除了在美光的新职位外，Robert Swan还是耐克、Flexport和GoTo Group的董事会成员，过往还曾担任eBay、Applied Materials、英特尔和Skype的董事会成员。Robert Swan的职业生涯始于通用电气，在15年中曾担任多个高级财务职位。

最为人熟知的，当然是Robert Swan曾担任英特尔的首席财务官及首席执行官。2021年1月14日，英特尔宣布Robert Swan将于2021年2月15日离任，接替他的是当时VMWare的首席执行官Pat Gelsinger。自担任英特尔首席执行官后，非技术出身的Robert Swan备受争议，在与AMD竞争中承受了很大的压力，加上制程工艺上连续受挫，使得英特尔面临的形势雪上加霜，业界认为Robert Swan由于财务出身而缺乏技术敏感性。

Robert Swan在纽约州立大学布法罗分校获得了学士学位，在纽约州立大学宾汉姆顿分校获得了工商管理硕士学位，2022年还获得了荣誉博士学位。

近日有网友表示，首批支持GDDR7的GPU使用16Gb（2GB）模块，这是JEDEC发布的GDDR7标准里最低的容量。

上一代GeForce RTX 30系列最初采用的是8Gb（1GB）模块，到了RTX 3090 Ti才引入16Gb模块，这也是现有GeForce RTX 40系列产品的GDDR6X标准，确保了位宽在384-bit、256-bit、192-bit和128-bit时能分别提供24GB、16GB、12GB和8GB显存。

不过英伟达可能在部分产品上非JEDEC标准的GDDR7，而是选择一家DRAM厂商共同设计一个拥有适合其图形架构内存总线信号和电源管理技术的独家标准。之前在GDDR6X上，英伟达就选择了美光。到了GDDR7时代，或许英伟达会延续与美光之间的合作。

根据美光之前公布的产品路线图，GDDR7将会在2024年末到来，每个数据I/O接口的速率达到了32 Gbps，容量为16Gb至24Gb。这意味不排除首批支持GDDR7显卡里也会有采用24Gb（3GB）模块的产品，那么可以看到显卡在256-bit、192-bit和128-bit位宽下分别提供24GB、18GB和12GB显存。

如果GPU厂商希望通过缩减位宽降低制造成本，那么可以选择24Gb模块弥补显存容量的不足。

该款产品在外观上也延续了之前的设计，配备了黑色的铝制散热模块，采用折纸工艺设计，有着时尚酷炫的造型，同时PCB为黑色，而且没有RGB灯效，这与之前基本款的Classic系列是一样的。这次提供的超频版32GB套装（16GB x2）有着更低的时序，为CL36-38-38-80，运行电压为1.35V，同时支持Intel 3.0和AMD EXPO技术。

美光称，超频版比起同样是DDR5-6000的标准版降低了25%的延迟，可以进一步提高1080P和1440P分辨率下内存密集型游戏的运行帧率，比如《赛博朋克2077》和《彩虹六号：围攻》等。按照美光的说法，接下来超频版还会有48GB套装（24GB x2）可选。

今天美光宣布，开始送样增强版UFS 4.0移动解决方案，不但具有突破性专有固件功能，并采用业界领先的紧凑型UFS封装（9 x 13 mm），同样基于232层3D TLC NAND闪存技术。尺寸更小巧的UFS 4.0为下一代折叠及超薄智能手机设计带来了更多可能性，制造商可利用节省出来的空间放置更大容量的电池，加上能效提升了25%，让用户在运行AI、AR、游戏和多媒体等耗电量高的应用时获得更长的续航时间。

增强版UFS 4.0移动解决方案提供了三种容量可选，分别为256GB、512GB和1TB，提供了最高4300 MB/s的顺序读取速度和最高4000 MB/s的顺序写入速度。此外，美光还提供多项专有固件更新功能，包括高性能模式（HPM）、一键刷新（OBR）和分区UFS（ZUFS）。

