• 下一代非易失性存储最强音，MRAM技术解析

    bolvar 发布于2012-07-09 16:59 / 关键字： MRAM, SST-MRAM, Intel, TSMC

    　　目前CPU中使用的SRAM（静态随机存储器）虽然速度快，但是数据是易失性的，断电之后数据就没有了，非易失性存储RAM是未来的方向。在这一类别中现在有多种备选方案，比如MRAM（Magnetic Random Access Memory，磁阻随机存取存储器）、PCM（Phase Change Memory相变存储）、ReRAM（Resistance Random Access Memory，电阻式存储器）等，其中MRAM的研究最多，是下一代非易失性存储技术的最强音。

    　　在此之前已经有过多篇有关MRAM技术的报道，不过日本PCWatch网站的专栏作者福田昭综合分析了MRAM技术的特点，也让我们一起来看下这个次世代技术到底有什么优势成为多家大腕的新宠。

      详细阅读 

    分享
    | 收藏 | 评论(3)