然而加拿大公司MOSAID科技在近日宣布，他们已经成功生产出世界首款整合十六个存储核心的NAND芯片，单芯片容量达512Gb(即64GB)。与传统的MCP封装产品不同，这款芯片采用了MOSAID科技独有的HLNAND MCP封装技术，通过两个HyperLink NAND接口连接十六个容量为32Gb（即4GB）的存储核心，并让它们工作在1.8V的电压下。

　　HyperLink NAND接口采用单字节宽度设计，可提供333MB/s的带宽，当两个接口以同步的方式运行时，即可提供最高667MB/s的数据带宽。这款芯片的诞生对推广大容量SSD来说是一个不错的开始，只是目前MOSAID科技尚未公布这款NAND芯片的生产计划，相信在短期内我们仍然看不到相关产品。

　　消息称，由于现在固态硬盘、超薄型笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备的兴起，容量为32Gb到128Gb（4GB到16GB）的NAND闪存在需求量上不断增加，这让目前多家NAND闪存芯片厂商之间的竞争变得更加剧烈。

　　在三星宣布计划于中国内地设立12英寸晶圆工厂之后，这让众多的NAND闪存厂商的生产中心都放到了中国上。除了将无锡的工厂转为生产NAND闪存外，海力士还打算扩大工厂的生产规模，甚至可能设立一个新的12英寸晶圆生产工厂。

　　据统计，目前海力士在NAND闪存市场上的份额已经远远落在的三星和东芝的后面，仅以微弱的差距击败美光科技。不过后者已经和英特尔达成协议，往后英特尔将采用美光的NAND闪存芯片打造自己的固态硬盘产品，海力士在NAND闪存上的道路并不平坦。

　　据协议称，英特尔首先会接收美光约3亿美元的股份购买资金，剩余资金则寄存于美光手中，并根据美光的供货量进行抵扣。当然除了股份和产品交易外，美光和英特尔也会展开一系列的合作，将新兴存储技术推广到双方的产品当中。

　　消息还称，这笔交易将在今年上半年完成。有业内人士认为，两者早在NAND闪存领域就展开了一系列的合作，这次交易完成之后双方的关系将更加紧密，这有利于美光和英特尔在NAND闪存领域保持领先。

　　据台湾媒体DigiTimes的报道称，长期以来SanDisk的存储产品一直占据了市场40%的江山，这次金士顿降低产品售价，必然会对SanDisk的销量带来较大的冲击。为了保持自己的优势，下调价格是SanDisk应对金士顿调价措施的最直接手段。

　　实际上，自NAND闪存工艺从30nm级别进步至20nm级别甚至是19nm的时候，NAND闪存产品的售价就开始有所下降了，按照目前的市场报价，8GB容量的TLC NAND闪存芯片已经下降至5美元，而32GB和16GB的MLC NAND则接近35美元及16美元。相信随着技术的进步和时间的推移，NAND闪存价格全部降至1美元1GB以下并不是什么难事。

　　由于春节假期的原因，台湾多个DRAM设备和NAND设备厂商都因为工人放假、市场不活跃致使产品出货量降低。以威刚科技为例，其在今年1月份的营收为新台币21.1亿元，折合约7140万美元，比去年同期下降了23.8%；创见虽然未公布相关的数据，但有市场观察人士称其在1月份的销量有20%到30%的下降；而NAND闪存控制器厂商ALCOR的1月营收亦有30%的下滑，很可能是全年最低的营收水平。

　　不过这些厂商并未就此现象担心，他们都认为，假期后市场已经复苏，他们的产品销量会在2月份恢复正常水平。不过厂商之间的竞争，很可能会给消费者带来售价优惠的产品，例如金士顿即将对旗下NAND产品进行售价下调。

　　目前多家NAND闪存芯片厂商的工艺正在向19nm或20nm级别过渡，新制程的使用让同一块晶圆可切割的芯片数变得更多，利用率亦有所上升，产品成本得以下降，大量使用NAND芯片的产品走进市场。尽管对消费者来说，同类产品有多种选择是一个不错的消息，但是对厂商来说，这很容易就会让他们走进“供过于求”的状况中。

　　消息还称，金士顿的这个举动除了刺激市场之外，很可能会让其它厂商迅速跟进竞争，甚至有可能让固态硬盘的售价向1美元/GB靠近，或许我们很快就能买到相对便宜的固态硬盘了。

　　日前，第二款由IMFT打造的20nm NAND闪存芯片亦正式出炉了。该款产品容量为128Gb（即16GB），内部连接界面采用了最新的ONFi 3.0标准，传输带宽达333MT/s，可有效提升闪存的持续读取速度。另外新产品的Page Size也发生了变化，从现在常用的4KB提升到16KB。实际上，即使是早前的64Gb产品，其Page Size亦已经提升至8KB，不过内部连接界面使用的仍然是ONFi 2.x标准。

　　IMFT表示，由于目前大多数固态硬盘的主控芯片仅支持Page Size为4KB的闪存芯片，因此他们发布的两款20nm工艺闪存在短期内都不会出现应用在固态硬盘产品上。考虑到研发新主控和新固件所需要的时间，他们预计采用20nm工艺闪存的固态硬盘将会在2013年上市，届时固态硬盘将真正迈入TB级时代。

消息来源：[DailyTech]

　　首批三星新闪存芯片将采用20nm级别的制程工艺，容量为64Gb（8GB）。据称，Toggle DDR 2.0接口可以让闪存芯片的读写带宽提升至400Mbps，DDR 1.0接口标准仅有133Mbps，而SDR NAND闪存则更低为40Mbps。

　　三星表示，Toggle DDR 2.0接口产品主要应用于高端的智能手机、平板电脑和固态硬盘等设备，凭借其较高的读写带宽可轻松满足SATA 6Gbps和USB 3.0等高速应用的需求。

　　根据东芝方面表示，该款19nm工艺的NAND闪存芯片采用了2位元（bit-per-cell）结构，容量达64Gb（即8GB），是目前体积最小、密度最高的8GB NAND闪存芯片。凭借这款芯片，智能手机、平板电脑等便携式设备即可轻松达到128GB的储存容量。

　　另外，东芝还表示该款19nm工艺的NAND闪存芯片支持DDR 2.0技术，稍后还会推出3位元结构的产品，更多详情可浏览东芝官方网站。

　　另外英特尔与美光方面表示，这款新产品目前还处于试样阶段，预计在今年下半年由两者合资的IMFT公司进行量产，主要面向智能手机、平板电脑和固态硬盘等领域。届时还将推出同为20nm制程的16GB NAND闪存芯片，而最终的目标是将芯片容量提升至128GB。

　　据称，ONFI 3.0标准的诞生将大大推动固态硬盘的发展，让固态硬盘在性能提升的同时还可降低生产成本，更容易普及。更多关于这种技术的详细情况，可浏览ONFI官方网站。