• IBM宣布成功开发出32nm SOI工艺eDRAM芯片

    Qing 发布于2009-09-21 13:32 / 关键字： IBM, eDRAM

    　　IBM日前宣布已成功研发出目前业内体积最小、密度最大、速度最快的32nm SOI技术动态存储芯片。

    　　IBM的32nm SOI技术相比过往标准Bulk技术将有30%的性能提升，并能够降低40%的功耗。另外，IBM还采用了内嵌动态随机存取内存（eDRAM）技术，使体积更小、存储密度更大，速度也将优于32/22nm的SRAM。据IBM称，32nm eDRAM的存储密度比22nm的SRAM高2倍，而比32nm的SRAM要高出4倍之多。

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  • NEC发布40纳米eDRAM，明年开始生产

    Jeff 发布于2007-11-21 10:59 / 关键字： NEC, eDRAM,

    　　NEC电子今天发布了用以生产40纳米eDRAM的新技术。这种40纳米的eDRAM的设计是配合SoC（system-on-chip）芯片使用的。NEC表示，这种eDRAM最适合用在消费型的电子产品上，如相机，摄像机，游戏机等产品。

    　　这种40纳米的eRAM被称为UX8GD eDRAM，频率可以达到800MHz。但是在达到高频的时候消耗的电力相当少，和目前普遍使用的SRAM相比，只有三分之一。目前NEC已经可以生产这种40纳米的eDRAM的256Mb颗粒。整个Cell的大小只有0.06平方微米，比起NEC的55纳米UX7LSeD eDRAM体积小了50%。

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