虽然高通的骁龙810处理器使用的还是TSMC的20nm工艺，但中低端处理器都在加速逃离TSMC代工，去年销量最好的骁龙410转向了中芯国际，高端的骁龙820处理器转向三星的14nm LPP高性能工艺了。高通弃TSMC转向三星有多个原因，一说是三星低价抢单，一说是高通为了挽回三星这个大客户，选择了与三星互相交易——Galaxy S7/S7 edge手机重新使用高通处理器。

TSMC早前表示今年底就会量产10nm工艺，但高通目前还没有公布任何与TSMC合作的10nm芯片流片计划，这意味着高通根本没意向选择TSMC的10nm工艺。由于技术的复杂性，晶圆代工一旦选定了合作伙伴就不会轻易改变，因为每家晶圆厂的工艺都不相同，转换一次的代价会非常高，所以高通下一代芯片还是会选择三星的10nm工艺，反正后者量产10nm工艺的时间也会很早。

不过TSMC也不用太过伤心，老朋友走了还有新朋友。Digitimes援引供应链消息称海思、联发科及展讯在内的台湾、大陆半导体公司都会紧密团结在TSMC周围，这几家都会合作10nm芯片计划。

此外，这篇报道中还提到TSMC的10nm合作伙伴中有苹果，不过小编认为这事还太早，尽管台媒很早之前就说TSMC差不多会独吞100%的A10订单，但考虑到之前各种失败的预测，TSMC的A10订单份额显然不是台媒说的这么理想，再说A10还是16nm节点的，10nm节点至少是A11处理器了，现在就说花落TSMC还是太自信了。

进入10nm节点之后，硅基半导体快要接近极限了，Intel嘴上说摩尔定律不会过时，但他们心里也知道继续维持摩尔定律是不可能的，这几年处理器性能没能大提升，只能不断提高能效。从14nm工艺开始，Intel的Tick-Tock战略已经失效了，10nm工艺最初预计是在2016年量产，现在已经推迟到了2017年下半年。

针对此前传闻的Intel 10nm可能进一步延期到2018年的消息，Intel官方已经辟谣了，说10nm工艺预定在2017年发布，不会再延期。

按照之前曝光的消息，Intel的10nm工艺要推出三代处理器，分别是2017年的Cannonlake架构、2018年的Icelake架构以及2019年的Tigerlake架构，2020年才有可能进入7nm节点。2016年则会推出14nm的Kabylake处理器，算上Broadwell及Skylake，14nm也用了三代处理器了。

与Intel在新工艺上的谨慎相比，TSMC台积电要激进得多。台媒援引TSMC董事长张忠谋的话说，TSMC今年Q1季度会完成10nm工艺涉及定案，今年底正式量产，要知道TSMC可是在去年中才开始量产16nm FinFET工艺的。

未来的7nm及5nm工艺上，TSMC甚至要超越Intel，该公司预计今年首季度完成7nm SRAM芯片生产，2018年Q1季度完成7nm工艺涉及定案。至于5nm工艺，目前已经研发了一年半，预计2020年Q1季度量产。

除了TSMC之外，另一家半导体公司三星在新一代工艺上也不甘示弱，他们的进度跟TSMC差不多，同样比Intel激进得多。但是大家要知道TSMC及三星在“吹牛”上是有黑历史的，特别是TSMC，从40nm到28nm到20nnm再到16nm工艺，TSMC对媒体说的量产时间跟实际量产时间总是会差上一年甚至两年，所以大家还是淡定些，Intel的谨慎不是没有道理的。

EUV要想获得突破，需要不断提升光源强度和可靠性。来自EE Times的报道称，荷兰ASML及TSMC台积电在上周宣布他们的原型机上测试了85Wph（每小时晶圆数），之后很快会提升到125Wph。ASML之前演示过185Wph产能的EUV光刻机，并许诺年底前会进一步提高到250Wph。

现在的EUV光刻机可靠性已经提高到了有70%的工作时间，每天可以处理500-600个晶圆，相比去年的情况已经有很大改善，但这远远不够量产水平。ASML公司EUV项目总监Frits van Hout表示现在距离EUV应该达到的水平还有2-3步。现在出货的EUV光刻机会升级，预计今年底达到应有的水平。

芯片制造商预计会在2018年使用EUV工艺生产芯片，届时ASML的EUV光刻机有助于降低7nm工艺的成本。

虽然EUV工艺确实实现了预定目标，但由于产能和可靠性的问题，该项目已经多次延期，到了5nm及3nm节点，EUV可能还需要一次升级。ASML正为此与相关方讨论具体的配置和时间细节。

