前程如花之未来王者 DDR3深度评测

◆ DDR3：向高密度高容量发展

　　随着应用程序的发展，尤其是Windows Vista操作系统的普及，大容量的内存越来越被人渴求。在2007年，1GB容量的内存无疑占据市场绝对主流，到了明年，2GB容量的内存需求量势必大增。

　　高密度的内存颗粒也是DDR3改进之一。和DDR2的256MB-4GB的容量相比，DDR3最高能达到8GB的容量。8GB仅仅是在8个逻辑Bank情况下达到的容量，实际上DDR3为了应对未来大容量芯片的需求，还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

　　关于逻辑Bank，前面小知识作过介绍，它是由很多个存储单元（Cell）纵横交错组成的阵列，简单地来说，内存的容量=存储单元总数*存储单元容量（常见的内存容量标注都是采用这种方式，如前面介绍过Elixir展示的512MB的DDR3内存容量表示为64M*64，其中64M表示有64M个存储单元，单个存储单元容量为64bit），而存储单元总数=行*列*逻辑Bank数量，逻辑Bank数量的增加，对内存容量增加是显而易见的。

　　但是，作为同样有8个逻辑Bank的DDR2，为什么它最大内存容量只能达到4GB，而DDR3却能达到8GB呢？这是因为DDR3的单个存储单元容量要比DDR2的存储单元容量大，这也是为什么说DDR3的内存颗粒是高密度颗粒。

　　不过，最根本的问题是，为什么DDR3存储单元容量会比DDR2大？我们把这个问题留给读者朋友去思考，结合前面讲过的8-bit预取技术，是很容易找到答案的。

　　随着高密度的DDR3内存颗粒的普及应用，对于降低高容量内存成本以及减少封装成本都是大有帮助的，这将会推动DDR3内存的普及速度。

　　从性能的角度来考虑，拥有更多的逻辑Bank数则意味着具有较少的Bank冲突，寻址流更加短暂随意，可以提高寻址命中率和降低潜伏周期。当然，更多的逻辑Bank也使工艺趋于复杂，成本增加。早期的Rambus拥有32个逻辑Bank，也是当时价格昂贵的原因之一。目前来看，8个逻辑Bank是在性能与成本间比较好的平衡选择。