东芝的BG系列SSD硬盘主打轻薄、小巧，使用的是单芯片封装，将主控及NAND闪存封装在一起，所以规格也比较特殊，BG4可以是M.2 1620或者可拆分的M.2 2230规格，厚度还比BG3系列减少0.2毫米。

东芝BG4硬盘的NAND闪存升级到了最新的96层堆栈3D TLC闪存，相比64层堆栈的3D TLC闪存容量更大，所以最大容量提升到了1TB，是之前的两倍。此外，BG4的主控也从之前的PCIe 3.0 x2通道提升到了PCIe 3.0 x4通道，性能更强，连续读取速度2.25GB/s，连续写入1.7GB/s，随机读取330K IOPS，随机写入190K IOPS。

除了性能跟提升，东芝还优化了BG4硬盘的功耗，读取功耗减少20%，写入功耗减少7%，还支持额外的低功耗状态，功耗可低至5mW。此外，东芝还改进了BG4硬盘的HMB（Host Memory Buffer）技术，加速了读取访问范围，优化了后台闪存管理。

东芝的BG4系列硬盘容量有128GB、256GB、512GB及1TB，目前已经向部分客户提供样品，今年晚些时候正式上市。

集邦科技旗下的DRAMeXchange日前公布了最新统计数据，今年Q2季度NAND闪存价格继续下跌，其中MLC合约价格下降了6-10%，TLC闪存合约价格下降了4-11%。不过Q3季度供需可能转向平衡，而且厂商开始有意控制产能提供盈利水平，所以Q3季度的价格跌幅可能会收窄。

笔记本SSD硬盘价格趋势

闪存价格下降无疑会降低SSD价格，而DRAMeXchange资深分析师认为，HDD硬盘厂商为了提高获利而调整了产品价格，在这种情况下128GB硬盘今年底价格就会低于500GB HDD硬盘，256GB SSD价格与1TB HDD硬盘的价差也会低于5美元，使得SSD硬盘的性价比更高。DRAMeXchange认为今年笔记本SSD搭载率会一举突破30%，甚至在年底达到40%门槛。

目前的NAND供应商中，三星实力最雄厚，最先量产3D NAND闪存及TLC闪存，不过今年其他厂商也要追上来了，闪迪、东芝、SK Hynix的15/16nm TLC闪存会从Q2季度开始逐渐放量。在3D NAND闪存上，美光、Intel今年也会量产出货，其他家则会在明年上半年大量出货。

今年的SSD市场上，NAND制程依然是15/16nm为主，不过TLC闪存出货量比重会超过MLC闪存，因此会成为主流选择。

今年2月份的财报会议上美光公布了3D NAND闪存路线图，其中提到年中会推出2TB容量的SSD硬盘，年末则会推出8TB的企业级硬盘，前者指的就是MX300新一代硬盘了。虽然美光官方还没有发布，不过西班牙一家网站已经把MX300硬盘的规格、性能及上市时间曝光了。

根据他们的消息，美光会在今年7月19日发布2.5寸规格的MX300硬盘，首批容量为275GB、525GB及750GB，8月份则会推出2TB容量的。M.2规格方面，7月份首先推275GB容量的，不过8月份则会发布525GB及1050GB容量的。

性能方面，美光表示他们的3D NAND TLC闪存达到了传统硬盘的90倍，读取速度530MB/s，写入速度510MB/s，4K读取为93000 IOPS，4K写入为83000 IOPS。

可靠性方面，美光表示其硬盘数据寿命高达220TB（没说具体容量，如果是275GB版的，这个数据很不错了），而且支持Momentum Cache缓存模式，支持AES-256bit加密，质保三年。

最后就是价格，750GB型号的MX300售价约为199欧元，算起来每GB只要27美分，这价格已经相当低了。

虽然Intel SSD硬盘的口碑、可靠性及售后在玩家心目中高大上，但Intel的SSD业务偏向有钱赚的企业级市场，消费级SSD感觉就是玩票性质，自从去年4月份发布535硬盘之后很久都没新品了。Benchlife网站日前获得的消息称Intel 4月份就会推出新一代消费级硬盘，命名为540s系列。

虽然等来了新品，但540s硬盘有可能让很多人纠结——其闪存及主控都有全面变化，前者从目前的20/16nm MLC闪存变成了16nm TLC闪存，来源也从常见的美光变成了SK Hynix。主控也有变化，前几代都在用经典的SF-2281，虽然这个主控性能还不错，但多年没更新了，540s系列则会使用SMI慧荣公司的SM2256主控。

不得不说，在SandForce沉沦、Marvell乏善可陈的这两年，台系主控公司抓住了机会，SMI慧荣公司犹如当年的SF公司一样从山寨厂商逐渐获得了Intel等大厂的认可，熬出头了。

