时间。
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