速率10.7Gbps的LPDDR5X采用了12nm级别的工艺技术，实现了三星现有LPDDR中最小的芯片尺寸。相比于上一代产品，这次的新款LPDDR5X在性能上提高了25%以上，容量也提升了30%以上，同时还将移动DRAM的单封装容量扩展到了32GB，成为端侧人工智能时代里高性能、大容量和低功耗内存的理想解决方案。

三星还采用了专门的节能技术，可根据工作负载频率调整和优化供电模式，以及扩展低功耗模式频段从而延长低能耗工作时长。这些改进使得速率10.7Gbps的LPDDR5X在能效上有了进一步的提升，相比上一代产品提高了25%，延长了移动设备的电池续航时间，并降低了处理服务器处理数据的能耗，最大限度地降低了总体拥有成本（TCO）。

在与设备供应商完成验证后，三星计划在今年下半年开始量产速率10.7Gbps的LPDDR5X。

美光希望未来几年继续在HBM和GDDR类内存上努力，此前已推出业界首款带宽超过1.2 TB/s、引脚速度超过9.2 GB/s、8层垂直堆叠的24GB容量HBM3 Gen2，对应的应该就是路线图上显示的HBM3E。美光该款HBM3E将于2024年初到来，预计会在英伟达面向AI和HPC推出的新一代GPU上首次亮相。美光还在准备12层垂直堆叠的单品36GB HBM3E芯片，将会在2025年推出。

更大变化的将是HBM4，计划在2026年发布，内存堆栈将采用2048位接口，带宽超过1.5 TB/s。美光打算在2026年至2027年之间，推出容量在36GB至48GB、12/16层垂直堆叠的产品。到了2028年还会有HBM4E，频率将进一步提升，容量将增加至48GB到64GB，带宽增加至2 TB/s以上。

下一个GDDR版本，也就是GDDR7将会在2024年末到来，每个数据I/O接口的速率达到了32 Gbps，容量为16Gb至24Gb。预计到2026年末，单个芯片的容量会超过24Gb，速率也会提升至36 Gbps。

美光预计在2025年提供128GB至256GB的MCR DIMM内存模块，数据传输速率为8800 MT/s，然后在2026年或2027年提供容量超过256GB的MCR DIMM内存模块，数据传输速率会攀升至12800 MT/s。同时美光准备推出支持CXL 2.0的内存模块，容量在128GB至256GB，带宽将达到36 GB/s，接下来还有支持CXL 3.x的内存模块，容量超过256GB，带宽超过72 GB/s。

对于低功耗应用，业界将继续使用LPDDR内存。美光速率为8533 MT/s或9600 MT/s的LPDDR5X将继续使用一段时间，然后从2025年开始提供基于LPDDR设计的LPCAMM2内存，速率为8533 MT/s，容量在16GB至128GB，到了2026年中旬还会有速率为9600 MT/s、容量超过192GB的产品。

据SK海力士介绍，24GB LPDDR5X DRAM封装产品依旧在JEDEC规定的1.01V至1.12V超低电压范围下运行，数据处理速度为68GB/s，相当于每秒可以传输13部全高清级别的电影。自上个月进入量产后，已供货给智能手机制造商OPPO，用于新款旗舰机型“一加 Ace2 Pro”，新品很快便会上市销售。

SK海力士强调：“公司将HKMG（High-K Metal Gate）工艺引入LPDDR5X 24GB封装产品中，可同时体现业界最高水平的能效和性能。此次将目前唯一的24GB高容量封装产品添加到公司移动DRAM组合中，今后可以更广泛地应对客户的要求。”

相比于常规的DRAM，低功耗是LPDDR5X最有竞争力的特性之一，SK海力士利用HKMG工艺，既提高了性能，又降低了功耗，实现了积极的扩展和高效率。SK海力士DRAM营销担当副社长朴明秀表示，这类型内存不仅适用于移动设备，也将扩展到PC、服务器、高性能计算（HPC）和汽车等领域。

SK海力士计划近期向客户提供LPDDR5T内存样板，为16GB容量的封装，数据处理速度为77GB/s，最终在下半年推进产品的量产。在SK海力士看来，在推出8.5 Gbps的LPDDR5内存后，仅相隔两个月就再次突破技术局限，为客户提供多种容量的所需产品，可进一步巩固其DRAM市场领导地位。

SK海力士相信在下一代LPDDR6问世之前，大幅度拉开技术差距的LPDDR5T内存可以主导市场，能够满足高速度、高容量、低功耗等所有配置高性能存储器的需求增长。LPDDR5T内存的应用范围不仅限于智能手机，还能扩展到人工智能（AI）、机器学习（ML）、以及增强/虚拟现实（AR/VR）。

相比于常规的DRAM，低功耗是LPDDR5X最有竞争力的特性之一，这是由于移动设备功率有限，因此有必要尽可能地延长使用的时间，这就是降低功耗与提高运行速度同样重要的原因。SK海力士利用HKMG工艺，既提高了性能，又降低了功耗，可谓是一石二鸟，实现了积极的扩展和高效率。