540s系列将是Intel首次使用TLC闪存，不过却不是Intel首次使用SK Hynix的闪存。虽然Intel与美光有IMFT合资公司，但二者的关系似乎很微妙，美光本应该成为Intel硬盘闪存供应商NO.1，但Intel在消费级甚至企业级硬盘上逐渐转向友商的NAND闪存，美光自己也有16nm TLC闪存，但540s硬盘用的是SK Hynix公司的。

540s硬盘会有2.5寸及M.2两种规格，最低容量120GB起，最大则是1TB，不过Intel还会提供180GB、360GB等其他厂商没有的容量。

最后，Intel的540s硬盘被人挖掘出早在2月份就已经确定了，详情可以参考Intel官方文档。

SLC闪存基本退出消费级市场了，目前市面上的SSD普遍使用MLC和TLC闪存，大家都知道MLC闪存性能、可靠性都要比TLC闪存更好，但TLC闪存成本更低，容量更大，SSD要想不断降价、提升容量还得靠TLC闪存，10月份以来TLC闪存的120GB硬盘价格跌至30美元，240GB也跌至60美元，需求非常旺盛，整个SSD市场销量有可能在Q4季度创造新纪录。

如此利好之下，包括三星、东芝、SK Hynix在内的存储芯片厂商纷纷进行产能转移，把重点放在TLC闪存上，而MLC闪存的产量明显减少，虽然TLC闪存一定程度上可以替代MLC，但是因为MLC闪存更好，以往使用SLC闪存的工控市场现在也改用MLC闪存了，MLC的市场需求没有减少。

在这样的情况下，自从9月份厂商转产TLC闪存、MLC闪存供应量减少之后，因为航空航天、车载及ADAS系统、资料中心等工控市场的需求较大，所以MLC闪存价格缓步上涨，台湾工商时报报道称32Gb容量的MLC已涨至去年11月以来新高，64Gb容量的MLC闪存也达到半年来最高水平。

美光去年底就表示已经量产了16nm TLC闪存，但相关产品一直没有上市，今年6月份小编在台北电脑展上见到了超极速展示过美光16nm TLC闪存的硬盘，但一直没见到上市，美光也是直到现在才推出了基于16nm TLC闪存的MX200系列。

美光BX200硬盘规格（图片来源于Anandtech）

BX系列是美光的低端产品，目前的BX100使用的也是16nm闪存，但还是MLC类型的，搭配慧荣SM2246EN主控，BX200硬盘的主控升级为SM2256，闪存则变成16nm TLC闪存，读写速度略有提升，其中读取提升到540MB/s，写入提升到490MB/s，随机4K写入速度提升到78K IOPS，不过随机读取性能下降到了66K IOPS。

有些消费者可能又要担心可靠性了，不过美光BX200硬盘的数据寿命也是72TB，跟BX100系列是一样的，虽然比起MX200系列的160TB差很远。

TLC闪存（准确地说是3bit MLC）在我们的生活中其实并不罕见，我们现在用的U盘，特别是价格很实惠的那些，差不多都是TLC闪存了，其他外置NAND存储设备也是TLC闪存的大客户。但厂商对TLC的偏爱并不止这些，以往TLC闪存都是用在偏重成本的领域，但现在TLC闪存开始侵入到SSD、eMMC/eCMP等主流市场了。

四大NAND豪门中，三星对TLC闪存最为热心，他们2年前就开始在消费级SSD市场上推TLC闪存硬盘了，现在已经出了840、840 Evo及850 Evo三代了，前几天三星还推出了128GB容量的eMMC闪存，手机、平板等智能设备上大面积使用TLC闪存已经不远了，去年苹果已经在iPhone 6/6 Plus上尝试使用TLC闪存了。

今年底TLC闪存将占据45%的市场份额

根据dramexchange的统计，去年A4季度TLC闪存已经占据了37%的市场份额了，今年TLC闪存份额还会继续上涨，上半年因为季节因素变化不大，但Q4季度预计TLC闪存就会占据45%的市场份额，接近一半的市场份额了。

由于TLC闪存的成本通常只有MLC闪存的80-85%，厂商偏爱TLC闪存无可厚非。实际上现在的TLC闪存也逐渐解决了以往的问题，性能可以靠加大缓存、改进主控等方式解决，P/E寿命虽然没得改，但可靠性可以借助增加ECC校验、优化主控读写等方式改善，而且对NAND闪存来说，容量就是寿命，更大的容量就有了更高的数据写入寿命。

总之，TLC闪存已经是大势所趋，它的性能及可靠性问题可以借助其他技术改善（虽然不能彻底改变）。由于市场对大容量、低价格的闪存有庞大的需求，TLC闪存已经不满足于U盘等低端市场，SSD及消费电子领域大量应用TLC只不过是时间问题。

平面TLC闪存时代主要是三星在推，目前三星已经转向3D闪存了，东芝/闪迪、Intel/美光、SK Hynix等厂商也各自开发了3D NAND技术，虽然初期都是以MLC为主，但他们很快也会跟三星一样推出3D NAND技术的TLC闪存。