三星在上个月成立了新的“HBM开发团队”，将专注于HBM3、HBM3E和下一代HBM4技术的相关开发工作，以提高三星在HBM市场的竞争力。三星早在2015年就在DRAM部门里组建了专门负责HBM产品开发的团队，这次组织架构的改组进一步做了加强，而且似乎很快便在HBM4开发上取得了进展。
据The Elec报道，三星将在年底前流片HBM4，属于第六代HBM产品，此举被认为是为2025年底大规模生产奠定基础。由于从流片到最终确定测试产品之间的时间跨度可能在三到四个月之间，三星的HBM4测试产品预计最早会在明年初发布，之后三星将继续做改进，直到将样品发送给主要客户。
三星的HBM4为12层垂直堆叠，打算选择4nm工艺用于大规模生产HBM4的基础裸片，并采用1cnm工艺制造DRAM芯片。虽然相比于7/8nm工艺，采用4nm工艺的成本要高得多，但是会带来更好的芯片性能，同时能耗方面也有更明显的优势。三星目前采用10nm工艺生产HBM3E的基础裸片，在新一代HBM4上换成4nm工艺可以增强其在HBM领域的竞争优势。
竞争对手SK海力士计划2025年下半年量产12层垂直堆叠的HBM4，打算采用台积电（TSMC）的N5和N12FFC+工艺制造基础裸片，DRAM芯片则是在1β (b) nm和1cnm之间做选择。有消息称，SK海力士原本更倾向于1β (b) nm工艺，但是随着三星采用1cnm工艺制造DRAM芯片，内部最后有可能决定追随三星的做法，换成1cnm工艺。
纠结的板砖研究生 08-19 19:26 | 加入黑名单
这工艺的名字就挺牛逼的，不愧是地星最高素质的文明人。
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