• 海力士宣布54nm第二代1Gb DDR3内存芯片

    Sue 发布于2009-10-12 16:20 / 关键字: Hynix, 54nm, 1Gb DDR3

      海力士日前宣布了基于54nm制程技术的第二代1Gb DDR3内存芯片,分为256Mb x4(H5TQ1G43TFR)和128Mb x8(H5TQ1G83TFR)两种规格,将于本月开始投入量产。

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