虽说Intel 20nm NAND闪存到Q3才开始量产，但是目前仍有小量的20nm NAND闪存试产出来，像在Intel NAND上极有资源优势的SuperSSpeed，已经拿到了20nm的NAND闪存，并搭配SF2281主控开始生产新一代制程的SSD了。

Intel NAND各制程下的Die比较

　　从目前的资料看，20nm制程的L84颗粒Page会有8KB（TSOP封装）和16KB（BGA封装）两种，由于密度的上升，每个Page的Spare Byte（用来存放ECC签名）也明显增加，比如说25nm时，一个8KB的Page需要有448bytes的Spare Area，当制程进步到20nm后，Spare Area却需要744bytes，每1KB数据需要更多的ECC检验数据。对于SandForce主控来说，RAISE冗余技术显得就更加重要了。

　　还是来看看20nm NAND的性能吧，测试平台采用的是微星Z77主板，Windows 7 SP1系统：

HD Tune Pro下的Info信息（F3表示20nm制程）

　　先关注一下HD Tune Pro中的Info，Serial这一项大多数情况下会显示该SSD所有闪存的型号（一般为编号后几位），对Intel闪存比较熟悉的同学应该会记得目前主流的编号后几位多是ACME3之类的，其中E表示制程，也就是25nm，而20nm的编号则是F，最后的数字可以理解为步进什么的，这次F3颗粒的具体编号为JS29F64G08ACMF3。

CDM的成绩

AS SSD成绩

PCMark 7成绩

　　从现有的测试成绩看，20nm NAND闪存的SSD会比25nm下闪存的性能要低10%左右，尤其是4K随机性能下降得比较多，不过目前还是试验阶段，考虑到固件还会继续针对20nm进行优化，性能应该还会有所提升。

　　据SuperSSpeed透露，20nm闪存的成本会下降5-10%，反正目前SSD的性能已经足够快了，价格还是主要瓶颈，期待一下，到了年底，20nm制程闪存SSD的大量上市，120GB的SSD会下降到500元吗？