美光表示，其卓越性能和端到端技术创新将助力旗舰智能手机实现更快的响应速度和更灵敏的操作。相比前一代产品，新的增强版UFS 4.0移动解决方案性能提升一倍，为数据密集型应用带来了更出色的优化使用，用户能更快地启动常用的生产力、创意和新兴AI应用。其中在生成式AI应用中的大语言模型加载速度可提高40%，为用户与AI数字助手的对话提供更流畅的使用体验。

早在去年7月，美光就宣布推出业界首款带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s、8层垂直堆叠的24GB容量HBM3E，采用了其1β（1-beta）工艺制造，性能相比目前出货的HBM3解决方案提高了50%。据介绍，美光HBM3E产品的每瓦性能是前几代产品的2.5倍，为人工智能数据中心的性能、容量和功率效率等关键指标创造了新的记录，可以减少GPT-4等大型语言模型的训练时间，并提供了卓越的总拥有成本（TCO）。美光称，其HBM3E的功耗比竞争对手SK海力士和三星的同类产品低了30%。

美光还准备了12层垂直堆叠的36GB容量HBM3E，在给定的堆栈高度下，提供的容量增加了50%，随着技术的进步，美光将硅通孔（TSV）增加了一倍，金属密度增加了五倍，从而降低了热阻抗，加上节能的数据路径设计，因此让能效得以提高。

下个月英伟达的GTC 2024上，美光将会带来36GB容量HBM3E，并分析更多的产品信息。

Crucial Pro系列内存分为DDR4和DDR5产品，均配备了黑色的散热模块，没有RGB灯效，不过前者为绿色PCB，后者为黑色PCB，这与之前基本款的Classic系列是一样的。近期美光更新了Pro系列产品线后，带来了频率更高的DDR5-6000内存，这次提供的是32GB套装（16GB x2），外观上也延续了之前的设计，还分为普遍款和超频款，后者的时序更低，为CL36-38-38-80，运行电压为1.35V。

T705 PCIe 5.0 SSD比起之前的T700系列还要更快一些，搭载了美光自家的232层TLC NAND闪存，最高连续读取和连续写入速度分别达到了14500 MB/s和12700 MB/s，最高4K随机读取/写入分别为1550K IOPS和1800K IOPS，提供了1TB、2TB和4TB容量可选。之前有消息称，新款SSD可能采用了群联电子最新的E26 Max14um主控芯片，这是E26的改进款。

T705 PCIe 5.0 SSD有裸条和带散热器的版本可选，除了传统的黑色款，另外还有限定版白色款。

美光表示，新款Crucial Pro系列DDR5-6000内存将会在2024年2月27日上市，提供终身保修，而T705 PCIe 5.0 SSD则会在2024年3月12日通过指定零售商和全球渠道合作伙伴销售，提供五年保修。

新款LPCAMM2内存模块可以支持的数据传输速率达9,600 MT/s，远高于DDR5 SO-DIMM的6,400 MT/s。尽管LPDDR5X在延迟方面不如DDR5，但可以利用更高的数据传输速率抵消。与焊接式LPDDR5X内存子系统相比，模块化外形不会增加LPDDR5X内存的延迟。

美光表示，将LPDDR5X DRAM集成到LPCAMM2外形中，与SO-DIMM产品相比，功耗降低了61%，PCMark 10基本工作负载（比如网页浏览和视频会议）的性能提高71%，节省了64%的空间。与DDR5同等速度下，LPDDR5X每条64位总线的有效功耗降低了43%-58%，待机功耗降低了80%。与DDR5内存模块一样，LPCAMM2内存模块也带有电源管理IC和电压调节电路，为模块制造商降低产品功耗提供了更多途径。

去年12月，JEDEC宣布，Dell的CAMM正式成为了JEDEC标准规范，被命名为“CAMM2”，未来将取代SO-DIMM内存模块。CAMM2有两种设计，除了常规的DDR5，还能用于LPDDR5(X)。其实三星在去年9月，就推出了基于LPDDR设计的LPCAMM内存模块，不过当时JEDEC尚未确立最终的规范标准。

