在意法半导体看来，新的碳化硅园区的创建是支持汽车、工业和云基础设施应用中碳化硅器件客户向电气化过渡并寻求更高效率的关键里程碑。意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery称，卡塔尼亚碳化硅园区释放的全面集成能力，将在未来几十年为意法半导体在汽车和工业客户的碳化硅技术领先地位做出重大贡献，目前欧洲和全球客户正在向电气化过渡，并寻求更节能的解决方案，新设施将助力实现脱碳目标。

新园区将是意法半导体全球碳化硅生态系统的中心，整合生产流程中的所有步骤，包括碳化硅衬底开发、外延生长工艺、200毫米前端晶圆制造和模块后端组装，以及工艺研发、产品设计、先进的研发实验室、模具、电源系统和模块，以及完整的封装能力，这将在欧洲首次实现200mm的SiC晶圆的大规模生产。

意法半导体预计投资50亿欧元，将在2026年投产，到2033年达到满负荷生产，全面建成后每周可生产15000片晶圆。此外，意大利政府将在《欧盟芯片法》框架内提供约20亿欧元的支持。

近日有网友透露，即将到来的GB202、GB203、GB205、 GB206和GB207五款芯片的GPC配置大多数与Ada Lovelace架构对应的芯片一致，不过没有透露SM或者CUDA核心数量情况。

其中RTX 5090搭载的是GB202，RTX 5080搭载的是GB203。传闻GB202会有192组SM（24576个CUDA核心），但是不会启用所有SM，预计会用到其中的170至180组。之前有消息称，GB203的规模仅为GB202的一半，拥有96组SM（12288个CUDA核心）。最新的传言是，GB203的规模会更小一些，为7组GPC（84组SM）。此外，GB205和GB206对应的是5组GPC（60组SM）和3组GPC（36组SM），而GB207暂时还不清楚。

据了解，GB205、 GB206和GB207三款芯片仍然在开发当中，短期内只有GB202和GB203。这意味着今年内，英伟达最多只会发布RTX 5090和RTX 5080两款面向高端的产品，其余型号要等到明年才会推出。

新产品提供了新的“EZ PCIe Release”和“EZ PCIe Clip II”，提高了拆卸和安装的便利性。EZ PCIe Release能够让用户毫不费力地移除安装在主板PCIe 5.0插槽中的显卡，同时插槽增加了三个额外的锚点和更厚的材料，让插槽强队提高了121%，能够承受两倍于显卡重量的重量，确保稳定性和可靠性。EZ PCIe Clip II使得M.2 SSD的安装和拆卸比以往任何时候都更容易，全新的无螺丝设计，只需按下侧锁即可完全打开无螺丝的M.2 Frozr，安装时也能轻松锁定。

随着新设备的不断进步，MAG X870 TOMAHAWK WIFI和PRO X870-P WIFI也在不断升级，均配备Lightning PCIe Gen 5.0和M.2插槽，最大限度地发挥新一代设备的带宽潜力。与此同时，USB4接口也成为了微星所有X870主板的标配，提供了40GB/s的数据传输速度。此外，这些主板都配备了5G有线网络，支持Wi-Fi 7和蓝牙5.4技术，确保了流畅和不间断的用户体验。

微星表示，接下来还有MPG和MEG系列产品，将配备全面的功能，确保为用户提供多样化的选择。

Valkyrie系列是映泰旗下最为顶级的主板产品线，注重性能与散热，以往仅用于英特尔平台，从X670E开始，才首次在AMD平台推出女武神系列。X870E Valkyrie主板采用了18+2+2相供电、110A SPS Dr. MOS和数字PWM技术，支持DDR5内存，具有PCIe 5.0标准的扩展槽和M.2插槽。

X870E VALKYRIE配备了四条DDR5内存插槽，支持AMD EXPO技术，最大192GB容量；提供了一条PCIe 5.0 x16插槽（x16或双x8通道）、一条PCIe 5.0 x16插槽（x8通道）、一条PCIe 4.0 x16插槽（x4通道，由芯片组提供）；配备了一条2280规格的PCIe 5.0 x4 M.2插槽、一条22110规格的PCIe 4.0 x4 M.2插槽、一条2280/2260规格的PCIe 4.0 x4 M.2插槽、一条2280规格的PCIe 3.0 x4 M.2插槽、以及六个SATA lll端口；两个USB4端口（背面）、一个USB 3.2 Gen2x2 Type-C端口（扩展插座）、十个USB 3.2 Gen2端口（背面六个和扩展插座两个）和四个USB 2.0端口（均为扩展插座）。

另外还带有SMART BIOS UPDATE按钮，采用了Realtek ALC1220音频解决方案，提供了一个HDMI 2.1端口和一个DP 1.4端口，以及一个2.5Gbps网卡端口，并配有支持Wi-Fi和蓝牙模块的M.2插槽等。

