我们说的TLC闪存准确来说是3bit MLC，每个Cell单元可以储存3个数据，有23=8个状态，而QLC则是4bit MLC，每个Cell单元能存储4位数据，有24=16个状态，因此QLC闪存的容量更大，成本更低，但4位数据带来的挑战也很大，更精确的电压控制、更复杂的干扰等问题都会影响QLC闪存的性能及可靠性。

目前QLC闪存普遍停留在研究阶段，商业生产还早，但QLC的大容量低成本对厂商来说是个不可抗拒的诱惑，Intel、美光前不久正式发布了3D闪存技术，而3D闪存对发展TLC以及QLC闪存是个良机，传统平面NAND闪存在提升容量及可靠性上日渐乏力，但3D堆栈技术使得闪存可靠性及速度都有所改善。

Intel、美光的3D闪存目前主要是256Gb核心的MLC闪存，今年秋季会推出384Gb核心容量的TLC闪存，而QLC闪存也在开发中，虽然现在还没有确定的时间表，但QLC闪存迟早也会出现在我们的视野中的，届时我们可以在2.5寸硬盘上轻松实现10TB+的容量。

TLC闪存（准确地说是3bit MLC）在我们的生活中其实并不罕见，我们现在用的U盘，特别是价格很实惠的那些，差不多都是TLC闪存了，其他外置NAND存储设备也是TLC闪存的大客户。但厂商对TLC的偏爱并不止这些，以往TLC闪存都是用在偏重成本的领域，但现在TLC闪存开始侵入到SSD、eMMC/eCMP等主流市场了。

四大NAND豪门中，三星对TLC闪存最为热心，他们2年前就开始在消费级SSD市场上推TLC闪存硬盘了，现在已经出了840、840 Evo及850 Evo三代了，前几天三星还推出了128GB容量的eMMC闪存，手机、平板等智能设备上大面积使用TLC闪存已经不远了，去年苹果已经在iPhone 6/6 Plus上尝试使用TLC闪存了。

今年底TLC闪存将占据45%的市场份额

根据dramexchange的统计，去年A4季度TLC闪存已经占据了37%的市场份额了，今年TLC闪存份额还会继续上涨，上半年因为季节因素变化不大，但Q4季度预计TLC闪存就会占据45%的市场份额，接近一半的市场份额了。

由于TLC闪存的成本通常只有MLC闪存的80-85%，厂商偏爱TLC闪存无可厚非。实际上现在的TLC闪存也逐渐解决了以往的问题，性能可以靠加大缓存、改进主控等方式解决，P/E寿命虽然没得改，但可靠性可以借助增加ECC校验、优化主控读写等方式改善，而且对NAND闪存来说，容量就是寿命，更大的容量就有了更高的数据写入寿命。

总之，TLC闪存已经是大势所趋，它的性能及可靠性问题可以借助其他技术改善（虽然不能彻底改变）。由于市场对大容量、低价格的闪存有庞大的需求，TLC闪存已经不满足于U盘等低端市场，SSD及消费电子领域大量应用TLC只不过是时间问题。

平面TLC闪存时代主要是三星在推，目前三星已经转向3D闪存了，东芝/闪迪、Intel/美光、SK Hynix等厂商也各自开发了3D NAND技术，虽然初期都是以MLC为主，但他们很快也会跟三星一样推出3D NAND技术的TLC闪存。

白片其实只是一个通俗的叫法，并没有一个明确的定义，SSD上那些不使用原厂封装的闪存大家基本都这样叫，所谓的白片主要就是第三方封装的良品颗粒（Good Die），这些Good Die的来源主要是从晶圆生产厂购买晶圆回来自己切割封装，理论上产品质量是与原厂闪存一样的，但是具体的要看各厂品控。而过不了原厂测试的就是黑片 （Inked Die），这种不良品基本不会有人够胆用在SSD上的。

在品控方面各个厂家有各自的标准，Good Die的质量也参差不齐，不过厂家一般也不会乱用质量差的闪存，否则随时会被售后返修拖垮，以前的OCZ就是一个经典的例子，长期保持较高的返修率，不但对财政是一个负担，还致使消费者对他的产品失去信心，最终导致破产，被东芝收购后就安分多了。

原厂美光16nm ONFI 3.0同步闪存

当然了，用不用白片对厂家来说可能只是一个数学问题，但对用户来说这关乎到自身数据的安全，硬盘挂了这绝不好玩，许多玩家在选购SSD的时候会纠结那个SSD用的是不是用的原厂闪存，其实就是为图个安心，今天我们就来盘点一下现在哪些厂家的SSD产品全部都是使用原厂闪存的。

首先是那些可以自己生产闪存的厂家：‍‍‍‍I‍‍ntel、美光、三星、海力士、东芝、闪迪‍‍‍‍‍‍， 其中Intel与美光有合资厂，东芝与闪迪也有合资厂，三星与海力士则是单干，他们的产品基本上只会用自家的闪存，都是原厂原封，自然也不会存在用白片的情况，当然了也不见得自己生产闪存就不会用别家的，比如Intel就有在自己的SSD Pro 2500系列上用海力士闪存。

