此外，营业利润为2.43万亿韩元（约合人民币131.46亿元），低于去年同期为10.85万亿韩元，相比上一个季度的0.67万亿韩元增加了不少；毛利润为20.79万亿韩元（约合人民币1124.74亿元），低于去年同期的28.71万亿，不过高于上一个季度的18.36万亿韩元；净利润为5.84万亿韩元（约合人民币315.94亿元），高于上一季度的1.72万亿韩元，但低于去年同期的9.39万亿韩元。

三星表示，2023年第三季度业绩相比上一季度有所改善，主要得益于旗舰智能手机延续了销售的强势，同时半导体业务的亏损幅度也在减小，从第二季度的亏损4.36万亿韩元减少至本季度的3.75万亿韩元（约合人民币202.88亿元）。总体而言，DRAM和NAND的平均售价（ASP）与上一季度相比均出现不错的增长。

目前市场对人工智能（AI）技术的需求依旧强劲，三星计划继续扩大采用先进工艺的DDR5、LPDDR5X、UFS 4.0、以及HBM类高端技术产品的销售。尽管宏观经济环境仍然存在不确定性，不过随着年终促销、主要客户推出新款智能手机，消费端设备需求增加，三星认为存储芯片市场有望迎来复苏。

增加每个晶体管的纳米片数量可以增强驱动电流，提高性能。更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，增强其开关能力和操作速度。此外，更多的纳米片可以更好地控制电流，这有助于减少泄漏电流，从而降低功耗。此外，改进的电流控制也意味着晶体管产生更少的热量，从而提高了功率效率。

三星在去年6月量产了SF3E（3nm GAA），引入全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。明年计划带来名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，将使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的优化，之后还会有性能增强型的SF3P（3GAP+），更适合制造高性能芯片。到了2025年，三星将会开始大规模量产SF2（2nm）工艺。

台积电计划在2025年量产N2（2nm）工艺，而英特尔则争取在2024年量产Intel 20A工艺，这两款工艺都将引入GAA架构晶体管设计。

事实上自2021年推出Gaming Hub后，三星就逐渐停止对Steam Link应用程序的维护工作，在过去这两年里，不少用户反映Steam Link应用程序不断出现问题，比如串流分辨率超过1080P的游戏时，应用程序就会卡死。据Sammobile报道，Steam Link应用程序将会在2023年11月30日以后停止在三星电视上提供服务，Valve也确认了这一消息。

玩家仍然可以在Apple TV和Android设备上使用Steam Link应用程序，其中也包括NVIDIA SHIELD或Amazon Fire TV等设备。目前三星正在扩大Game Hub的使用范围，除了智能电视还在部分显示器上提供，玩家可以用来访问Xbox Game Pass，另外还有Amazon Luna、Antstream Arcade、Blacknut、NVIDIA GeForce Now和Utomik等流媒体服务。

有玩家表示，既然Valve选择利用Steam Deck重新进入硬件领域，应该考虑推出一个新款Steam Link串流盒子，让玩家可以使用官方设备在显示器和电视上串流Steam游戏库，不必依赖于不可靠的应用程序。

Galaxy Tab A9+有着简约时尚的设计和光滑的金属机身，山岩灰、星系银和海浪蓝都是三星经典的配色，每种色调都彰显出轻松惬意的魅力。其整体尺寸为168.7mm x 257.1mm x 6.9mm，重量为480g；搭载了11英寸的LCD屏幕，分辨率为1920 x 1200，刷新率为90Hz；搭载高通骁龙695平台，采用6nm工艺制造，为2+6二丛架构，Cortex A78大核+Cortex A55小核，主频为2.2 GHz；后置800万像素镜头，支持自动对焦，前置500万像素镜头；支持最高1TB的microSD存储卡；配备了7040mAh电池，提供了约13小时的续航时间；配有四扬声器，支持杜比全景声。

三星为Galaxy Tab A9+提供了多任务分屏功能，最多同时打开三个窗口，以完成多项任务。用户还能将重要数据存储在安全文件夹中，并在隐私仪表板上监控设备的整体安全状态。另外可以使用S互传功能，轻松快捷地分享照片、视频和文件。

