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Tokyo Electron开发出全新蚀刻技术,用于堆叠超过400层的3D NAND闪存芯片
吕嘉俭 发布于2023-06-12 15:23 / 关键字: NAND
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市场供需仍不平衡:第二季度DRAM及NAND闪存均价跌幅或将扩大
艾文龙 发布于2023-05-10 10:56 / 关键字: DRAM, NAND, 闪存
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铠侠和西部数据将展示300+层3D NAND闪存,进一步提高性能和密度
吕嘉俭 发布于2023-05-05 17:23 / 关键字: 西部数据, WD, NAND, Kioxia, 铠侠
2023年VLSI技术和电路研讨会将于2023年6月11至16日在日本京都举行,铠侠(Kioxia)和西部数据将展示最新的创新成果,以支持未来更高容量、更高性能的3D NAND存储设备。
据eeNewsEurope报道,铠侠和西部数据正在寻求实现8平面(eight-plane)的1Tb 3D TLC NAND闪存,具有超过210个活动层,接口速率达到了3.2 GT/s。这与今年3月推出的218层3D NAND闪存非常相似,密度为17Gb/mm^2,只不过从4平面变成了8平面,这一定程度上也增加了存储控制的复杂性,推高了开发和制造的成本,产品开发的时间也变长了。据称,其程序吞吐量为205 MB/s,读取延迟为40μs。
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三星开始削减NAND闪存的产量:大概减少5%,主要集中在其西安工厂
吕嘉俭 发布于2023-04-20 18:10 / 关键字: 三星, Samsung, NAND
此前三星发出了2023年第一季度的“盈利指引”,显示经营持续恶化,收入同比下跌19%,利润同比下跌95.8%,这是自2008年金融风暴以来最差的业绩表现。其中存储器部门业绩恶化是导致2023年第一季度营收减少的主要原因,为此三星改变了“不减产”的说法,表示“将存储芯片产量调整至有意义的水平,已有足够的库存来应对未来需求”。
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三星减产将集中在DDR4内存上:加速去库存,价格或更早地出现反弹
吕嘉俭 发布于2023-04-11 10:46 / 关键字: 三星, Samsung, DRAM, NAND
此前三星发出了2023年第一季度的“盈利指引”,显示经营持续恶化,收入同比下跌19%,利润同比下跌95.8%,这是自2008年金融风暴以来最差的业绩表现。其中存储器部门业绩恶化是导致2023年第一季度营收减少的主要原因,为此三星改变了“不减产”的说法,表示“将存储芯片产量调整至有意义的水平,已有足够的库存来应对未来需求”。
三星的减产从本周开始,这是其过去27年来首次宣布减产,一改“逆周期”的做法,不过并没有说明各类型产品的减产情况。据DigiTimes报道,有业内人士指出,三星的减产主要集中在DDR4上,以更好地去库存,这最终会影响产品的价格。无论哪种方式,DDR4的库存恢复到正常水平后,价格将会出现反弹。
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2028年SSD市场规模预计将达到670亿美元,复合年增长率约为15%
吕嘉俭 发布于2023-04-06 16:51 / 关键字: NAND
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铠侠和西部数据宣布推出218层3D NAND闪存,引入开创性的CBA技术
吕嘉俭 发布于2023-03-31 12:05 / 关键字: 西部数据, WD, NAND, Kioxia, 铠侠
铠侠(Kioxia)和西部数据宣布,推出218层BiCS8 3D NAND闪存。其采用了先进的缩放和晶圆键合技术,以极具吸引力的成本提供了卓越的容量、性能和可靠性,非常适合满足广泛细分市场中数据呈指数级增长的存储需求。
铠侠和西部数据通过引入几个独特的工艺和架构来降低成本,实现了持续的横向扩展。这次在垂直和横向扩展之间取得了平衡,可以在更小的芯片中生产出更大的容量,而且层数更少,成本也得到了优化。双方开发了开创性的CBA(CMOS directly Bonded to Array)技术,将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆都是在其最优状态下单独制造的,然后粘合在一起,以提供增强的位密度和快速的NAND I/O接口速度。
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NAND闪存价格2023Q2继续下滑:跌幅在5%至10%,是否止跌取决于下半年需求
吕嘉俭 发布于2023-03-31 09:02 / 关键字: NAND
虽然在过去的一段时间里,各大供应商不断减产,不过从服务器、智能手机到笔记本电脑等各个细分领域的需求都没有起色,NAND闪存依然处于供过于求的状态。
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2022Q4全球NAND闪存出货量环比增长5.3%,总营收环比下降25%
艾文龙 发布于2023-03-17 10:29 / 关键字: NAND, 三星, 铠侠
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需求下滑致SSD合约价格跌幅扩大,2022Q4原厂企业SSD收入仅为37.9亿美元
吕嘉俭 发布于2023-03-07 12:18 / 关键字: NAND
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三星在DRAM和NAND市场份额继续位列第一,不过正面临竞争对手的挑战
吕嘉俭 发布于2023-01-30 12:00 / 关键字: 三星, Samsung, DRAM, NAND
三星在半导体存储器行业的领导地位已保持多年,NAND闪存市场已连续二十年位列第一,DRAM市场位居榜首更是长达三十年之久,市场份额均领先竞争对手10%以上。据Business Korea报道,随着其他厂商开始在DRAM和NAND闪存市场发力,威胁到三星的技术领先位置。
美光在去年5月宣布推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存,并在2022年末开始生产,其采用了CuA架构,使用NAND的字符串堆叠技术,初始容量为1Tb(128GB)。到了8月,长江存储发布了基于晶栈3.0(Xtacking 3.0)架构的第四代3D TLC闪存芯片,名为X3-9070。在同一个月,SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存,并已经向合作伙伴发送238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品。
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消费级SSD需求增速放缓,未来三年NAND闪存需求年增率或将保持在30%以下
艾文龙 发布于2022-12-27 19:14 / 关键字: TrendForce, SSD, NAND
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美光开始出货2550系列NVMe固态硬盘:采用232层TLC NAND闪存
艾文龙 发布于2022-12-07 10:32 / 关键字: 美光, 固态硬盘, NAND
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预计明年半导体行业收入将下降3.6%,存储市场将会有较大跌幅
吕嘉俭 发布于2022-11-29 11:26 / 关键字: DRAM, NAND
根据Gartner的数据,由于全球通胀、经济疲软、需求减弱、以及成本上升等原因,明年半导体行业收入将下降,跌幅为3.6%,从2022年的6180亿美元降至5960亿美元,低于此前预测的6230亿美元。
半导体行业收入在2021年迎来了高增长,增幅达到了26.3%,2022年的增幅已下降到4%,明年将转升为跌,2023年的收入与2021年的5950亿美元相近。预计明年消费者的需求将下降,主要原因是可支配收入减少,这与通货膨胀及其他地方成本增加有关。企业市场的需求相对比较稳定,下降幅度小于消费市场,且更具有弹性。
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全球NAND闪存收入在2022Q3环比下跌24.3%,铠侠取代SK海力士跃升至第二名
吕嘉俭 发布于2022-11-24 10:05 / 关键字: NAND
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