还有就是没有生产闪存能力的但是一直坚持使用原厂闪存的厂家：‍‍浦科特、建兴、海盗船，可能还有些遗漏的，搜了下这几个厂商并没有什么用白片的黑历史，它们所销售的SSD用的都是原厂封装的闪存，在品质比较有保障。

最后提一下OCZ，当年的白片小王子玩脱破产了，现在被东芝收购后从良了，有了稳定的闪存来源，新出的那几款SSD都用的是东芝原厂闪存，新的产品质量较以前让人安心多了。

现在SSD品牌都使用原厂闪存的大概就以上这些（即Intel、美光、三星、海力士、东芝、闪迪，浦科特、建兴、海盗船、OCZ），其他厂商的产品有些是部分型号使用原厂闪存，部分则使用Good Die，这个其实还好一点，看准型号来买就行了。而有些厂商则是在同一型号中混用原厂片与Good Die，这简直坑爹，这类产品我建议消费者回避。

根据三星公布的数据，2014年Q4营收额比上一季度增长了11%，利润增长1.23亿韩元（近30%），均高于预期，此前三星预计的成绩为52万亿韩元和5.2亿韩元。而2013年同期两个成绩分别是59.3万亿韩元和8.31万亿韩元，盈利能力大幅下滑。

的移动通信部门营收26.29万亿韩元、利润1.96万亿韩元，相比2013年同期还差很远，但对比上一季度则有进步，算是有进步一方面是由于Galaxy Note 4等高端型号热卖，另一方面是对市场营销成本实行更有效的管理。

设备解决方案部门为三星电子提供了最多的利润，这一部分营收10.66万亿韩元、利润2.7万亿韩元，服务器、数据中心、个人方面的存储需求以及新智能手机带动了DRAM产品的增长，另外20nm工艺移动处理器也有不错的增长。

液晶显示面板也有增长，营收7.05万亿韩元、利润4700亿韩元，其中LCD是由于行业供求关系紧张，平均售价上升，营收也随之获得了强劲的增长。

其余包括液晶电视、数码家电、打印机、健康与医疗设备等，合集营收14.27万亿韩元、利润1800亿韩元，其中平板电视赶上了年底旺季，环比增长20%。

花旗银行分析師Joe Yoo日前发表报告称三星、HTC等公司明年有望跟进苹果的策略，推出容量更大的手机，入门款容量可能也是16GB，之后就是64GB，32GB版也会被取消。这样会使得NAND需求更大，而相关的NAND公司则会受益。这个分析师已将苹果NAND主要供应商之一的SanDisk公司的股票评为“买进”，目标股价125美元。

此外，Joe Yoo还指出，iPhone 6及6 Plus的需求在未来两年还会保持稳定之态，NAND闪存供应也会吃紧。

看起来明年的新一代手机存储容量增大是跑不了的，不过希望这些公司学苹果也学好的地方，iPhone 6和6 Plus大容量版因为TLC闪存已经闹得满城风雨，明年SanDisk/东芝的15nm TLC闪存也会量产，三星的TLC已经量产了（虽然苹果暂时还没用三星的TLC闪存），美光TLC闪存也差不多时候了，明年大家买手机真的要看运气了。

三星Q3季度NAND营收24.58亿美元，环比增长8.2%，占据了29.7%的份额，相比Q2季度的30.8%份额有所下降，不过排名不变，依然是全球最大的NAND厂商。

东芝当季营收19.4亿美元，环比大涨了23.7%，是几大NAND厂商中涨幅最高的，市场份额也从Q2季度的20.5%提升到了22.6%，虽然还是落后三星，不过差距越来越小了。

与东芝同门的闪迪公司营收16.1亿美元，环比增长6.5%，市场份额18.8%，比Q2季度的19.7%有所下滑。

第四位的是美光，NAND营收10.5亿美元，营收环比增长5.9%，份额12.2%，相比Q2的12.9%也有所下降。

第五名的是SK Hynix，NAND营收8.81亿美元，环比增长了21.7%，市场份额10.3%。

第六位的就是Intel了，营收5.54亿美元，增长了10.1%，市场份额6.5%。

全球6大NAND豪门分数四系，这几年领跑的一直是三星，此前三星投资70亿美元在西安建厂，主要生产3bit MLC（也就是TLC闪存），而且是基于V-NAND技术的。东芝、闪迪共同开发生产，15nm TLC闪存也箭在弦上，明年Q1季度量产。这三家实力最为雄厚，在下一代TLC闪存上还会继续领先。

此前一期工程已经试产过15nm NAND闪存，不过15nm工艺的主力还是新建成的二期工厂，今年底就会大规模投产了。

同时在四日市新建的Fab 2工厂则主要瞄向了3D闪存，目前三星已经量产了V-NAND闪存，而且在中国西安投资70亿美元新建晶圆厂生产3D闪存，东芝和闪迪进入3D闪存的进度没这么快，今年建工厂，2016年才能投产3D闪存。

