三星和SK海力士将在3D DRAM应用混合键合技术，最快2025年引入新结构

三星和SK海力士是存储器领域的领导者，位列DRAM行业前两名，都已投入到3D DRAM商业化进程中，希望借此改变存储器行业的游戏规则。排在第三的美光从2019年起就开始了3D DRAM的研究，获得的专利数量是三星和SK海力士的两到三倍，这也迫使三星和SK海力士加快3D DRAM的开发。

据The Elec报道，随着三星和SK海力士都已确认，在即将到来的3D DRAM上加入混合键合技术。前者初步计划在2025年推出3D DRAM芯片，后者还没有确定具体实施的时间。目前三星和SK海力士使用了微凸块来连接DRAM模块，但混合键合可以通过使用硅通孔（TSV）垂直堆叠芯片，以消除对微凸块的需求，从而显着减少芯片厚度。

3D DRAM是DRAM的未来概念，也就是DRAM单元垂直堆叠，是一种具有全新结构的存储芯片，打破了原有的模式，就像今天的NAND单元垂直堆叠一样。3D DRAM不是简单地将2D DRAM组件放在一侧，然后将其堆叠在一起，重新设计的DRAM架构可以层层叠叠，过程与NAND闪存类似，其中还会应用一些先进的晶体管制造技术。

3D DRAM设计重点是解决缩放和多层堆叠的难题，另外还有电容器和晶体管缩小，以及单元间连接和通孔阵列，最后还有制定相应的工艺要求。通过垂直堆叠单元，3D DRAM芯片将单位面积的容量增加三倍，而当前的HBM是垂直连接多个DRAM芯片，两者是不一样的。

此外，三星还在探索4F Square DRAM，并计划将混合键合集成到生产过程中。与目前已经商业化的6F Square DRAM相比，可将芯片表面积减少30%。传闻三星打算推进到10nm或更先进的工艺时，在DRAM中引入新结构。