HBM3E每引脚速度为9.8GB/s，意味着总带宽超过了1.2TB/s。为了实现更高堆叠层数和改善热特性，三星优化了非导电膜（NCF）技术，以消除芯片层之间的间隙，最大限度地提高导热性。目前采用8层和12层堆叠方案的HBM3已经开始批量生产，HBM3E的样品也正在向客户发货。三星还打算利用其整体半导体解决方案提供商的优势，提供结合下一代HBM、先进封装技术和代工产品的定制服务。

除了HBM3E外，本次发布会的其他重点产品还包括了业界最高容量的32Gb DDR5 DRAM、业界首款32Gbps GDDR7、以及能显著提升服务器应用存储能力的PB级别PBSSD。另外还展示了7.5Gbps的LPDDR5X CAMM21、9.6Gbps的LPDDR5X DRAM、专门用于设备上人工智能的LLW2 DRAM、下一代UFS、以及用于个人电脑的QLC SSD BM9C1。

所谓双堆栈架构，即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND闪存堆栈，然后在原有基础上再构建另一个堆栈，三星在2020年首次引入该技术。超过300层的第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度，使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘，或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜。此前SK海力士展示了全球首款321层NAND闪存，成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司，不知道三星可以做到多少层。

除了提高存储密度外，新款3D NAND闪存芯片的性能也将得到提升。三星表示，正在致力于开发下一代创造价值的新技术，其中包括了最大化3D NAND闪存输入/输出（I/O）速度的新结构。预计三星将带来990 Pro系列的继任者，采用PCIe 5.0接口的新一代旗舰SSD。

据了解，三星为了保证产量，可能会在第10代V-NAND技术上引入三堆栈架构，层数将达到430层。这意味着会增加原材料的使用量，并增加每个3D NAND晶圆的成本。去年三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出的长期愿景是，到2030年会将层数提高至1000层。

三星决定升级西安工厂主要有两个原因。第一是NAND闪存市场没有出现复苏迹象，即便今年4月开始采取减产措施也没有明显改变，为了保持其在该领域的领导地位，选择升级工艺可以确保产品的竞争力和价格，毕竟比起第6代V-NAND技术，第8代新技术的晶圆投入减少了30%左右，更能平衡市场供需。三星西安工厂作为采用第6代V-NAND技术的128层闪存产品的主要生产基地，开工率自然也大幅度下降。

美国的无限期豁免是另外一个原因，促使三星尽快升级生产设备。三星在西安的NAND闪存工厂是其唯一的海外存储半导体生产基地，第一工厂投资了108.7亿美元，于2014年5月开始投产，并在2017年开始建造第二工厂，先后投资了150亿美元，于2022年3月全面投产。这是全球产能最高的NAND闪存工厂，占三星NAND闪存总产量的40%以上，占全球NAND闪存总产量的10%以上。

争夺CXL市场的核心自然就是DRAM，三星和SK海力士是全球第一和第二大存储器厂商，当然不会错过CXL这片“新蓝海”，目前都在积极开发CXL技术，以提高服务器DRAM销量。CXL内存模块理论上在服务器中可以实现“无限”的DRAM扩展，而且还能统一不同信息处理设备直接的通信协议，简化了数据处理、减少了数据瓶颈、提高了能源效率，解决了现有计算机标准里DRAM的物理可扩展性问题。

近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，三星和SK海力士都认为，CXL是继HBM之后引领存储器市场的新技术，都打算加大投入，加速CXL技术开发，以抢占先机。

目前三星已经量产了HBM2E和HBM3，并开发了速率为9.8 Gbps的HBM3E，将很快向客户提供样品，以丰富高性能计算（HPC）和人工智能（AI）生态系统。三星还对新的HBM-PIM (processing-in-memory) 寄予厚望，通过加入计算功能，使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作，不但改善了内存带宽的瓶颈，而且在语音识别等特定工作负载中实现了高达12倍的性能提升和4倍的能效提升。