美光预计2024财年第二财季的营收在53亿美元左右，上下浮动2亿美元，高于49.9亿美元的市场预期，每股摊薄亏损为0.45美元，上下浮动0.07美元，低于0.76美元的市场预期。美光认为，目前已度过了最低迷的时期，人工智能（AI）的蓬勃发展也带动了数据中心对存储芯片的需求，很快会重新盈利。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，强大的执行力和定价能力推动了2024财年第一财季的财务业绩，最终超出了预期，预计业务在2024年会得到改善，针对人工智能应用推出的高带宽内存产品展示了美光的技术实力，目前已做好充分准备，抓住人工智能各终端市场带来的巨大机遇。

美光希望未来几年继续在HBM和GDDR类内存上努力，此前已推出业界首款带宽超过1.2 TB/s、引脚速度超过9.2 GB/s、8层垂直堆叠的24GB容量HBM3 Gen2，对应的应该就是路线图上显示的HBM3E。美光该款HBM3E将于2024年初到来，预计会在英伟达面向AI和HPC推出的新一代GPU上首次亮相。美光还在准备12层垂直堆叠的单品36GB HBM3E芯片，将会在2025年推出。

更大变化的将是HBM4，计划在2026年发布，内存堆栈将采用2048位接口，带宽超过1.5 TB/s。美光打算在2026年至2027年之间，推出容量在36GB至48GB、12/16层垂直堆叠的产品。到了2028年还会有HBM4E，频率将进一步提升，容量将增加至48GB到64GB，带宽增加至2 TB/s以上。

下一个GDDR版本，也就是GDDR7将会在2024年末到来，每个数据I/O接口的速率达到了32 Gbps，容量为16Gb至24Gb。预计到2026年末，单个芯片的容量会超过24Gb，速率也会提升至36 Gbps。

美光预计在2025年提供128GB至256GB的MCR DIMM内存模块，数据传输速率为8800 MT/s，然后在2026年或2027年提供容量超过256GB的MCR DIMM内存模块，数据传输速率会攀升至12800 MT/s。同时美光准备推出支持CXL 2.0的内存模块，容量在128GB至256GB，带宽将达到36 GB/s，接下来还有支持CXL 3.x的内存模块，容量超过256GB，带宽超过72 GB/s。

对于低功耗应用，业界将继续使用LPDDR内存。美光速率为8533 MT/s或9600 MT/s的LPDDR5X将继续使用一段时间，然后从2025年开始提供基于LPDDR设计的LPCAMM2内存，速率为8533 MT/s，容量在16GB至128GB，到了2026年中旬还会有速率为9600 MT/s、容量超过192GB的产品。

美光公司副总裁兼移动事业部总经理Mark Montierth表示：“通过为旗舰智能手机提供强大的大型语言模型，生成式人工智能将为智能手机用户带来前所未有的生产力、易用性和个性化。经过优化后，搭载第三代骁龙8移动平台的智能手机可以在本地运行强大的生成式人工智能模型，从而解锁新一代基于人工智能的应用和功能。 启用设备上的人工智能还能提高网络效率，降低能耗要求，减少成本更高的云端解决方案的开销。”

美光是在去年末推出了1β工艺节点，让LPDDR5X提供了业界最先进的节能功能，比如增强的动态电压等技术，可提供近30%的能效改进，并灵活地提供工作负载定制的功率和性能。美光称，这些节能措施对于能源密集型、人工智能驱动的应用尤其重要，使用户能够在延长电池寿命的同时获得生成式人工智能的好处。

7500系列SSD和7450系列SSD采用了相同的主控解决方案和平台，不过带有新的固件，并改用了232层3D TLC NAND闪存芯片，具有低于1ms的服务质量（QoS）延迟，延迟时间也会更低，同时顺序和随机读写性能更高。其最大顺序读取速度可达7000 MB/s，顺序写入速度可达5900 MB/s，最大随机读取为1100K IOPS、最大随机写入为410K IOPS，表现略高于7450系列SSD。