具体显卡型号方面，排名第一的RTX 3060份额上升了0.48个百分点至6.19%；GTX 1650仍然排在第二，份额继续增长，增加了0.20个百分点至4.52%；RTX 3060 Ti的份额上升了0.14个百分点，份额至3.84%，维持在第三名；RTX 2060保持在第四名，份额增加了0.15个百分点至3.75%；第五依旧是RTX 3070，份额增加了0.21个百分点至3.70%；第六名是长期位居前列GTX 1060，份额减少了0.07个百分点至3.55%。

AMD方面，普遍型号的份额都有略微的增长，其中RX 6600/6700 XT的份额增至0.81/0.76%、RX 7900 XTX的份额增至0.39%，这些是RDNA 2/3架构产品里份额最高的型号。

上个月还有一个比较明显的趋势，使用32GB内存的用户越来越多，以28.72%的份额排在了第二位，相比上个月增加了0.63个百分点，仅次于份额为47.08%的16GB内存。有点奇怪的是，16GB内存的份额下降了1.18个百分点，即便抵消掉32GB内存增加的部分仍有所下滑。

在这次统计中，虽然Windows 10 64位仍然是拥有最高份额的操作系统，为50.35%，但是份额继续减少，相比上个月下降了0.67个百分点，Windows 11的份额继续增长，增加了0.93个百分点至46.08%，两者的具体继续拉近。此外，随着Steam进军Mac游戏领域，支持M系列自研芯片的游戏越来越多，OSX的份额在不断增加，上个月增加了0.12个百分点至1.47%。

在栏目文章内，古尔曼说道：“WWDC 2024将于6月10日（下周一）举办。届时苹果将发布iOS 18和iPad OS、Watch OS、Vision OS以及Mac OS的新版本。目前业内传闻iOS 18将成为iPhone系列史上最大的系统升级，而Vision Pro则将获得发布以来的首次系统更新。在WWDC 2024中，苹果将大概率展示其全新的AI战略。”同时文章内古尔曼还谈到除非有意外发生，否则苹果不大可能在WWDC 2024上发布新硬件。

不过文章内有提到新款Apple TV将于今年上半年推出，这款设备将配备比A15性能更强的SoC，同时分析师郭明池也曾猜测新款Apple TV可能会内置摄像头，该配置可用作FaceTime通话以及搭配第三方软件继续视频会议。

最后wccftech分析到，鉴于苹果最近发布了M4 iPad Pro以及MacBook Pro系列新机型，而且因为苹果需要花费更多人力物力投入到Apple Vision Pro的开发工作当中，因此苹果硬件部门可能会流失部分人员，对此WWDC 2024没有新品发布也不足为奇。

近日，有网友透露，三星下一代S系列旗舰Galaxy S25 Ultra将会搭载性能更强的UFS 4.1。从他提供的三星UFS发展路线图我们可以看到，其所说的UFS 4.1准确来说是叫做“UFS 4.0 4-lane”，读写带宽从4GB/s直接翻倍至8GB/s，与UFS 5.0的预期性能（10GB/s或更高）差距进一步缩小。UFS 4.0 4-lane预计会在2025年推出，而UFS 5.0则是在2027年，相信UFS 4.0 4-lane会在这两年的时间内被一众旗舰机型所应用，以更好地满足当前AI功能的发展需求。

前段时间，铠侠与海力士分别推出了新一代的UFS 4.0和ZUFS 4.0闪存芯片。前者采用了体积更小的JEDEC标准的9mm×13mm封装，且与上一代UFS 4.0产品相比，顺序写入速度、随机读写速度均有不同程度的提升；后者则是采用了与UFS不同的智能分区存储方式，在长期使用环境下手机应用程序的运行时间会有45%的改善，且存储读写性能下降方面带来了4倍以上的改善效果，产品使用寿命也相应地得到了约40%的提升。

按照三星S系机型的发布时间规律来看，三星Galaxy S25 Ultra大概率是会在明年年初发布，而UFS 4.0 4-lane同样是预计在2025年推出，时间线是一致的。同时在一众友商的压力之下，三星加快新一代UFS技术的推进的速度也是情理之中。

英伟达没有提供“Rubin”GPU和“Vera”CPU的架构信息，具体发布时间和上市时间暂时也不清楚。据了解，基于Rubin架构的产品预计会在2025年第四季度至2026年第一季度之间到来，传闻采用台积电（TSMC）3nm工艺制造，与B100使用了CoWoS-L封装，应该是首批搭载HBM4的产品之一。

之前就有报道称，新一代数据中心架构的代号是以美国天文学家Vera Rubin来命名。除了为AI GPU带来性能的飞跃，新一代产品的设计重点是降低功耗，这显得尤为重要，毕竟目前架构的产品已逼近千瓦范围，且无法无限扩展。

Vera Rubin是美国的一名天文学家，出生在宾夕法尼亚州费城，瓦萨尔学院天文学专业毕业，并在康奈尔大学读研，。随后在乔治敦大学获得博士学位并留校任教数年后，鲁宾进入非营利科研机构卡内基科学学会工作，成为了研究所地磁部的首位女研究员。Vera Rubin在1981年被选入美国国家科学院，成为其历史上第二位女院士。