值得一提的是，目前在EUV工艺上，TSMC比Intel要积极得多，此前TSMC就表示会在10nm工艺上使用EUV工艺，而Intel表示过就算没有EUV工艺，他们也懂得如何制造芯片。不过如果EUV工艺真的能如期量产，Intel也会在7nm节点上启用EUV工艺。

现在台积电CEO刘德音最近在投资者会议中表示，他们的7nm工艺研发一切顺利，预计会在2018年上半年量产，而5nm研发已经有一年了，有望在7nm量产后两年即2020年上半年量产。

关于7nm以下的工艺的生产是相当困难的，台积电会动用极紫外（EUV）光刻技术来生产5nm芯片，刘德音称他们在这方面已经取得了重大进展。

至于近期，今年第一季度台积电已经开始接受客户的10nm芯片tape-out，预计今年第四季度10nm就可以进行量产，而16nm FFC工艺也有望在今年上半年量产，以带来更好的能耗与成本表现，争取更多的中低端的手机芯片代工订单。

TSMC会在本月14日公布2015年Q4业绩，不过12月份的成绩已经出来了，当月营收583.5亿新台币，11月份营收为634.28亿新台币，去年同期为695.1亿新台币，环比下滑了8%，同比下滑了16.1%，创下了21个月来单月成绩新低。

2015全年营收为8434.97亿新台币，相比2014全年的7628.06亿新台币，增长了10.6%，虽然比起2014年营收增长幅度高达27.8%的成绩差远了，不过要考虑到2015年全球半导体行业增长率都只有个位数，大环境已经完全不一样了，TSMC保持这样的业绩已属不易。

2015年TSMC最大的成就当属量产16nm FinFET及更高级的16nm FinFET Plus工艺，比三星的14nm FinFET工艺晚了大半年，所以丢失了不少VIP客户，包括非常重要的高通公司，AMD的新一代GPU虽然没放弃TSMC的工艺，但未来更加倚重GlobalFoundries及三星的14nm工艺已经是很明显的了。

对于苹果这个大客户，TSMC在A8时代独吞订单，但A9处理器被三星分走了很大一部分，今年iPhone 7的A10订单还没确定，虽然台媒一直表示TSMC会再次独吞A10处理器订单，但没有任何可信证据能证明TSMC拿下全部订单。

台湾经济日报报道称，三星近期已经通知半导体设备厂商暂缓芯片厂扩建计划，原因是三星认为旗下14nm工艺遭遇TSMC的16nm工艺完封，而且14nm接单情况欠佳，现在扩建厂房的话对三星不利。

文章援引业界分析称，如果三星真的放缓工厂扩建脚步，说明TSMC的16nm制程气势如虹，几乎可以确定苹果下代A10处理器大单落袋，是TSMC先进制程技压三星的一大胜利。

此外，随着苹果订单的增加，TSMC今年的资本支出也会扩大，主要用于16nm工艺扩产及10nm工艺产能建设。此前有外资估计TSMC今年的资本支出大约是120亿美元，比去年下调后的80亿美元支出增加了50%.

至于三星的资本支出，官方尚未宣布相关的消息，不过经济日报给出的数据是低于100亿美元，所以他们几乎可以确定TSMC在16nm工艺的战役上已经取得压倒性胜利。

PS：这算是台媒对TSMC的日常夸奖，看看就行了，最早报道称还说TSMC独家获得A10处理器订单，现在的说法是获得了大部分A10订单，这简直跟去年的A9处理器订单传闻一个路线，谁知道到最后是什么结果。

台积电早前对大陆建厂并不积极，原因有很多，除了政策限制、担心技术外流之外，主要原因是以往中国大陆的IC设计公司在TSMC公司营收中并不大，远不如高通、NVIDIA、AMD、苹果这些大客户，但是现在不一样了，国内的IC设计公司越来越强大，再加上原有的大客户高通、苹果被三星抢单了，所以海思、展讯在TSMC的地位不断提升，海思甚至成了VIP客户，最先使用TSMC的16nm FinFET Plus工艺，展讯明年也会推出16nm工艺的新一代处理器。

在这种情况下，TSMC宣布将在南京江北新区浦口园区建立一座12英寸晶圆厂，投资额约为980亿新台币（30亿美元），预计2018年投产16nm工艺。这个工艺是TSMC今年下半年才量产的，还是最先进的工艺之一，不过到了2018年16nm工艺已经不是最先进的，因为TSMC公司预计2017年就量产10nm工艺了，所以在大陆生产16nm工艺是符合对岸政府要求的“制程工艺落后一个世代”的。

