东芝这么做主要是屈从于市场竞争压力。因为东芝、三星及SK Hynix减产的同时，美光并没有跟进降低产能或者提价，反而借此机会扩大市场份额，一些SSD公司甚至在现有产品之外紧急改用美光闪存生产新的SSD产品，比如OCZ Vertex 4 512GB M型号。（巧合的是，我们昨天也买了两块V4 512GB型号，发现里面的闪存颗粒确实变了，从原来的IMFT换成了美光的颗粒，测试还在进行中）

　　如今东芝或许是发现减产并没有得到想要的结果，反而丢失了不少市场份额，这才决定降价以吸引客户，从美光手中夺回自己丢失的市场份额。由此一来，那么市场上的SSD价格还会大幅降价。

　　SSD厂商表示：“我们刚从xx处得到消息，价格战今天就要开始。我们的SSD产品也会降价25%左右。”

　　这一消息还未得到证实，不过在充分开放的市场上也不无可能，韩日厂商想用减产的方式维持价格，不过却被别的厂商抓住机会，现在东芝准备用降价的方式弥补之前的失误了。有竞争总是好事，如今128GB SSD普遍在800元内了，256GB也有可别型号降低1000-1200元附近，如果真有价格战的话，那么128GB售500元、256GB售价千元的日子就不远了。

　　该系列SSD为7mm厚，最大读取速度510MB/s，写入470MB/s，随机4K读取性能为50000 IOPS，写入为38000 IOPS，支持TRIM指令，待机功耗0.26W，负载功耗0.82W，可靠性为120万小时，三年质保。

　　官方同时开放网络销售，120GB版售价为100美元（635元人民币），240GB版本则为200美元，折合人民币1270元，算起来还是很便宜的。

　　有来自DigiTimes的消息称，尽管目前很多产品都要用到NAND闪存，例如USB闪存盘、各式储存卡、固态硬盘以及智能手机、平板电脑等等，但是NAND闪存的库存压力还是非常严重，大量的芯片无法消化。因此为了让市场的供求关系重返平衡，三星和SK海力士决定跟随东芝走上减产的道路。

　　从目前情况来看，虽然没有明确消息，不过美光很可能是下一个宣布减产的NAND芯片制造商，毕竟他们面临的市场是一致的。而这些厂商减产后，NAND闪存及对应产品的降价可能会暂时停止。至于何时才会恢复原有产能，目前暂无明确消息指出，不过我们认为，那个时候也该是20nm/19nm工艺产品正式登场了。

　　据称，三星Pro Class 1500存储芯片是目前首款支持JEDEC e-MMC v4.5标准的产品，其采用了Toggle DDR 2.0接口和20nm级别工艺打造，其连续读写性能和随机读写性能在同类产品中都处于领先地位。

　　目前三星已经开始量产Pro Class 1500存储芯片，不过具体的出货时间未定，考虑到其采用了20nm工艺制作，主要针对智能手机和平板电脑，想要体验这款芯片的能力恐怕得等到新一代的手机或平板诞生了。

　　然而加拿大公司MOSAID科技在近日宣布，他们已经成功生产出世界首款整合十六个存储核心的NAND芯片，单芯片容量达512Gb(即64GB)。与传统的MCP封装产品不同，这款芯片采用了MOSAID科技独有的HLNAND MCP封装技术，通过两个HyperLink NAND接口连接十六个容量为32Gb（即4GB）的存储核心，并让它们工作在1.8V的电压下。

　　HyperLink NAND接口采用单字节宽度设计，可提供333MB/s的带宽，当两个接口以同步的方式运行时，即可提供最高667MB/s的数据带宽。这款芯片的诞生对推广大容量SSD来说是一个不错的开始，只是目前MOSAID科技尚未公布这款NAND芯片的生产计划，相信在短期内我们仍然看不到相关产品。

　　消息称，由于现在固态硬盘、超薄型笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备的兴起，容量为32Gb到128Gb（4GB到16GB）的NAND闪存在需求量上不断增加，这让目前多家NAND闪存芯片厂商之间的竞争变得更加剧烈。

