AMD早在3月3日就已发布了全球首款40nm移动GPU，在未来几天也即将会发布桌面型GPU—Radeon HD 4770。近日，Vr-zone透露了NVIDIA 40nm移动GPU的新动向。

　　据悉，NVIDIA将会在5到6月间发布首款40nm移动GPU，型号包括GT 240M以及G 210M，前者代号为N10P-GS，基于GT216核心，主要针对性能级市场；而G 210M则面向主流级市场，代号为N10M-GS，基于GT218核心。

　　根据之前曝光的路线图，NVIDIA还会推出更高端的基于GT212以及GT215核心的移动GPU产品。此前，NVIDIA已向TSMC及UMC制订了40nm外包计划，并表示会在第二季度量产40nm的GT218、GT214、GT216以及GT215核心产品。

消息来源：[Vr-zone]

　　TSMC预测其新竹的Fab12晶圆厂在今年下半年就可开始大批量生产40nm工艺产品，届时桌面型GPU产品也将全面向40nm新工艺过渡。

消息来源：[Digitimes]

　　测试平台继续采用Core i7平台，配置与《美丽的"错误", 800SP Radeon HD4830实测》一致。

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　　AMD催化剂驱动里附带的CCC是目前唯一能够对Radeon HD 4770进行频率调整的工具，我们把核心及显存频率提升到了CCC的上限值：830/850MHz（3400MHz DDR），此时通过3DMark Vantage测试，在性能模式下得分为P8760，相比默认情况下P8086的得分提升了8.34%，而极限模式下得分为X3365，比默认时的X3078提升了9.32%。

　　当然了，Radeon HD 4770的超频潜力还远不止此，那么这款40nm产品的超频极限到底能达到哪个层次呢？答案将会在本站稍后的精彩评测中为大家呈现。

　　今天该显卡终于抵达本站，下面为大家奉上初步的测试成绩。测试平台采用了Core i7平台，配置与《美丽的"错误", 800SP Radeon HD4830实测》一致。

　　3DMark Vantage的得分为P8086，而Radeon HD 4850的得分为P8367，二者之间的差距非常小，Radeon HD 4850只领先了3.47%。这成绩已经超过了Radeon HD 4830（包括800sp版本），不过3DMark得分并不代表整卡的性能，至于具体的游戏性能以及功耗等各方面的表现，敬请留意本站稍后奉上的精彩评测。

　　NVIDIA 40nm产品的具体发布计划暂不明朗，但估计首款40nm产品应该会在第三季度初面世。消息来源：[Digitimes]

　　日前，UMC（联华电子）发出通告表示已经开始向客户厂商大量出货40nm制程的高性能集成电路，这意味着40nm工艺时代已经非常迫近了，而首款采用40nm制程的桌面型显卡最早能够在5月份与大家见面。

　　据介绍，新工艺采用12个金属层及三栅氧化层（Triple-gate Oxide）设计，并应用了Copper/low-k技术，相比65nm工艺可降低功耗65%，而且集成度也增加了一倍。

　　UMC的高性能45/40nm工艺采用了最先进的光刻技术，并融入了超浅结（ultra shallow junction）、调动增强技术（mobility enhancement）以及超低k电介质（ultra low-k）等，能够极大地降低功率以及优化性能。

　　目前UMC的40nm工艺集成电路已经开始大量出货，GPU产品的40nm新工艺时代已经近在眼前了。

　　GT300是NVIDIA继GT200之后的下一代高端GPU核心，将支持DirectX 11规范、CUDA 3.0等新技术，传闻GT300会采用全新的架构，不过到目前为止关于该核心的信息还比较少。安照之前的消息显示，GT300最早会在今年年底与大家见面，而据INQ称，GT300最早将会在6月份Taped Out。

　　另外，AMD采用40nm新工艺的首款桌面型GPU——RV740将会在5月份正式登场，为入门级显卡首先注入新工艺。而据Fudzilla的消息称，NVIDIA的首款40nm产品同样会定位入门级市场，包括定价在35~70欧元之间（约人民币399~699元）的G96及G94核心产品，即GeForce 9400GT、9500GT以及9600GT等，当然了引入新工艺的同时NVIDIA也会为这些产品换上新的马甲，即GT21x系列。

消息来源：[theinquirer&Fudzilla]

　　等制程工艺提升至40nm之后，三星的生产力将是60nm芯片（4Gb）的1.8倍。三星方面表示，除了制程上的改进，8Gb Flex-OneNAND还增加了嵌入式内存的软件支持。消息来源：[TCMagazine]

　　AMD和NVIDIA在金融危机的冲击下，上季度的亏损情况都不容乐观。在向40nm核心制程迈进的过程中，这两家GPU巨头都表现得尤为谨慎，并一再推迟新产品的发布，减少订单数量也是情理中之事了。

消息来源：[digitimes]

　　GT212还不能Taped out的原因在于TSMC 40nm工艺不是足够成熟，对于具有相当多晶体管最复杂的GT212来说是个难题，想想GT200从65nm转到55nm花费的时间就能明白，更何况是转到40nm工艺呢。

　　消息来源：[theinquirer]

　　海力士半导体（Hynix Semiconductor）于近日宣布已经开发出基于40nm工艺的1GB DDR3 DRAM，内存芯片完全符合Intel DDR3的规格标准，也会送交给Intel作官方认证。

　　1G DDR3 DRAM的最高速度达到了2133MHz每秒，能够在多种电压环境下运行。公司表示这款1G DDR3 DRAM将会在今年第三季度开始进入量产阶段。由于采用了三维晶体管架构技术，泄漏电流量被控制到最小，整体的功耗也得到了进一步的控制。

　　海力士将会把40nm工艺和DDR3高速低耗的特点运用在其他产品上，比如大容量内存模组、移动存储颗粒和图形存储器。消息来源：[Digitimes]

　　第二款GeForce GT220实则是40nm工艺的GeForce9500GT，等同于OEM口中的GeForce GT120。据闻这款显卡的频率会有所提高，但具体参数未知。

　　第三款GeForce GT210则是40nm工艺的GeForce 9400GT，最早的名字是GeForce 8500GT，等同于OEM口中的GeForce GT100。

消息来源：[Fudzilla]

　　消息来源：[tcmagazine]