Intel的3D晶体管工艺已经开始量产，IBM、三星、GF参与的通用技术联盟在三、四年后的14nm节点才会启用三栅极晶体管电路，但是GF也不是没有绝招，他们在官网宣布了另一项3D工艺里程碑，将在未来的3D堆叠工艺上保持领先。
3D堆叠工艺被视为传统集成电路的替代者
位于纽约州萨拉托加城镇的Fab 8晶圆厂正在安装一种特殊的工具，它可以用来制造TSVs晶圆（Through-silicon via，贯通型晶圆通道），有助于GF在未来的20nm工艺节点继续保持领先地位。TSV技术主要用来制造多层堆叠芯片，可以满足未来电子设备的苛刻需求。
简单来说，TSV技术可以在晶圆上蚀刻出垂直的空洞，并用铜填充，堆叠的电路就可以借助这些铜线互相连接。举例来说，TSV允许设计人员在处理器电路层上堆叠一层内存电路，这样一来处理器和内存的连接将是芯片级的，可以极大地提高内存带宽并减少功耗，这对智能手机和平板来说至关重要。
3D堆叠工艺被视为传统集成电路的替代者，它的优势和意义不亚于Intel的3D晶体管工艺。除了工艺自身的难题之外，对新型芯片封装技术要求也很高，晶圆厂和合作伙伴必须提供端对端的一体式解决方案才能满足要求。
Fab 8是GF旗下最先进的晶圆厂，主要致力于32/28nm及以下工艺的研究和生产，首个使用TSV技术的Full-flow晶圆将在2012年第三季度开始运转。
