在重庆的国际智能产业博览会上，紫光集团董事长介绍了紫光的一些业绩，预计今年在云网业务上营收将达到600亿元，其中集成电路业务上营收200亿，网络、计算业务上营收400亿元。

在芯片行业，赵伟国提到紫光公司去年共出货34亿颗芯片，其中手机芯片从数量上来看已经是全球第三，仅次于高通、联发科。在手机芯片业务上，紫光集团主要是子公司紫光展锐，更确切地说就是展讯公司，根据展讯之前公布的数据，2016年他们出货了手机芯片6.7亿套，占全球份额的27%。

除了手机芯片，紫光展锐还是国内最大的智能卡（身份证、社保卡等）芯片供应商，每年出货六七亿套智能卡芯片，份额是第一位的。

在存储芯片方面，紫光旗下还有收购了武汉新芯科技之后重组的长江存储，赵伟国透露今年底将会量产32层64Gb核心的3D NAND闪存，明年会量产64层堆栈128Gb核心容量的闪存，同时还在研发128层堆栈的256Gb核心3D NAND闪存。

本月初的FMS 2018国际闪存会议上，长江存储也首次出席并发表了Xtacking堆栈结构的3D NAND新技术，I/O接口速度可达1.4Gbps，P/E寿命可达3000次。

2016年12月，以长江存储为主体的国家存储器基地正式开工建设，其中包括3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，核心厂区占地面积约1717亩，预计项目建成后总产能将达到30万片/月，2023年年产值达1000亿人民币。

赵伟国表示中国的集成电路已经初步摆脱了抄人家、学人家的状态。

长江存储的背景我们之前的文章中介绍过多次了，高启全先后担任过台湾台积电公司厂商、南亚公司副总、华亚科董事长，被称为台湾DRAM教父，2015年加盟紫光公司，现在担任紫光旗下的长江存储科技公司副总，主导长江公司发展DRAM、NAND存储芯片事业。

这次采访还是Digitimes报道的，他提到长江存储公司将在2017年出样32层NAND闪存，预计2019年有能力量产64层堆栈的3D NAND闪存。到了2020年，长江存储将缩短与三星等国际长达的技术差距到2年时间。

长江存储目前正在增强公司的专利池，他们自信在未来两三年内比一些竞争对手做的更好。

高启全指出大陆与台湾公司在存储芯片上应该合作，因为他们的最大竞争对手是韩国公司。他称台湾公司在存储芯片上也没有自己的专利技术，他们应该考虑改变这个状况。

大陆积极发展存储芯片，必须要吸引更多人才加盟，为此不惜高薪从竞争对手那里挖人，这就涉及到另一个问题了——有些员工窃取前公司机密跳槽的新公司，最近TSMC公司就报案抓了一位工程师，而美光公司最近也加大了宣传力度，将会对窃取商业机密的员工采取法律行动。

对此高启全表示指出长江存储招聘员工时要求不能携带任何机密文档及信息，他们的目标是吸收人才加盟，绝不会允许员工窃取前公司的商业机密。

PS：对于国产3D NAND闪存进展，此前长江存储公司CEO杨士宁表示工厂的设备安装会在2018年Q1季度完成，2019年进入大规模量产阶段。不过长江存储目前只完成了32层堆栈的3D NAND闪存，首先量产的也是32层的，64层堆栈的3D NAND闪存应该在研发中了，何时量产之前并没有正式表态。看高启全的表态，长江存储在2019年也会开始量产64层堆栈闪存，虽然三星等厂商今年内就会开始量产64层堆栈闪存，不过确实能把差距缩小到两年左右了。

国产NAND闪存加入少数厂商垄断的NAND领域会带来什么样的结果？考虑到紫光在武汉建设的晶圆厂产能非常大，NAND闪存未来降价是无疑的，这对三星等厂商来说是个压力。对于这个问题，大家怎么看呢？毕竟闪存降价对消费者来说是好事，大家可以小超哥（ID：9501417）微信聊聊。

国内内存公司经过六大政府的激烈竞逐，最终落户武汉市，将由DRAM产业经验丰富的中芯国际副总赵海军负责运营，以武汉新芯公司为建设主体。这家公司虽然现在规模不大，但未来潜力不可限量。集邦科技旗下DRAMeXchange指出，除了国家队的大基金之外，中芯国际、湖北省科技投资集团、湖北基金、华芯投资等基金都会增加投资，远期计划是募集到240亿美元的规模，长期产能目标是每月30万片。（提供一个对比数据，之前Hynix的无锡工厂失火时报道称，无锡DRAM工厂月产能是13.5万片晶圆，占全球的12%左右，所以说国内的这个内存晶圆厂长期产能目标是非常大的。）

根据资料，武汉新芯公司成立于2006年，是湖北武汉市的重大战略投资项目，2008年12寸晶圆厂投产，原本是中芯国际旗下的晶圆厂，2013年中芯国际推出运营，武汉新芯成为独立公司，由武汉市政府负责。目前武汉新芯战地面积531亩，现有一座12寸晶圆厂，主产NOR闪存。2015年武汉新芯与Spansion飞索半导体合作开发3D NAND闪存，目前的12寸晶圆厂产能已经接近满载，未来还会建设新的12寸晶圆厂。

虽然我们还不清楚武汉新芯DRAM工厂的技术细节，不过DRAMeXchange预计未来他们将会汇集DRAM内存、3D NAND闪存及NOR闪存三大技术，成为中国半导体技术的领头羊，而且至少拥有2座12寸晶圆厂。

　　在这种新技术上现时三星走在东芝和美光的前头，三星表示他们已经开始量产面向消费电子和企业应用的3D NAND闪存，例如嵌入式NAND和SSD。

　　三星在西安的12英寸晶圆厂将达到3D NAND闪存的生产要求，他们计划在2014年再有新的NAND闪存晶圆厂投入运作。

　　不久前东芝在日本的四日市新晶圆厂破土动工，将在2014年夏季投入使用，生产3D NAND闪存和具有更多高级节点技术的芯片。预计东芝会在2015年开始量产3D NAND芯片，而据称现在已经有样品提供。

　　美光CEO Mark Durcan早前也表示他们会在2014年第一季度开始提供3D NAND闪存的样品。