三星1βnm LPDDR产品良品率不佳，或打乱Galaxy S25系列生产计划

三星在今年4月公布2024年第一季度财报时，提及第二季度内量产基于1β (b) nm（第五代10nm级别）32Gb DDR5打造的128GB DRAM产品，比原计划里的下半年提前了几个月。按照三星的说法，这是为了更好地应对生成式AI日益增长的需求，接下来还会积极推进1β (b) nm LPDDR产品的生产工作，主要针对下一代Galaxy S25系列智能手机。

据TrendForce报道，三星电子的MX部门在上个月向DS部门表达了对用于Galaxy S25系列的1β (b) nm LPDDR样品交付延误的担忧。这些样品包括了12Gb和16Gb容量，但是由于良品率不佳，无法提供必要的数量。

据了解，通常需要80%以上的良品率，才能提供稳定且具有成本效益的大规模生产和供应。虽然暂时还不清楚三星目前1β (b) nm LPDDR产品的良品率，但很可能远低于80%的目标，这促使MX部门重新评估时间表和DRAM采购计划，以免影响到新机型的生产和发布。

Galaxy S25系列所面临的问题不仅仅来自DRAM，传闻三星很可能放弃Galaxy S24系列双平台战略，选择让高通第四代骁龙8独占，原因也是良品率。Exynos 2500采用了三星第二代3nm工艺技术，也就是SF3（3GAP），过去几个月里三星已尽了最大的努力，可是情况似乎没有什么改善，良品率仍然“低于预期”。

尽管采用1β (b) nm工艺在生产上似乎遇到一些问题，但三星仍然打算在年底前流片HBM4，并选择更先进的1cnm工艺（第六代10nm级别）制造，甚至为此加大投资，扩大生产线。