在TSMC之前，力晶很久之前就在国内建立8英寸晶圆厂了，TSMC的老对手台联电也很早登陆了，除了上海的工厂现在还在厦门建设12英寸晶圆厂。中国大陆这方面，与TSMC有过多重恩怨的SMIC中芯国际这几年也不断壮大，28nm工艺开始量产了，已经为高通代工骁龙410处理器了，前不久还联合高通、海思以及比利时微电子中心共同开发14nm FinFET工艺，预计在2020年前量产，届时国内半导体制造领域也要热闹了。

TSMC在16nm FinFET工艺上吃了进度落后的大亏，丢失了高通以及部分苹果处理器订单，所以他们在新一代工艺上加快了步伐。目前16nm节点上，TSMC已经推出了16nm FinFET、高性能的FinFET Plus工艺以及最新推出的低功耗版16nm FFC工艺，前两种工艺都已经量产，FFC工艺已经有27个方案流片，明年则有可能达到100个流片方案。

16nm之后TSMC会进入10nm工艺节点，三星在这方面抢先一步，上个月就宣布了10nm SRAM芯片了，不过TSMC联席CEO刘德音在日前的供应链大会上表示TSMC早就使用7nm工艺生产了SRAM芯片了（小编很好奇如此利好为啥之前都不公开？），言外之意就是他们的进度比三星更快。

按照TSMC的说法，10nm FinFET工艺会在2016年初试产，7nm工艺则会在2017年初试产，算起来几乎是一年刷新一次工艺，这个进度可比现在快多了，要知道28nm工艺差不多5年了还是目前的主流工艺。

别以为7nm工艺就是终点了，刘德音还提到了TSMC正在准备更更更先进的5nm工艺，虽然细节一无所知，但10nm工艺以下快要达到硅基半导体的极限了，升级越来越困难，需要采用不同的的光刻设备了，估计EUV光刻工艺在7nm及之后的工艺节点也准备的差不多了，在EUV推进中TSMC倒是比Intel还积极，早前有消息称TSMC准备在10nm节点就启用EUV工艺。

PS：对于三星和TSMC的嘴炮，大家淡定看待吧，10nm及之后的工艺进度公认越来越难，而Intel积累这么多年，对先进工艺的进步反倒是越来越谨慎了，但是三星、TSMC看起来如有神助，恨不得一年升级一次工艺，难道瞬间就能超过Intel了？

目前TSMC的10nm工艺已经冻结技术研发，接着会在2016年春开始技术性生产，并向客户推出试产样品，并预计在2017年甚至2016年底正式量产10nm工艺。

跟20nm工艺一样，10nm工艺被认为是过渡工艺，在此之后业界就该进入7nm工艺了，这才是重大节点升级，具备更长的生命周期，赛灵思公司已经表态会跳过10nm工艺直接进入7nm节点，所以TSMC还在加速推进7nm工艺，预计会在2018年下半年进入量产。

目前TSMC在台湾有Fab 12、Fab 15两座晶圆厂准备生产10nm工艺，其中有90%的设备可以直接升级到7nm节点，可以减少重复投资，提高经济效益。

IC Insights日前公布了2015年全球半导体20大排行榜，这份名单中包含了三家纯代工晶圆厂——TSMC、GlobalFoundries以及UMC，还有5家无晶圆公司。如果把三家晶圆厂排除的话，那么前20名的名单也有所变化，日本夏普可排到18名，AMD公司能排到19名，华为旗下的海思则能拿下第20名。

全球20大半导体公司排名

在这前20名中，Intel一直稳坐老大位置，不过2015年该公司营收503.05亿美元，相比去年的514亿美元下滑了2%，而第二位的三星电子营收416.06亿美元，同比去年的378.1亿美元增长10%，与Intel的差距在不断缩小。

TSMC是纯代工晶圆厂，以265.62亿美元的营收排名第三，同比增长了6%。这三家的位置一直比较稳定，其他公司通常只能争争TOP3之外的位置。

这次的第四名是SK Hynix，2015年营收169.17亿美元，同比增长4%。

第五名是高通，不过他们去年是第四，这次是被挤下来了，因为高通2015年营收156.32亿美元，下滑了19%，这是前20名中仅次于瑞萨公司22%的下滑幅度。

美光这次排名第六，也下滑了一个名词，2015年美光业绩也不够好，营收下滑了11%。

第七名是TI，排名没变化，营收也没变化。第八名是东芝，排名没变化，但营收也下滑了12%，东芝2015年也是多事之秋，业绩造假导致声名扫地。

这次的黑马是安华高，从去年的十五名蹿升到了第十，营收增长了23%。考虑到他们跟博通合并了，两家加起来的话其实能达到第六名的，估计明年这个名单就有反映出这个变化了。