NAND闪存的重要性不必说，目前SSD固态硬盘以及消费电子上所用的存储器多数都是基于NAND闪存，目前全球主要的NAND产能都掌握在三星电子、东芝/闪迪、SK Hynix及Intel、美光合资的IMFT这四大豪门中，剩下的则由台系半导体厂商等瓜分，挤进NAND市场可不容易。

中芯国际以往发展过130nm到65nm制程的NOR闪存，不过NOR闪存现在属于过时的产品了，转向NAND闪存也是自然而然的事了。中芯国际推出的NAND闪存制程为38nm，与目前主流的20/19nm差了一代，而且东芝、美光新一代的16/15nm制程年底就会量产，所以中芯国际与国际大厂还有一定的差距。

据官网所说，这种NAND制程完全是中芯国际自主研发的，38nm工艺对于降低NAND成本、提高产量来显然不如更先进的25、20nm，不过制程低了也有好处，那就是NAND的可靠性更好，P/E擦写次数更高，只不过现在还不清楚中芯国际的38nm NAND的细节。

对中芯国际来说，38nm NAND其实也是个过渡，官方新闻中也提到了这是他们升级到更先进的2x/1xnm及3D闪存的基础，由此看来新工艺其实也是在研发中了。

路透社报道，东芝及闪迪评估之后认为这次泄密造成的损失高达千亿日元，所以提出赔偿金额为1091.5亿日元，折合10.8亿美元。

不过，生意场上的竞争、合作甚至法律诉讼实乃常事，就在双方大战的同时，东芝与SK Hynix还在共同研发新一代存储技术MRAM（Magnetic Random Access Memory，磁阻随机存取存储器），就算双方在法庭上势同水火，但是东芝公司重申双方合作不受影响。

对普通消费者来说，Fusion-IO其名不扬，因为他们的产品主要面向企业级市场，以高性能、高价格的PCI-E硬盘为主，不仅出产硬件产品，还会提供ioMemory等配套软件，我们之前也测过了他们的ioDrive2 1.2TB硬盘，性能很强悍。至于闪迪公司，他们的存储卡产品很出名，不过SSD固态硬盘也是强大的存在，与东芝合建NAND晶圆厂，今年就会推出15nm工艺的下一代NAND闪存，而东芝-闪迪系也是与三星、IMFT、SK Hynix驰名的全球四大NAND豪门之一。

不过相比三星、Intel在企业级市场上的建树，闪迪在这一市场上表现并不是很好，需要进一步扩大企业级市场的份额，相信这也是闪迪巨额现金收购Fusion-IO的目的之一。

根据协议，闪迪公司将以每股11.25美元的价格收购Fusion-IO公司未偿付股票，支付方式为现金。目前双方董事会已经批准了收购协议，预计整个收购在闪迪公司2014财年Q3季度之前完成，并反映在闪迪公司2015年财年Q2季度非GAAP营收中。

从OCZ到Fusion-IO，他们在NAND行业中曾经都是强大的存在，但是现实情况告诉我们，没有自己的NAND闪存供应，这些公司的前景都不怎么样，这跟移动处理器的Fabless无晶圆半导体企业截然相反。其实不仅是NAND闪存，SSD主控公司也面临一样的命运，SandForce公司已经三次卖身了，Marvell主控是个例外，因为Marvell公司并不是单靠SSD主控的。从现有迹象来看，拥有自己主控的NAND四大豪门才是主流，小公司将日益边缘化。

Digitimes援引业界消息称，目前三星、东芝、美光及SK Hynix分别占据了全球NAND市场的40%、25%、15%、12%份额，留给其他厂商的空间并不多，但是这四大NAND厂商主要产品是高密度NAND闪存，用于从eMMC到SSD等多种产品，而旺宏及华邦电子重点关注的是低密度NAND闪存，也就是SLC类产品。

旺宏电子目前可以提供自己开发的36nm工艺SLC闪存，计划在2014年下半年使用12英寸晶圆厂扩大产能，他们的产品主要着眼于汽车导航和电信领域。

此外，力晶半导体（powerchip）在瑞萨电子的技术支持下也开始提供NAND产品。

目前该案件正在调查中，SK Hynix及东芝公司相关人员拒绝置评。

这不是东芝公司与SK Hynix公司有关NAND专利的第一次官司了，2004年东芝就以侵犯NAND及DRAM专利权为由对SK Hynix公司发起了诉讼，2年后Hynix公司与东芝及闪迪公司签署了专利交叉许可协议，虽然双方没有透露具体的协议内容，不过SK Hynix据信是赔付了现金的。

高科技公司里的专利侵权及技术泄密案永远也不会停止，自己开发新技术总是不如用巧妙方法获得更省事，不是吗？只要有公司这样认为，这样的案件还会继续发生。

　　OCZ CEO及东芝半导体的副总照例也会对这个交易大加赞扬一番，从OCZ的表述来看，他们通过这个交易获得了稳定的NAND供应，解决了过去几年困扰OCZ的供应难题，NAND供应可以说是导致OCZ竞争不利的主因。东芝则可以获得自己缺少的主控和固件支持，也能给客户独立提供完整的SSD固态硬盘解决方案了。

　　目前这个交易已经通过了OCZ董事会的批准，预计在60天内完成。