Regarding recent fake news about SK hynix's memory specifications and info sheet on AMD's next generation GPU, on which some media have reported since February 24 (PST), SK hynix hereby announces that the company has not created and distributed such specifications as well as the document asserted to be leaked by an internal source.

We ask you not to distribute or make a false report on this from now on. We can assure you that SK hynix will take every necessary measure against such media, including all available legal actions, to ensure that such wrongful/illegal activities will be stopped immediately and to protect and defend our customers, business partners, and ourselves. For the avoidance of doubt, SK hynix reserves all rights.

在硬件领域倒是很少见到有厂商直接以新闻稿形式直接出面否认掉流言，不过既然官方声明了，那么我们有理由认为AMD的下代旗舰卡是不会用24GB的海力士HBM2E显存了。

而尽管市场观察人士担心我国的新型冠状病毒疫情会抑制第一季度的消费者需求，但据digitimes报道，威刚科技董事长陈立白仍然认为，DRAM和NAND闪存的价格稍后将继续上涨。陈立白预计，如果可以有效遏制疫情爆发，对存储芯片的需求将在5月或6月恢复增长。陈立白说，预计第一季度的疫情将削弱实体店的销售，但亏损将被在线购物平台的大幅增长所弥补。

自2019年第四季度以来，NAND闪存价格一直在上涨，到目前为止已经上涨了30-40％。同时由于我国最近将某些省份的农历新年假期延长到2月上旬，以遏制该病毒的传播，最初预计在假期后享受强劲订单的内存模块厂商很可能会看到订单延缓的迹象。

截至2019年底，威刚固态硬盘（SSD）产品的月收入同比增长了一倍以上，占公司总收入的30％以上。随着数据中心公司开始补充存储设备和5G手机的需求拉动以及从HDD切换到SSD的PC用户开始增加，NAND闪存最早可能在2020年上半年开始供应紧张。

而总部位于韩国的SK Hynix对于疫情的影响持谨慎态度，并认为市场将充满不确定性，该公司正在采取保守的生产和投资策略。由于担心该病毒对中国市场的影响，该公司还计划削减2020年的资本支出。2019年，SK海力士的资本支出已同比下降25％至12.7万亿韩元（114.3亿美元）。

报告指出，自2000年以来，半导体产业是靠着增加晶圆投片量来提高晶片出货量，而利用制程微缩让每片晶圆切割出更多晶片的贡献并不多。事实上，自2000～2019年这20年当中，每片晶圆切割出的良品晶片的每年平均成长率仅0.9％，但透过增加晶圆投片来增加的晶片每年平均成长率达6.5％。总体来看，2000～2019年全球每年新增加的晶片数量，有86％来自晶圆投片量增加，只有14％是来自制程微缩让每片晶圆切割出更多晶片。

半导体市场在2017～2018年间出现过存储芯片及部份逻辑芯片缺货的情况，DRAM及NAND Flash价格大涨，存储芯片厂因此大举扩充产能以回应市场的强劲需求，晶圆代工厂及IDM厂也有扩建增加产能的计划。不过，国际经济情势不确定性导致半导体市场需求降温，2019年存储芯片价格一路走跌，存储芯片厂也暂缓了产能扩充计划，晶圆代工厂及IDM厂的产能利用率也同步下修。IC Insights统计，全球晶圆厂平均产能利用率在2018年达94％，但2019年降至86％。

但是对于半导体厂来说，产能扩充计划没有取消只是延后，其中扩产规模最大的还是来自于存储芯片厂。由于近期DRAM及NAND Flash市况回温，存储芯片厂重启产能扩充计划，2020年及2021年全球新增晶圆产能将大幅增加，等于进入高速扩张期。

据业界消息，以三星为例，为积极扩增3D NAND产能，其位于西安的第二期晶圆厂已完工，预计2020年第一季开始量产，三星位于韩国平泽厂旁的P2厂也已兴建完成，预期2020年下半年进入量产。

现在SK海力士宣布在这个月正式向客户交付128层4D NAND的工程样品，全部都是TB级的高密度解决方案，包括手机所用的1TB UFS 3.1闪存，消费级的2TB SSD和企业级的16TB E1.L规格SSD，SK海力士的128层4D NAND的Die Size是1Tb，所以可以做到很大的容量，是业内存储密度最高的TLC闪存。

现在1T存储空间的手机需要使用两颗512GB的UFS闪存，在SK海力士的1TB UFS 3.1闪存出货后闪存用量就能减少一半，节约更多的手机主板空间，而这颗1TB的闪存封装厚度仅1mm，是未来超薄5G手机的绝佳选择，预计搭配这款闪存的手机有望在明年下半年量产，而搭载128层堆叠4D NAND的2TB消费级SSD和16TB的E1.L规格的企业级SSD也预计会在明年下半年量产。

