针对数据中心应用，Intel在5月中旬会发布新DC P2950系列SSD产品，代号为是Safford Peak(萨福德山峰），使用是25nm SLC闪存。针对企业级应用，Intel准备的是Pro 1500系列，代号则是Sierra Star（塞拉里昂之星）它将使用20nm MLC闪存，首批型号有80、180、240以及350GB四种容量，Q3季度还会增加480GB型号，不过Pro 1500系列今年底可能就会被Pro 2500系列取代。

　　去年底Intel还推出了DC S3700系列，使用的是自家主控以及25nm MLC闪存，今年Q1季度还会有代号Wolfsville的DC S3500推出，NAND升级到20nm MLC。

　　以上SSD都是针对企业级或数据中心应用的，消费级的产品中Intel已经推出了20nm MLC闪存的525及335系列，今年Q1季度还会有530系列，NAND也会升级到20nm MLC，代号为Dale Crest，容量估计会跟525系列一样，到今年Q3季度会再出480GB容量型号。

　　THNSNH系列SSD有2.5寸SATA及mSATA两个类别，二者都是SATA 6Gbps接口，前者容量60GB、128GB、256GB以及512GB，mSATA没有512GB容量，只有60、128以及256GB三个容量。

　　性能方面，最大连续读取速度都是534MB/s，写入速度视容量不同有450MB/s、471MB/s以及482MB/s三个级别，使用的都是东芝自有主控和19nm MLC NAND闪存，支持TRIM。

　　此外，2.5寸的SSD厚度有7mm和9.5mm两种。

　　新出的THNSNH系列SSD除了升级NAND闪存之外还增强了数据保护技术，包括QSBC（quadruple swing-by code）以及强大高效的错误纠正等。

　　现在THNSNH系列SSD首先在欧洲地区开售，其他地区很快也会上市。

普通的NAND闪存擦除一次数据就会损伤一次物理结构

　　NAND的时代真的要结束了吗？Macronix（台湾旺宏电子）的工程师可不这么认为，在本月的2012年IEEE国际电子设备会议（2012 IEEE International Electron Devices Meeting，IEDM）上他们会提交论文，披露他们对P/E次数达到1亿次的自我修复NAND的研究。

　　实际上1亿次寿命还只是目前得到的数据，带队的副处长Hang‑Ting Lue表示“实际上还真不知道（这种NAND）是否会坏，目前为止根本没看到其寿命将近的信号。这个1亿次寿命只是过去几个月测试的结果。”

　　正常的NAND每次写入数据都会击穿一次隧道氧化层，这是一种物理损害，因此NAND寿命有限，热处理可以修复这种损害，但是要想通过热处理修复这种损害，那就需要在250°C的高温下持续数小时，目前来说这是不可能的。

　　这种NAND超长寿命的机理其实也借用了PCM相变技术的某种原理，Macronix的工程师在研究PCM技术时发现其中使用的硫化玻璃（chalcogenide glass）到达熔点时会产生一种热效应。最终他们发现这种效应对NAND也会起作用，因此他们重新设计了NAND的结构，有一个精细的加热器可以加热NAND的存储单元。

　　重新设计NAND架构需要做相当多的改变，其中最关键的一个就是栅电极的改变，需要让它携带电流以加热储存单元。为此需要增加额外的二极管电路，这也会增加核心面积，工程师们也不得不重新排列存储电路以降低影响。

　　改进后的NAND架构可以让电流通过晶体管的栅极并在数毫秒内形成热脉冲，他们发现这一温度可以达到800°C，不过影响只限于栅极附近。这个热处理过程通过加热器可以修复NAND损伤，即使经过1亿次P/E循环之后，数据依然保存完好。

　　由于多了一个额外的热处理过程，这未免让人担心它对电力消耗有较大要求。Hang‑Ting Lue承认了这一点，不过表示热处理过程并不频繁发生，而且一次可以修复一个扇区，因此“它并不会榨干你的手机电池。”

　　热修复的NAND还有额外的惊喜，它可以带来更快的擦除速度（意味着更快的写入速度），通常来说这是不依赖温度的。Lue表示未来这种技术会带来一箭双雕的效果，既可以大幅延长NAND寿命，也可以加速擦除速度。