前十名之后的厂商中，我们熟悉的还有联发科，不过今年他们也从去年的12下滑到了13名，65.04亿美元的营收同比下滑了8%。

GlobalFoundries排名17，上升了3个名词，营收增长了15%。

NVIDIA也从19名提升到了18名，其营收也同比增长了6%。如果之前所说，如果不算三个代工厂，AMD也能排到19名，而NVIDIA则会排到16名。

UMC联电这次挤进了前20了，去年位列21名，进不了这个榜单。

TSMC联席CEO、总裁Mark Liu（刘德音）日前表示TSMC将在本季度冻结10nm工艺技术研发，也就是说他们的10nm工艺技术研发已经基本完成，不会再有大的修改了。研发冻结之后会开始技术性生产，明年春季也就是2016年春会向客户推出10nm工艺试产样品。

根据TSMC所说，其10nm工艺晶体管密度相比16nm FinFET+工艺提升了110%，可以制造出250亿晶体管的芯片，同样的功耗下性能可以提升20%，同样的性能下功耗则可以降低40%。

相比Intel在10nm工艺上的谨慎（2017年前都不会量产），三星、TSMC在10nm工艺上要比Intel激进多了，TSMC以及三星今年早些时候就展示过10nm工艺的晶圆了，两家都争抢着在2017年前甚至2016年底就量产10nm工艺，也就是说留给14/16nm FinFET工艺的时间也就是一年，进度比Intel还要快。

只不过从这两家过去的经历来看，他们对新工艺进度的评估实在是有点太乐观了，大家还是淡定吧。

对于AMD新一代的处理器架构Zen，我们能确定的是它明年会使用FinFET工艺生产，但AMD官方并没有提过到底是16nm还是14nm工艺，这给人留下了丰富的想象空间，因为AMD两家代工伙伴TSMC及Globalfoundries的工艺并不同，TSMC我们知道有16nm FinFET及高性能的16nm FinFET Plus两种工艺，而GF的FinFET工艺授权自三星，有低功耗的14nm LPE及高性能的14nm LPP之分。

AMD工程师在LinkedIn上的履历曝光了AMD的秘密

国内泄密看工信部，国外泄密就要看LinkedIn了，某个AMD工程师的履历上就泄露了部分天机，AMD已经成功地流片了包括Zen及自研的ARM架构K12芯片，同时他在不同工艺上有丰富的物理设计经验，重点来了——在这部分内容中他提到了16/14nm FinFET工艺。

这里说的是CPU工程师，由此可以看出AMD新一代的CPU也是有16nm及14nm两种工艺设计的。

此外，能为此提供佐证的还有AMD高管在财报会议上的说法，AMD CEO苏姿丰提到今年Q3季度他们已经有多个产品使用FinFET工艺流片了，她用的一个说法是“both of”，也就是说TSMC及GF两个代工伙伴中都流片了FinFET工艺的产品。

虽然我们不能100%确定她说的一定是Zen架构处理器，但FinFET工艺的另一个产品K12是ARM架构的，而且官方已经推迟到了2017年，Zen架构才是2016年的，再加上CPU工程师的履历，所以最有可能的还是在指Zen架构处理器。

至于GPU芯片，AMD也确定会使用FinFET工艺，但同样没提及会交给TSMC还是GF代工，以往AMD的GPU都是TSMC代工的，但GF在14nm工艺上得到了三星的帮助，不像以前那么坑了，AMD早就有意把所有产品都转移到GF代工，毕竟后者流过AMD的血，双方的合作更亲密，所以不排除明年的新一代GCN架构显卡也存在两种工艺版本的可能。

这么看的话，2016年由于TSMC与三星在代工工艺上的不同，不论手机处理器还是桌面处理器，消费者都要面临纠结的选择过程了。

先说说海思跟TSMC的“基情”，放在前几年海思在TSMC的客户中还是小角色，因为海思的处理器订单不大，而且当时TSMC也有高通、联发科及后来的苹果大腿可抱，海思在40nm及28nm工艺代工中只能靠后，产能有限的时候TSMC也只会优先考虑高通这样的大客户。