美光的232层3D TLC NAND闪存芯片采用了CuA架构，使用NAND的字符串堆叠技术，新技术可以大大减小NAND闪存的芯片尺寸，有助于降低成本。其引入了业界最快的I/O速度，达到了2.4 GB/s，比176层的NAND闪存高出50%，同时写入带宽提升100%，读取带宽提升75%。同时还是全球首款量产的六平面TLC NAND闪存，不但比其他同类TLC NAND闪存有着更多的平面，而且每个平面都具有独立的读取能力。高I/O速度、低读写延迟和六平面架构相结合，使其能够提供一流的数据传输速度。

7500系列属于U.3/U.2 SSD，15mm厚度的规格，这是最近服务器存储设备流行的尺寸，提供的容量大小从800GB至15.36TB，写入寿命为3 DWPD。此外，7500系列SSD符合TCG Opan 2.01规范，得到了SPDM 1.2认证，采用了基于AES-256的硬件数据加密。

此前美光投资了10亿美元，未来几年内将继续增加10亿美元的投资，包括建设和全面装备这个新工厂，将工厂面积增加到150万平方英尺。扩建后，美光可以提高产能，并进一步加强其组装和测试能力，使其能够提供领先的NAND、PCDRAM和SSD模块，以满足对人工智能、自动驾驶或电动汽车等变革技术不断增长的需求。

美光表示一直关注可持续性，新设施的设计符合能源与环境设计领导力评级系统（LEED），这是世界上使用最广泛的绿色建筑认证。与美国供暖与空调工程师协会（ASHAE）的标准相比，这种具有环保意识的方法使得美光新工厂的能耗降低了25%以上，为环保半导体制造树立了一个高标准。

马来西亚的工程是美光全球网络中第一个100%使用可再生电力的工厂，运营方面也将支持美光的可持续发展目标，即到2050年实现净零排放，到2030年实现危险废物零填埋。

美光是在去年末推出了1β工艺节点，无论性能、位密度还是电源效率上都有显著的收益，而且还能降低DRAM成本，将带来广泛的市场优势。基于1β工艺节点打造的DDR5内存覆盖了4800MT/s至7200MT/s的范围，允许将计算能力推向更高的性能水平，支持跨数据中心和客户端平台的人工智能（AI）训练和推理、生成式人工智能、数据分析和内存数据库（IMDB）等应用。

美光核心计算设计工程集团公司副总裁Brian Callaway表示，采用1β工艺节点的DDR5内存进入大批量生产及应用是行业内的一个重要里程碑，与生态系统合作伙伴及客户合作将推动高性能内存更快地被采用。美光将会有多款产品采用1β工艺节点，除了DDR5外，还包括LPDDR5X、HBM3E和GDDR7。

美光计划继续投资数十亿美元，将晶圆厂转变为技术领先、高度自动化、可持续发展、以及人工智能驱动的设施，其中包括对日本广岛工厂的投资。据了解，这间工厂将采用1β工艺节点批量生产DRAM。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，人工智能（AI）业务将带来数以亿计美元的收入，希望这股热潮能带美光走出财务困境。同时美光一直与英伟达紧密合作，预计HBM3 Gen2将会在2024年英伟达面向AI和HPC推出的新一代GPU上首次亮相。

据美光的介绍，HBM3 Gen2产品的每瓦性能是前几代产品的2.5倍，为人工智能（AI）数据中心的性能、容量和功率效率等关键指标创造了新的记录，可以减少GPT-4等大型语言模型的训练时间，并提供了卓越的总拥有成本（TCO）。美光HBM3 Gen2解决方案的基础是其1β（1-beta）工艺，在行业标准封装尺寸内将24GB DRAM芯片组成了8层垂直堆叠的立方体。

此外，美光还在准备12层垂直堆叠的单品36GB DRAM芯片，与现有的竞争解决方案相比，在给定的堆栈高度下，美光提供的容量增加了50%。