随着低功耗LPDDR5X的引入，移动设备充电一次就可以使用更长的时间了。同时这次SK海力士的LPDDR5X数据传输速率提高到了8533 MT/s，比前代产品快了33%，以提高包括5G通信性能、汽车高分辨率增强现实/虚拟现实和使用AI的边缘计算等应用场景的内存性能。

近年来，SK海力士在移动DRAM上紧跟市场趋势，研发投入相当大。去年SK海力士就量产了18GB的LPDDR5，这也是目前业界同类产品中最大的容量。随着这次集成HKMG工艺的LPDDR5X的推出，以更少的电力消耗提供了更快的速度，SK海力士进一步巩固了其在内存半导体领域的领导地位。

8.5 Gbps的速率是目前LPDDR5（6.4 Gbps）的1.3倍，在三星采用14nm工艺以后，功耗也比LPDDR5降低了约20%。16Gbit的单芯片容量，最大封装容量为64GB，以满足移动领域更高容量的需求。此前三星已开始量产采用EUV（极紫外）技术的14nm工艺制造DDR5 DRAM，或许未来也会应用在LPDDR5X。

过去十多年来，三星一直推动高端智能手机的移动DRAM市场，让更多的消费者能够在移动设备上体验更为强大的计算能力。由于低功耗及高性能特性，LPDDR内存家族正迅速地在现代计算设备上普及，目前已遍布智能手机、PC、HPC、服务器和汽车领域，在过去几年中有着非常强劲的增长。

由于LPDDR系列内存在小尺寸中将低功耗和高性能相结合，可以帮助PC制造商，构建更小，更轻，更强大的笔记本电脑。三星认为，随着自动驾驶功能更广泛地应用，LPDDR系列这样的高带宽存储器可以更快地处理车辆的数据。对于数据中心和边缘服务器，LPDDR系列内存也有助于降低功耗，减少热量和碳排放，同时改善数据中心管理人员的总拥有成本（TCO）。

三星表示，自从去年发布14nm的LPDDR5X以后，一直与高通展开密切合作，为其用于骁龙移动平台做优化。这款LPDDR5X速率为7.5 Gbps，是一般LPDDR5（6.4 Gbps）的1.2倍，可以提升超高分辨率视频录制的性能，以及语音识别、图像识别和自然语言处理等AI性能。通过采用先进的电路设计，以及动态电压和频率缩放（DVFS）技术，LPDDR5X的功耗降低了约20%。

三星相关负责人表示，其LPDDR5X解决方案在高通骁龙移动平台的成功验证，再次证明了三星在DRAM技术方面的领先地位。三星希望这种高性能、低功耗内存的应用范围，能够从智能手机扩展到数据中心、PC和汽车领域，从而使更多设备和系统能够以更高的效率运行。

根据JEDEC固态存储协会去年公布的LPDDR5X的标准，其传输速率可提高到8533MT/s、提供更高的带宽和简化的架构、通过TX/RX均衡改善信号完整性、以及通过新的自适应刷新管理提高可靠性。此次三星的LPDDR5X速率为7.5 Gbps，未来应该会有更高速率的产品出现。

在今年7月份，JEDEC固态存储协会正式公布了JESD209-5B标准即LPDDR5X的标准，由JEDEC的JC-42.6低功耗存储器小组委员会开发，三星也参与了相关工作。这是对LPDDR5的可选扩展，专注于提高性能、功耗和灵活性，旨在提高包括5G通信性能、汽车高分辨率增强现实/虚拟现实和使用AI的边缘计算等应用场景的内存性能。

相比之前的LPDDR5，改进后的LPDDR5X在多方面做了更新，包括传输速率提高到了8533MT/s；通过TX/RX均衡改善信号完整性；通过新的自适应刷新管理提高可靠性；作为可选扩展，旨在提供更高的带宽和简化的架构。

今天JEDEC固态存储协会正式公布了JESD209-5B标准即LPDDR5X的标准，由JEDEC的JC-42.6低功耗存储器小组委员会开发，这是对LPDDR5的可选扩展，专注于提高性能、功耗和灵活性，旨在提高包括5G通信性能、汽车高分辨率增强现实/虚拟现实和使用AI的边缘计算等应用场景的内存性能。

此最新版的主要更新包括了：1、传输速率提高到了8533MT/s。2、通过TX/RX均衡改善信号完整性。3、通过新的自适应刷新管理提高可靠性。4、LPDDR5X作为可选扩展，旨在提供更高的带宽和简化的架构。

美光、三星和Synopsys都参与了LPDDR5X的标准制定工作，各方都希望新标准可以为下一代智能手机、笔记本电脑和其他移动计算设备铺平道路，打开5G和AI应用的大门，为游戏、摄影和流媒体等内存密集型应用提供更好的用户体验。