• 英特尔将在VLSI研讨会介绍PowerVia技术成果,称实现了芯片制造的突破

    吕嘉俭 发布于2023-06-06 17:31 / 关键字: 英特尔, Intel, PowerVia

    在2021年7月的“英特尔加速创新:制程工艺和封装技术线上发布会”上,英特尔CEO帕特-基尔辛格(Pat Gelsinger)展示了一系列底层技术创新,表示将凭借RibbonFET和PowerVia两大突破性技术开启埃米时代。

    其中RibbonFET是对Gate All Around晶体管的实现,将成为英特尔自2011年推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。PowerVia是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络,通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

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  • 英特尔将展示配备能效核的特殊芯片:采用背面供电,Intel 4工艺制造

    吕嘉俭 发布于2023-05-06 10:42 / 关键字: 英特尔, Intel, PowerVia

    英特尔在2021年7月的“英特尔加速创新:制程工艺和封装技术线上发布会”上,展示了一系列底层技术创新,这些技术将驱动英特尔到2025年乃至更远未来的新产品开发。其中包括了PowerVia技术,这是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络(PDN),通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输,原计划在Intel 20A制程节点引入。

    据TomsHardware报道,2023年VLSI技术和电路研讨会将于2023年6月11至16日在日本京都举行,英特尔将在这次活动上披露PowerVia技术的研究成果,展示一款特别定制的芯片。其采用了背面供电,配备了未命名的能效核,以Intel 4工艺制造,以便向那些有兴趣使用英特尔代工服务(IFS)的潜在客户展示新技术的有点。作为实验性的芯片,应该不会量产使用的。

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