DDR3L-RS标准此前被称之为DDR3Lm，通过降低自我刷新耗电量(IDD6)来降低整体功耗，电压为标准的1.35V，同时能提供与标准DDR3相同的性能、质量和可靠性，运行频率有667/800MHz两种。

　　美光的首批DDR3L-RS内存芯片采用30nm工艺制造，FBGA封装，容量暂时有2Gb(128Mb×16/256Mb×8)和4Gb(256Mb×16/512Mb×8/1Gb×4)两种规格，已经通过Intel Ivy Bridge新平台的认证。

　　除了上面两种规格，美光还在试产更大容量的8Gb DDR3L-RS，运行频率800MHz，预计今年12月份量产。而下一代DDR4内存规格的新型DDR4-RS则可能在2013年年初推出。

　　美光官方对于DDR3L-RS的介绍链接：http://www.micron.com/products/dram/ddr3-sdram#ddr3l-rs

　　美光称，在2012年以及往后的一段时间内，DDR3内存芯片都是主流的存在，即使DDR4内存登场，DDR3也不会马上离开市场。因此可以预见，这种高速型DDR3内存芯片在SoC或者是入门级独显领域将很受欢迎。而且得益于30nm制程工艺，新的内存芯片可运行在更低的电压下，功耗也得到了降低，对移动设备来说也是一个理想选择。

　　据称，目前美光的合作伙伴AMD和LSI都已经对这种30nm工艺的DDR3 DRAM芯片表示浓厚的兴趣，有意引入到自己的新产品中，不过正式产品何时面世，目前就无法得知了。

　　三星表示，其采用30nm级别制程DDR3内存芯片的消费级产品包括针对桌面电脑的超低电压版UDIMM DDR3内存条以及针对笔记本电脑的SO-DIMM DDR3内存条，单条容量为2GB和4GB，最高频率为1600MHz，单条内存和双条套装将同时上市。据称，这些产品主打的并不是性能，而是性价比。它们在保证一定性能的同时，价格亦会相当优惠，预计在单条售价在30到55美元之间，双条套装则在55到110美元之间。

　　另外针对企业级领域，三星同样会推出30nm级别的DDR3 RDIMM服务器内存，单条容量高达32GB，频率为1866MHz，电压仅1.35V。比起40nm级别的产品，无论是运行频率还是工作电压都有了较大的改进。

　　性能方面，该DDR3 SDRAM支持1866MHz高频率和低压运作，在1.35V的低压下支持1600MHz的工作频率。与40nm工艺的同类产品相比，功耗减少15%，即使是在待机的情况下，功耗也减少10%。

　　据官方消息透露，这款SDRAM芯片将于12月实现量产。

　　更多相关信息，请浏览尔必达官方网站。

　　消息来源：[tcmagazine]

　　该芯片的功耗比50nm级别内存芯片要低30%，一款4GB 30nm内存条用于笔记本时每小时仅消耗3W，仅为笔记本总功耗的3%。

　　30nm级别工艺对提高量产效率也大有帮助，据介绍，30nm级别工艺DDR3芯片产能比40nm级别要高60%，同时也是50nm-60nm级别工艺的两倍。

　　新的3-bit芯片要完全替代传统的2-bit芯片还需要一段时间，但是它们将成为高密度闪存设备的首选，因为储存效率的增加使数据存储容量提高了50%。

　　最新的30nm MLC 3-bit芯片将与三星3-bit NAND控制器一起用于闪存模块中，生产用于U盘、手机和照相机的8GB microSD。

　　看来TSMC之前宣布在芯片制程上投资的100亿美元已经出现效果了，TSMC在同时开发45纳米以及40纳米技术，而且他们的下一步目标是32纳米以及30纳米。三星科技目前已经向30纳米制程技术投入了大量的资金，不过有所不同的是三星的目标只是集中在DRAM开发上而已。

　　而在Intel方面，秋季IDF上公司将再次展出45纳米的Nehalem，而32纳米的处理器要在春季IDF上才会被正式公布，而正式的生产需要到2009年的第二季度才正式展开。TSMC的32纳米进程和Intel类似，他们将会在09年的第四季度开始生产32纳米的GPU。

　　所以，只要Intel和TSMC都按照他们的计划来发展的话，GPU将会在IT史上首次在制程技术上赶上CPU。当然，所谓芯片生产技术的领先看的并不仅仅是制程，不过制程技术却是其中的一个主要标志。

[来源：TGDaily]