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，第四季DRAM均价相较前一季仍小幅下跌，但跌幅已缩小至约5%。10月交易量与先前季度的首月相比明显放大，显示买方购货的意愿逐渐增强。一旦供给商的库存降低，降价求售的必要性便大幅下降，有助于2020年DRAM价格的止稳反弹。针对近期可能影响供给面的市场消息，如三星计划重启扩产，以及中国DRAM厂2020年增加投片等，集邦咨询认为，三星明年上半年暂无增加投片的打算，目前的资本支出规划仅为购入新机台，用于转进1Znm制程。而SK海力士近期重申将减少明年度的资本支出，代表明年的供给位元年成长将较今年趋缓；美光半导体虽未正式宣布明年的资本支出规划，但预估也会较今年保守。在中国DRAM产业发展上，虽然合肥长鑫已宣布将于年底正式导入量产，但初期产能规划仍非常保守，预估真正放量最快也要到明年年末，且中国DRAM产业整体良率提升需要一段时间的学习曲线，对于2020年整体DRAM产业的位元供给成长贡献有限。

相较于合约市场，现货市场的动能显得疲弱许多。由于现在现货市场的交易量已经大幅萎缩，因此价格容易因市场面消息出现剧烈震荡，例如七月中受到日韩贸易战事件影响所造成的连日飙涨。然而，在日本核准并且开放化学原物料进口至韩国后，DRAM供货疑虑消失，现货价格便呈现每日小跌的态势，在十月下旬已经跌破七月飙涨前的新低点。集邦咨询认为，目前的现货价格走势都还在预期范围内，只要合约价格走势平稳，需求端也未见重大下修，短期现货价格偏弱的走势并不会对后续整体市况造成影响。

根据财报数据，2019年第3季度，SK海力士的总收入相对于上个季度有所上升，涨幅达6％，不过相较于去年同期仍然是没有办法比的，少了40％。营业利润与总收入呈现出来的情况相反，相比上季度还下降了26％，比去年同期更是低了93％，主营业务可以说是非常惨淡的了。而收到种种因素影响，虽然收入在涨，但是净收入仍然是在下跌的，不过所幸的是，仍然没有到亏损的地步，但是与去年同期相比低了89％的数据还是会让投资者感到心寒。

主要DRAM和NAND颗粒厂在今年的财务状况都不太好看，大体上还是因为产业大环境呈现一种供过于求的关系，并且这种关系还将继续持续一段时间，最近的固态硬盘与内存价格走势总体平稳，没有再出现去年年末到今年年初那种价格雪崩的情况。很难说之后会出现什么样的行情，目前三家DRAM厂都在推进新工艺与更大容量的颗粒生产，而NAND那边也没歇着，都在推更高堆叠层数的3D NAND，等新工艺成熟之后产能又是一波暴增，当然也说不定会有其他情况出现。

相比起上一代1Ynm，SK海力士的1Znm制程可以提高27%的产量，并且还不需要EUV工艺的介入，在工艺的“性价比”上又提高了许多。而伴随工艺提升同时提升的还有能效比，与1Ynm的8Gb颗粒相比，功耗降低了约40%，而最高的传输速率可以提升到3200Mbps，SK海力士称他们的1Znm颗粒拥有业界最高的密度、速率和能量效率。另外，他们在新工艺中还引入了新的物质改善颗粒的电气性能，并引入了新的设计提高内存的稳定性。

现在DDR4颗粒的三大生产厂中，美光已经在今年8月份的时候宣布他们的1Znm制程量产了，而三星则是更早，在今年3月份就宣布了1Z制程的量产，不过三星是宣布用于8Gb颗粒的生产，而现在美光和SK海力士都是将1Znm用于16Gb颗粒的生产。

而随着主要内存颗粒生产厂切换到产能更高的工艺上，内存容量可能很快也要迎来一个加倍窗口，从目前主流的16GB加倍到32GB。现在市面上常见的单条16GB内存条因为使用的多为8Gb的颗粒，所以多为双面设计，而在16Gb大容量颗粒量产之后，有望普及单面16GB和双面32GB的内存条。

SK海力士还计划将1Znm工艺拓展到其他生产应用中，比如下一代DDR5、下一代移动DRAM——LPDDR5和未来的HBM3。

SK海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司排行中占第九位。在早些年，SK海力士也曾做过零售SSD产品，后悄然推出竞争市场，现在，它以Gold S31 SATA SSD，宣布回归消费级固态市场。