　　在三星宣布计划于中国内地设立12英寸晶圆工厂之后，这让众多的NAND闪存厂商的生产中心都放到了中国上。除了将无锡的工厂转为生产NAND闪存外，海力士还打算扩大工厂的生产规模，甚至可能设立一个新的12英寸晶圆生产工厂。

　　据统计，目前海力士在NAND闪存市场上的份额已经远远落在的三星和东芝的后面，仅以微弱的差距击败美光科技。不过后者已经和英特尔达成协议，往后英特尔将采用美光的NAND闪存芯片打造自己的固态硬盘产品，海力士在NAND闪存上的道路并不平坦。

　　据协议称，英特尔首先会接收美光约3亿美元的股份购买资金，剩余资金则寄存于美光手中，并根据美光的供货量进行抵扣。当然除了股份和产品交易外，美光和英特尔也会展开一系列的合作，将新兴存储技术推广到双方的产品当中。

　　消息还称，这笔交易将在今年上半年完成。有业内人士认为，两者早在NAND闪存领域就展开了一系列的合作，这次交易完成之后双方的关系将更加紧密，这有利于美光和英特尔在NAND闪存领域保持领先。

　　据台湾媒体DigiTimes的报道称，长期以来SanDisk的存储产品一直占据了市场40%的江山，这次金士顿降低产品售价，必然会对SanDisk的销量带来较大的冲击。为了保持自己的优势，下调价格是SanDisk应对金士顿调价措施的最直接手段。

　　实际上，自NAND闪存工艺从30nm级别进步至20nm级别甚至是19nm的时候，NAND闪存产品的售价就开始有所下降了，按照目前的市场报价，8GB容量的TLC NAND闪存芯片已经下降至5美元，而32GB和16GB的MLC NAND则接近35美元及16美元。相信随着技术的进步和时间的推移，NAND闪存价格全部降至1美元1GB以下并不是什么难事。

　　由于春节假期的原因，台湾多个DRAM设备和NAND设备厂商都因为工人放假、市场不活跃致使产品出货量降低。以威刚科技为例，其在今年1月份的营收为新台币21.1亿元，折合约7140万美元，比去年同期下降了23.8%；创见虽然未公布相关的数据，但有市场观察人士称其在1月份的销量有20%到30%的下降；而NAND闪存控制器厂商ALCOR的1月营收亦有30%的下滑，很可能是全年最低的营收水平。

　　不过这些厂商并未就此现象担心，他们都认为，假期后市场已经复苏，他们的产品销量会在2月份恢复正常水平。不过厂商之间的竞争，很可能会给消费者带来售价优惠的产品，例如金士顿即将对旗下NAND产品进行售价下调。

　　目前多家NAND闪存芯片厂商的工艺正在向19nm或20nm级别过渡，新制程的使用让同一块晶圆可切割的芯片数变得更多，利用率亦有所上升，产品成本得以下降，大量使用NAND芯片的产品走进市场。尽管对消费者来说，同类产品有多种选择是一个不错的消息，但是对厂商来说，这很容易就会让他们走进“供过于求”的状况中。

　　消息还称，金士顿的这个举动除了刺激市场之外，很可能会让其它厂商迅速跟进竞争，甚至有可能让固态硬盘的售价向1美元/GB靠近，或许我们很快就能买到相对便宜的固态硬盘了。

　　日前，第二款由IMFT打造的20nm NAND闪存芯片亦正式出炉了。该款产品容量为128Gb（即16GB），内部连接界面采用了最新的ONFi 3.0标准，传输带宽达333MT/s，可有效提升闪存的持续读取速度。另外新产品的Page Size也发生了变化，从现在常用的4KB提升到16KB。实际上，即使是早前的64Gb产品，其Page Size亦已经提升至8KB，不过内部连接界面使用的仍然是ONFi 2.x标准。

　　IMFT表示，由于目前大多数固态硬盘的主控芯片仅支持Page Size为4KB的闪存芯片，因此他们发布的两款20nm工艺闪存在短期内都不会出现应用在固态硬盘产品上。考虑到研发新主控和新固件所需要的时间，他们预计采用20nm工艺闪存的固态硬盘将会在2013年上市，届时固态硬盘将真正迈入TB级时代。

消息来源：[DailyTech]