但是这两年的情况不同了，高通加速从TSMC撤离，高端的骁龙820处理器代工交给了三星，低端的骁龙410处理器也开始转向中芯国际，苹果的A9订单又被三星分走一部分，20nm产能开工率也在降低，联发科虽然没变心，但发展势头不同以往了，今年受市场冲击很大，这时候海思半导体的重要性就显示出来了，麒麟62x/92x系列芯片出货量也是数千万级别的了。

2014年9月份TSMC首个16nm FinFET工艺处理器流片就是海思的32核ARM处理器，海思在TSMC的16nm工艺中不仅是头等舱客户，而且还是最早使用TSMC公司多相CoWoS 3D IC封装工艺的公司，双方合作的麒麟950处理器预计下个月就要发布上市了。

不过TSMC这个新客户也要面临三星挖墙脚的风险，Digitimes援引深喉的消息称三星电子正在积极争取海思的处理器订单，而且不惜降低代工价格，降价打折的策略已经在高通、苹果身上生效，分走了TSMC不小的“蛋糕”，说不准海思也会为此动心。

话说回来，商场如战场，没有哪个公司愿意把所有鸡蛋都放在一个篮子里，海思虽然受到了TSMC的重视，但华为并没有放弃其他代工厂，中芯国际今年量产了28nm工艺，已经获得了高通的骁龙410处理器订单，海思也已经签约。此外，前不久比利时国王访华的时候，两国政府及公司签订了联合研发14nm工艺的合作协议，其中就有中芯国际、海思及高通参与投资，虽然国产14nm工艺要落后TSMC、三星至少三年，不过14nm工艺会长期存在，海思未来的半导体显然也会有相当大的比例转为国产。

测试的两部iPhone 6s为AT&T的有锁版，不过都没用安装SIM卡，使用红蜘蛛4把屏幕亮度都统一到200nit。

测试的项目是Wi-Fi下的网页浏览、WebGL电池测试、GeekBench 3和GFXBench测试，Wi-Fi下的网页浏览测试是Ars technica的测试，每隔15秒加载一次页面，直到手机没电。测试中使用Xcode的Activity Monitor进行检测，WebGL电池测试是保持CPU的负载在大约45%到50%，GPU在25%到30%。GeekBench 3是常规的CPU性能测试，测试中每个处理器核心大约30%负载。GFXBench GL 3.1是3D性能测试，测试项目是电池测试，即跑30次T-Rex。

每项测试运行最少两次，而GeekBench 3则运行3次，结果取平均值（不得不说这项测试相当耗时，结果只有一张条形图）。

Wi-Fi网页浏览续航方面，台积电版的iPhone 6s要领先于三星版14分钟，差距幅度在2.3%。而WebGL测试结果则相反，三星版以352分钟领先于台积电版的348分钟，领先幅度1.15%。GeekBench 3方面，台积电版以272分钟领先于三星版的212分钟，领先幅度28.3%，而GFXBench，台积电版以139分钟领先于三星版的133分钟，幅度4.5%。

可以看到整体的续航能力，台积电版本要领先于三星版本，GeekBench 3是差距最大的一项测试，台积电版本的iPhone 6s的续航能力比三星版强非常多，但可能不是一个普遍的问题。GeekBench 3的测试几乎都是在测CPU，而不是其他的组件。而在网页浏览和游戏方面的测试来看，两者的续航差距并不大，所以即便三星的CPU功耗更大一些，日常的使用应该不会有什么太大的差异，日常的使用应该更偏向于网页浏览测试。

虽然Ars technica的测试中确定了CPU的不同版本，但是例如显示屏、内存、电池、NAND甚至是Taptic Engine等其他组件的供应版本都一无所知，这些也是可能影响续航的因素。在众多媒体的测试中，基本上都是少数的几台iPhone进行测试，结果具有一定的倾向性，即两种不同版本的iPhone 6s确实存在一定的差异，但对于苹果几千万台iPhone 6s，样本数量远远不够多。

苹果为了规避风险，提高供应量，几乎所有元器件都采用了多个供应商供应，不仅仅是三星版A9处理器和台积电A9处理器这么单一。苹果拥有最多的样本，按苹果所说的2%到3%的电池续航差异应该是最准确的，不过苹果并没有告诉我们它是如何进行电池测试的。

Ars technica的电池续航测试属于比较科学的测试，结果准确可以作为参考。至于Ars Technica的作者，他表示三星版iPhone 6s他每天也在使用，并且对于此事并不担心。

我认为，不同A9处理器的续航问题应该有一个比较圆满的答案。如果纠结于此的消费者应该在官网下单，毕竟有长达14天的无条件退货时间，所以基本上可以100%买回一部台积电版本的iPhone 6s的。