　　Lue表示Macronix公司已经在此领域取得了突破性进展，但是他没有给出具体的应用时间表，因此这一技术进入市场的时间还是未知数。

PCM相变储存技术

　　因此我们很快就会面临后NAND闪存时代，新一代闪存技术的储存密度会更高，读写速度更快，甚至可以达到RAM级别，按bit寻址而非目前的block寻址，还会拥有更高的可靠性，实现这些要求是对闪存业界的一次大考。

　　PCM闪存是一个潜在的可能，三星、美光、IBM、SK Hynix等公司都在积极开发PCM储存技术，虽然他们还在研发其他类型的非易失性闪存技术，但是储存专家EMC还是倾向于PCM技术。

　　EMC高管扎西德·侯赛因对2013年的闪存市场做了分析预测，首先他表示闪存技术已经是目前所有储存体系的基础，几乎无所不在，这一点是没有疑问的。第二，2013年我们会看到PCM闪存带来的骚动，储存业界会加大相关产品的供应，这将为现有存储体系带来低延迟、高速度的新选择，PCM闪存的速度甚至可以接近RAM。

　　EMC目前正在跟美光合作开发自有的VFCache PCI卡以及代号Thunder Box的VFCache卡，由于美光是PCM技术的支持者，或许EMC的专家此番说法是得到了美光的某些内幕消息。

　　EMC看起来非常期待PCM存储技术，侯赛因表示明年的PCM业界就会迎来更多投资。

　　显然，价格是致命伤，这样的情况下要取代SSD肯定不现实，现时这种存储器也只是属于传统硬盘和固态硬盘以外的补充性存储手段。不过当初SSD出现时价格也是贵得令人咋舌，高达数千美金，而现在已经降到120GB容量售价100美元以下，所以ST-MRAM的50倍价格也有可能在未来得到大幅下降。

　　除了价格，供电也是一个缺点。现时SSD上64GB NAND闪存约需80毫瓦电量，而ST-MRAM每GB需要400毫瓦，绝对是电老虎。在这种技术成为主流之前肯定还有很多地方需要改进，不过能有如此强劲的神物诞生足以令不少人觉得兴奋了。

　　JESD230对信号描述、封包、定义、压缩和协定进行了制定，而且在最大程度上向后兼容已有的技术。这项标准有助于可协作式系统的设计，令这种设计可以在实际上完成，支持异步SDR，同步DDR，还有Toggle DDR NAND闪存设备。

　　据介绍，JESD230标准的出现，表明JEDEC和ONFI对NAND闪存供应商在互操作性方面的工业需求作出响应，将会扩大NAND闪存的使用，对供应商和用户来说也是有利的。

　　目前三星的研究员Jaegeuk Kim已经放出了16个关于F2FS文件系统的补丁，并为Linux内核树贡献了接近13000行新代码。有业内人士认为，这个文件系统对采用闪存芯片存储数据的移动设备来说是一个福音，不过尚未有任何厂商包括三星有表示会在自己的新产品上采用该文件系统。

　　实际上，F2FS并不是首个针对闪存芯片进行优化的文件系统，微软推行的exFAT文件系统也是其中之一，不过目前多数移动设备仍然使用传统的文件系统，而不是针对闪存优化的文件系统，毕竟这些传统文件系统具备兼容性优势，新兴文件系统想要全面推广，也必须在这方面多下功夫才行。

　　除此之外，三星亦开始量产128GB的NAND闪存模组，同样使用30nm级别工艺并通过多芯片封装而成，主要针对的仍然是智能手机与平板电脑领域。纵观目前整个移动设备领域，特别是智能手机与平板电脑领域，只有部分旗舰级产品会提供64GB的内置存储空间，能配置更高容量的产品基本不存在。三星这次量产128GB NAND闪存模组则为未来的新旗舰打下了“超大容量”的基础。