三星在去年年底成立了先进封装团队（AVP），提供了包括2.5D/3D的先进封装解决方案，以扩大芯片封装业务的收入。同时借此机会，最大限度地发挥各业务部门之间的协同效应，为芯片制造业务争取更多订单。有报道称，三星曾向英伟达建议，可以从台积电拿到制造好的芯片，然后采购三星的HBM3，并使用三星的I-Cube 2.5D封装来完成后续的工作。

据韩国代工芯片设计公司ADTechnology发布的一份新闻稿称，三星已经获得一份新的3nm订单，将为海外公司生产一款服务器级别的处理器，不但采用了3nm GAA工艺制造，而且还应用了2.5D系统级封装，与HBM类内存相结合，将多个芯片封装在一起。ADTechnology表示，该3nm项目将成为业界最大的半导体产品之一。

ADTechnology和三星都没有透露是哪个客户的订单，传闻来自美国，只知道是用于数据中心，由于与HBM类内存打包封装，所以更倾向于面向人工智能（AI）应用的芯片。与加密货币使用的芯片不同，这次3nm订单所要制造的芯片显然难度要大很多。

根据三星今年在业界研讨会上的介绍，目前的初代3nm工艺名为SF3E（3GAE），明年会带来名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，将使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的优化，之后还会有性能增强型的SF3P（3GAP+），更适合制造高性能芯片。

据The Elec报道，三星正在考虑明年推出配备折叠屏的笔记本电脑，将采用在Galaxy Z Fold / Flip 5上引入的水滴铰链。与之前使用的U型铰链相比，水滴铰链可以更紧密地折叠屏幕两侧，同时减少屏幕中间的折痕。不过这种技术用于笔记本电脑还是有不足的地方，可能迫使三星将笔记本电脑做得比以前更厚。此外，与智能手机相比，笔记本电脑与人的眼睛之间的距离更远，对水滴铰链的必要性降低。像LG和惠普等其他厂商，正努力将U型铰链做得更轻。

其实三星早在去年就想推出配备折叠屏的笔记本电脑，不过由于消费市场需求不高，故而推迟了相关计划，何况三星本身在笔记本电脑领域的市场份额就不大，所以更不会着急。有消息人士透露，三星正在权衡各种选择，希望在明年下半年消费市场复苏的时候顺势推出配备折叠屏的笔记本电脑，以获得最大的收益。

据称，三星考虑从自家或京东方处购入可折叠OLED面板。

凭借多代Galaxy Flip/Fold产品，三星已经成为了该细分市场的领导者，拥有着庞大的用户群。与游戏开发商展开合作，可以为这些可折叠设备量身定制独家游戏，更充分地利用手机的屏幕设计，而不仅仅是屏幕更大的智能手机。

据了解，除了Epic和腾讯，名单上还包括Krafton Inc、Nexon Games Co.、NCSOFT Corp和Pearl Abyss Corp等公司。三星与这些游戏开发商的合作还处于早期阶段，要看到实质性的游戏作品估计还要等上一段时间。同时三星可能还会注意到外接显示和无线手柄配对等周边设计，在未来的产品迭代中加以优化。

三星在一份声明中写道，通过与相关政府的密切协调，与其在华半导体生产线运营有关的不确定性已大大消除。SK海力士也在声明中称，欢迎决定延长出口管制规定的豁免，相信这一决定将有助于稳定全球半导体供应链。

由于三星和SK海力士在华的半导体投资规模相当大，这些工厂的生产比重超过了40%，同时在中国大陆地区的销售也很高，受限后对其运营和销售有很大的影响。未来几年内，这些工厂将面临生产设备升级的问题，而去年美国商务部给予为期一年的许可证显然无法满足这些企业的需求。目前三星和SK海力士在华工厂已被纳入“经过验证的最终用户（VEU）”，无需为每种情况单独获得许可证，也就是说今后将不受其他许可程序或期限限制。

根据统计数据，三星约40%的NAND闪存芯片产于西安的工厂，而SK海力士也有约40%的DRAM芯片在无锡的工厂生产，同时还有约20%的NAND闪存芯片产自大连的工厂。此外，三星在苏州还有封装设施，SK海力士的封装厂则位于重庆。