新款Gold S31硬盘的独特之处在于它们完全由内部制造。“Gold S31的所有关键组件，从NAND闪存和内置控制器到DRAM和固件，都是由SK海力士设计和生产的。内部组件的构建是为了提供强大的性能和可靠性，”SK海力士说。SK海力士不是唯一能做到这一点的制造商 - 英特尔，三星和东芝也是如此，具体取决于型号。但是，绝大多数SSD制造商都无法做出同样的举措。

Gold S31外表比较朴素，容量有250GB、500GB、1TB三种可选，顺序读写速度分别有560MB/s、525MB/s。全系列产品质保五年，1TB型号的TBW为600TB。在美亚上，三种型号的价格分别为：50美元、78美元和124美元，约合人民币350元、550元和873元。

SK海力士采取谨慎态度重新进入消费级固态硬盘市场。这些驱动器目前仅在美国亚马逊上独家发售，但该公司表示它将在明年扩大北美和欧洲等其他市场的可用性。作为一款回归之作，Gold S31现在看来比较中规中矩，而性能更强的PCIe M.2固态也许在骑马来的路上了。

SK海力士的HBM2E内存，其每个针脚传输速率为3.6Gbps，搭配1024-bit位宽，支持提供超过460GB/s的超高带宽，无可比拟。同时，通过利用TSV（硅通孔）技术，最多可垂直堆叠8个16千兆位芯片，形成16GB数据容量的单个密集封装。

SK海力士的HBM2E是第四个工业时代的最佳内存解决方案，支持需要最高内存性能的高端GPU，超级计算机，机器学习和人工智能系统等各种尖端领域。与采用模块封装形式并安装在系统板上的传统DRAM产品不同，HBM芯片可以与GPU和逻辑芯片等处理器紧密互连，间距仅为几微米，可实现更快的数据传输。

AMD目前最强的Radeon VII显卡用的就是16GB HBM2显存，拥有1TB/s带宽的带宽，可以给一些专业应用提供了便利，特别是高分辨率的4K、8K创作、渲染等工作；而NVIDIA CEO黄仁勋在采访中表示HBM2显存太贵，相比之下他还是更喜欢GDDR6显存。在NVIDIA的显卡中，面向专业市场的Tesla V100等高价显卡也使用了32GB HBM2显存，消费级的有Titan V显卡，使用了12GB HBM2显存，不过现在的图灵GPU使用的就是GDDR6显存了。目前，SK海力士尚未透露HBM2E内存可以量产出货。

三星电子在三月份也发布了自家的HBM2E内存，将传输速率从2.4Gbps提升到3.2Gbps，提升幅度达到33%。同时每芯片的容量提升了两倍，达到16GB。同样，尚未可知工作电压和量产时间。

全球的内存、闪存芯片价格也因日韩贸易战而上涨了不少，就在双方剑拔弩张的时候，日本今天突然宣布计划近期批准出口一部分此前限制的三种原材料，目前已启动最终协调，根据日本经济新闻报道，日本经济产业省约在1个月后发出第一批许可，而审查谁许最多需要90天，不过据称有企业因手续而感倒困扰，韩国半导体行业是否能拿到足够的半导体原料也是个未知数。

日本政府一直表示加强出口管制并不等于禁运，在经过日本经济产业省审查之后，认为没有转用于军事用途的话，只要手续没问题是允许出口的，他们认为如果发放一部分许可，就能够向韩方表明他们的态度。

其实自7月4日起，日本向韩国出口的氟化聚酰亚胺、光刻胶和氟化氢这三种半导体原料改成每次出口都要个别审批，而此前的出口机制是只要企业获得一次出口许可就可以在一端时间内不经审查直接出口。

由于内存和闪存的价格暴跌，SK海力士今年第二季度收入同比下降了5%，营业利润同比下降了53%，与去年同期相比，收入更是下跌了38%，营业利润下跌了89%之多。作为SK海力士的核心业务之一的DRAM内存，它的环比出货量增长了13%，然而由于价格疲软，平均售价下跌了24%，而另一个核心业务NAND闪存，环比出货量增长了40%，然而平均售价下跌了25%。

面对存储市场惨淡的市场状况，SK海力士将从第四季度开始削减其DRAM产能，下半年开始就把韩国利川的M10工厂部分DRAM生产线转换为CMOS图形传感器生产线，以此降低DRAM的产能。此外NAND的产能也打算削减15%以上，而去年他们预计只打算降低10%的产能。