　　另外我们不妨如此猜测，既然三星已经量产30nm级别2GB LPDDR3内存模组和128GB NAND闪存模组，那么预计在MWC 2013大会上露面的Galaxy S IV手机，是不是该配置2GB内存和128GB的存储容量呢？这种可能性还是蛮大的。

SK Hynix的DDR4内存

　　SK Hynix现场还展示了服务器市场所用的DDR4内存，看起来已经基本完成了。上面一条是16GB registered内存，下面一条是8GB ECC内存，二者都运行在2400MHz频率。现场还有8GB SODIMM内存，时序是97-93-93，很吓人吧，这是SA网站卖萌而已，实际上内存时序未知，但是根据DDR4的潜力来看，时序不会比DDR3更高。

　　如果觉得上面的内存容量还是太小，SK Hynix还有64GB LRDIMM双列直插式以及32GB VLP DIMM半高式内存，专为1U服务器设计。

1x级NAND闪存

　　现场还有1x级NAND晶圆，虽然SK Hynix并没有说明x代表的是何种工艺，不过很可能就是19nm工艺的，与IMFT公司的20nm工艺相对应，后者将在今年底量产，SK Hynix的19nm工艺NAND应该也为期不远。

　　东芝这么做主要是屈从于市场竞争压力。因为东芝、三星及SK Hynix减产的同时，美光并没有跟进降低产能或者提价，反而借此机会扩大市场份额，一些SSD公司甚至在现有产品之外紧急改用美光闪存生产新的SSD产品，比如OCZ Vertex 4 512GB M型号。（巧合的是，我们昨天也买了两块V4 512GB型号，发现里面的闪存颗粒确实变了，从原来的IMFT换成了美光的颗粒，测试还在进行中）

　　如今东芝或许是发现减产并没有得到想要的结果，反而丢失了不少市场份额，这才决定降价以吸引客户，从美光手中夺回自己丢失的市场份额。由此一来，那么市场上的SSD价格还会大幅降价。

　　SSD厂商表示：“我们刚从xx处得到消息，价格战今天就要开始。我们的SSD产品也会降价25%左右。”

　　这一消息还未得到证实，不过在充分开放的市场上也不无可能，韩日厂商想用减产的方式维持价格，不过却被别的厂商抓住机会，现在东芝准备用降价的方式弥补之前的失误了。有竞争总是好事，如今128GB SSD普遍在800元内了，256GB也有可别型号降低1000-1200元附近，如果真有价格战的话，那么128GB售500元、256GB售价千元的日子就不远了。

　　该系列SSD为7mm厚，最大读取速度510MB/s，写入470MB/s，随机4K读取性能为50000 IOPS，写入为38000 IOPS，支持TRIM指令，待机功耗0.26W，负载功耗0.82W，可靠性为120万小时，三年质保。

　　官方同时开放网络销售，120GB版售价为100美元（635元人民币），240GB版本则为200美元，折合人民币1270元，算起来还是很便宜的。

　　有来自DigiTimes的消息称，尽管目前很多产品都要用到NAND闪存，例如USB闪存盘、各式储存卡、固态硬盘以及智能手机、平板电脑等等，但是NAND闪存的库存压力还是非常严重，大量的芯片无法消化。因此为了让市场的供求关系重返平衡，三星和SK海力士决定跟随东芝走上减产的道路。

　　从目前情况来看，虽然没有明确消息，不过美光很可能是下一个宣布减产的NAND芯片制造商，毕竟他们面临的市场是一致的。而这些厂商减产后，NAND闪存及对应产品的降价可能会暂时停止。至于何时才会恢复原有产能，目前暂无明确消息指出，不过我们认为，那个时候也该是20nm/19nm工艺产品正式登场了。

　　据称，三星Pro Class 1500存储芯片是目前首款支持JEDEC e-MMC v4.5标准的产品，其采用了Toggle DDR 2.0接口和20nm级别工艺打造，其连续读写性能和随机读写性能在同类产品中都处于领先地位。

　　目前三星已经开始量产Pro Class 1500存储芯片，不过具体的出货时间未定，考虑到其采用了20nm工艺制作，主要针对智能手机和平板电脑，想要体验这款芯片的能力恐怕得等到新一代的手机或平板诞生了。