关于 20nm 的消息
日本希望台积电能与索尼携手合作在本土兴建晶圆厂，计划采用20nm工艺节点
现阶段半导体行业供货紧张是众所周知的事情，各大芯片生产厂商都在拼命扩充产能。这不是一件容易的事情，兴建晶圆厂需要巨额投资，还要考虑未来一段时间内的各种风险因素。对于有芯片需求，但缺乏晶圆厂的国家和地区来说，如果希望相关企业在自己所在区域建设晶圆厂，需要协调的问题也很多。
SK Hynix、三星18nm服务器内存爆良率问题，被要求暂停出货
NAND闪存的价格在涨了两年之后终于下跌了，DRAM内存芯片的涨价还是个问题，除了需求居高不下之外，内存价格降不下来还跟市场格局有关，全球内存供应几乎垄断在三星、SK Hynix及美光三家公司中，其中韩国两家公司就占据3/4的全球份额。目前内存芯片也在经历20nm到18nm工艺的升级过程，三星是进展最快的，不过这两天有消息称三星及SK Hynix的18nm服务器芯片出现了良率问题，已被中国及美国的两家客户要求暂停出货。
三星2020年推16nm DRAM内存，15nm恐成DRAM终点
三星不仅是智能手机市场的老大，更重要的是三星还掌握了产业链至关重要的DRAM内存、NAND闪存及OLED屏幕，这三大部件上三星遥遥领先其他对手，手机OLED面板上更是占据95%以上的份额。在DRAM内存市场上，三星不仅产能、份额最高，技术也是最领先的，去年率先量产18nm工艺，今年将完成17nm DRAM内存研发，2018年量产，2020年则会推出16nm工艺的DRAM内存芯片。
联发科、海思大喜，TSMC将减少16/20nm工艺代工价格
智能手机行业今年杀到红眼，终端厂商的日子不好过，上游供应链的联发科、展讯、海思等芯片厂商也同样面临困境，他们过得不舒服，TSMC也得感冒了，因为日子紧巴的情况下芯片厂商就更不愿意选择高价的制程工艺了。TSMC已经在考虑降低16/20nm先进工艺的合约价格以拉拢客户，这对芯片厂商来说也是个好事。
GDDR5X显存夏季量产：容量8Gb，速率已达13Gbps
2016年新一代显卡旗舰显卡无疑会用上最先进的HBM 2显存，但主流显卡全面升级HBM显存不现实，毕竟HBM的成本和产量还是个问题，远不如GDDR5显存主流。美光主导的GDDR5X显存成为主流显卡的一个新选择，年初已经被纳入了JEDEC标准。根据美光日前公布的进展，GDDR5X显存预计会在今年夏季量产，使用20nm工艺，颗粒容量8Gb（1GB），速率已达13Gbps，还有潜力提升到更高。
20nm已落伍，三星、SK Hynix、美光明年量产1x nm DRAM内存芯片
随着美光前不久把台湾南亚科技纳入囊中，DRAM内存产业基本上只有三星、SK Hynix及美光三家在玩了。目前三大厂商的主力制程工艺才刚进入20nm，但是20nm工艺看样子也只是过渡了，因为三星、SK Hynix明年就要量产1x nm工艺的DRAM颗粒，三星最早是明年Q1季度，美光虽然进度最慢，但也表态争取在明年量产1x nm工艺。
继三星之后，SK Hynix也量产20nm内存芯片及36层堆栈3D闪存
在全球储存芯片市场上，韩国厂商的实力雄厚，不论工艺先进程度还是产能都领先日系、美系及台系厂商。SK Hynix日前在财报会议上宣布他们已经开始量产20nm工艺的DRAM内存芯片，今年还会量产36层堆栈的3D闪存，明年规模量产48层堆栈的闪存，不过三星始终是SK Hynix挥之不去的阴影，因为有三星在，他们几乎只能做到第二。
6GB内存手机指日可待，三星量产12Gb LPDDR4-4266内存颗粒
目前新发布的中高端手机大都配备了3GB内存，旗舰手机没有4GB内存都不敢出来打招呼了。现在手机分辨率已经达到甚至超越了桌面PC，也许过不了两年，智能手机的内存容量都要超越大部分PC了，因为三星日前宣布成功量产20nm工艺的12Gb LPDDR4核心，智能手机、平板用上6GB内存指日可待。
初代20nm NAND闪存再见，Intel 530系列固态硬盘开始退役
虽然Intel的SSD固态硬盘不是市面上性能最好的，而且价格往往是最高的（之一），但很多高玩买SSD还是认准了Intel牌的。现在Intel的消费级SSD已经升级到了730及750系列，前代硬盘要退出现役了，最早使用20nm MLC闪存530系列硬盘已经开始踏上“回家路”了。
TSMC的28nm、20nm产能开工率不足，降价10%拉拢高通、联发科
TSMC台积电在28nm及20nm工艺初期占尽了先机，其中28nm代工一度占据了全球8成以上的份额，20nm则是近乎独占，不过TSMC现在青黄不接了，16nm FinFET工艺还没有量产，28/20nm工艺的出货高峰已过，现在产能利用率甚至低至60%，如此闲置的产能自然是极大的浪费，TSMC不得不降价5-10%拉拢高通、联发科这样的大客户。
SK Hynix宣布量产HBM显存：20nm工艺，不止显卡可用
随着AMD的Fury X显卡的发布，HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）技术也正式登上舞台，与目前的GDDR5内存相比，HBM单芯片的带宽从28GB/s提升到了128GB/s，同时功耗降低至少50%。HBM显存主要是AMD和SK Hynix推动的，后者表示他们正在使用20nm工艺大规模量产HBM显存，而HBM不仅可以用于显存，其他如DRAM、NAND及SSD解决方案也可以使用HBM，应用前景还是很广阔的。
一加手机2确认搭载骁龙810，承诺“真旗舰不发烧”
此前我们获悉，一加会在7、8月份推出新的一加手机2，现在他们也正式确认会采用高通骁龙810处理器。这颗处理器不是因为温度难以压制而饱受争议吗？不过一加承诺：“真旗舰，就是能给你一颗不发烧的810”。
高通骁龙810处理器“坑”了一大波队友，TSMC也躺枪了
高通的骁龙810处理器（MSM8994）本来应该是2015年最被看好的旗舰手机处理器——8核64位、Cat9 LTE网络、OpenGL ES 3.1图形能力、20nm工艺听上去都是很好很强大，但是骁龙810的过热问题已经严重影响了用户体验，虽然高通几次辟谣不存在发热、功耗问题，但事实是使用骁龙810处理器的厂商都在下调出货预期了，就连TSMC的20nm产能也空了起来。
AMD：20nm工艺的ARM及APU处理器很可能不再量产
TSMC的20nm工艺抢先于其他厂商量产，该工艺更适合低功耗处理器，苹果的A8在晶体管规模比A7翻倍的情况下核心面积还减少了13%。AMD原本也规划了多款基于20nm工艺的处理器，比如ARM架构的Amur（阿穆尔河）四核、X86架构的Nolan APU等，但现在AMD已经调整了战略，CEO苏姿丰认为AMD的20nm工艺产品很可能不会量产，反正2016年AMD全线都会转向FinFET工艺了。
三星电子2014Q4财报：利润下滑27%，手机业务开始复苏
三星电子今天也发布了2014年第4季度财报，其中Q4营收为52.73万亿韩元，净利润5.35万亿韩元，环比有所增长，手机业务开始复苏，不过比2013年同期下滑，净利润下滑了27%。