至于未来的计划，今年年底前1X和1Y nm的DRAM占比将提高的80%，并在今年下半年开始销售1Y nm的内存，NAND闪存方面，SK海力士将继续专注其72层堆叠NAND，同时还计划通过下半年增加96层的4D NAND来瞄准高端智能手机和SSD市场，他们还准备批量生产和销售128层堆叠的1Tb TLC 4D NAND。

DRAM颗粒的价格上涨会影响到内存条价格的上涨，直接影响到消费者选购内存条。即使到目前8Gb DDR4内存颗粒的现货价格依旧在3.736美元。

在本月初时日本宣布对韩国实施制裁，导致半导体工业中的如聚酰亚胺、光刻胶及高纯度氟化氢成为管控目标，缺少这些原材料可能会使芯片的生产停滞。同时三星及海力士是全球存储芯片领域的巨头，全球75%的DRAM芯片产自韩国，但由于生产所需原料依旧大部分依旧需要进口获得，所以产量的减少可能会导致价格的再次上涨。

不过根据DRAMeXchange发布的公告称，DRAM芯片的短期价格会受到日韩贸易争端的影响，但长期的影响依旧取决于库存水平。然而在KBS World的报道中，一位观察员称如果三星和SK海力士遭遇实际产能挫折，内存价格可能会飙升。

虽然现在三星等厂商已经开始寻找生产材料的供应商，想办法维持产能，但目前DRAM芯片价格上涨已成为事实。也希望日韩争端能尽快解决，毕竟内存等芯片价格上涨对消费者来说也不是好事情。

SK海力士的128层TLC NAND闪存提供了高达1Tb的容量，在1.2V的电压下可实现1400Mbps的数据传输速率，可以实现高性能低功耗的移动解决方案及企业级SSD。而1Tb的容量可以在更少的芯片数量下实现相同的容量。

相比于96层TLC NAND闪存，采用CTF（Charge Trap Flash）及PUC（Peripheral Under Cells）技术以及各种优化使得SK海力士能将工艺步骤减少5%，并且每个晶圆的产量提升40%。

SK海力士称这是首款批量生产的128层 1Tb TLC 4D NAND闪存芯片，而这也仅离SK海力士批量生产96层4D NAND闪存芯片8个月，足以见得其研发实力。新款的3D TLC闪存芯片提供目前最多的128层堆叠，而且容量提升到1Tb，SK海力士也是第一个将1Tb TLC NAND闪存商业化的厂商。TLC闪存芯片也占据了目前85%的市场份额，其性能及可靠性也更加优异。

到明年上半年，SK海力士承诺将基于新的1Tb 3D TLC闪存芯片推出UFS 3.1存储产品，而到了2020年晚些失火，SK海力士还会推出采用自己控制器的2TB消费级SSD以及用于数据中心的16TB及32TB的服务器SSD。

而SK海力士的脚步还没有停下来，已经在开发176层的4D NAND闪存，继续增强其产品竞争力。

由于NAND闪存价格的下跌及供需关系不确定导致了各家厂商都开始加速技术升级，提升其成本结构。更高层数的NAND闪存也会使SSD容量更大，消费者也能够购买到更大容量的SSD。

这个集体诉讼涉及到的公司有：美光科技、美光半导体、三星电子、三星半导体、SK海力士、SK海力士美国，Hagens Berman曾在2006年赢得类似的DRAM价格诉讼，三星和海力士为此认罪并支付超过3亿美元的罚金。而现在这起集体诉讼不会向公众收取任何费用，合理的律师费用将在法院宣判结果或达成和解后由法院授予。

诉讼资料其中之一，于律师事务所网站上公开

今年3月底的时候三星在西安举行了存储芯片二期项目开工奠基仪式，未来三年将投资70亿美元，将NAND晶圆的月产量翻倍提升至22万片，以此满足全球IT市场对3D NAND闪存芯片的需求，二期项目预计2019年上线。

在建新厂的不止三星一家，东芝的Fab 6即将在下一年开始运营，与此同时，在宣布“卖身”贝恩资本后，东芝表示会投资70亿美元用于Fab 7的建设，DRAMeXchange认为东芝Fab 7最快将于2019年下半年开始量产96层的3D NAND闪存。

美光方面，他们位于新加坡的第三座闪存工厂也在本月初动工，计划在2019年年中完工，第四季度投产，估计投产项目和东芝的一样，都是64层或96层3D NAND闪存。SK海力士的情况和前三家差不多，M15新厂差不多都是在明年运营。

照此情况，明年上半年NAND价格就会开始松动，下半年会出现供过于求的现象，SSD等产品的售价将会进一步降低。

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