随着智能手机、平板电脑还有固态硬盘的兴起,业界对NAND闪存的需求量大增。日前,有消息报道,三星(Samsung)将与东芝(Toshiba)通力合作,开发新一代高速NAND闪存,并计划在2011年投入量产。 这款NAND使用Toggle DDR 2.0规格内存,传输速度可达400Mbps;另外,公司方面希望20纳米级别的NAND闪存都可支持Toggle DDR 2.0规格。
更多消息,可参阅东芝官方网站。