据DigiTimes报道，国内存储厂商武汉新芯（XMC）已经启动了专注开发和制造的HBM项目，瞄准了人工智能和高性能计算（HPC）领域。武汉新芯拟购置了16套设备，以满足采用3D芯片堆叠技术的生产需求，目标是每月3000片晶圆。虽然武汉新芯并非JEDEC标准制定组织的成员，无法访问或使用HBM规范，但随着清华紫光集团的入股，所以问题也不大。

此前就有报道称，长鑫存储（CXMT）计划生产HBM内存，已经获得用于HBM存储器组装和测试的装置。长鑫存储已经在合肥附近运营一座DRAM晶圆厂，并筹集资金建造第二座，将引入更先进的工艺技术，用于制造和封装HBM存储器，预计未来一到两年内还不能看到相关的产品。

传闻国内一些芯片厂商还希望将HBM与逻辑芯片集成在一起，类似于台积电的CoWoS封装。这也迫使其他晶圆代工厂，比如中芯国际开发更先进的封装技术，以满足客户的芯片生产需求。

目前市场上主流的HBM3是8层或12层垂直堆叠，中间通过硅通孔（TSV）互联，然后放在一个基本逻辑芯片上，采用1024位接口连接。虽然看起来很简单，但实际上并非如此，而且制造HBM是一项复杂的任务。其生产的设备与传统存储器的设备有着根本的不同，而且生产过程中要对其进行测试，然后封装，最后再测试整个堆栈。其中需要大量的工具和专业知识，但HBM产品在带宽和能效方面胜于市面上其他所有类型的内存。

长鑫存储已经在合肥附近运营一座DRAM晶圆厂，并筹集资金建造第二座，将引入更先进的工艺技术，用于制造和封装HBM存储器。此外，长鑫存储尚未开发自己的HBM生产和封装技术，也不清楚是哪类型的HBM，预计未来一到两年内还不能看到相关的产品。

国内一些芯片厂商还希望将HBM与逻辑芯片集成在一起，类似于台积电的CoWoS封装，这也迫使中芯国际需要开发更先进的封装技术。

据DigiTimes报道，长鑫存储在合肥的新工厂已经开始量产采用18.5nm工艺的DRAM芯片，第一期生产线已经接近满负荷运转，初始的月产能已达到10万片晶圆。长鑫存储即将进行第二阶段产能提升，到2024年底，每月产能还会增加4万片晶圆。这意味着，长鑫存储在全球范围内DRAM总产能的占比将达到10%。此外，长鑫存储计划为新的扩产大幅增加国内采购。

相比之下，主攻NAND闪存芯片的长江存储（YMTC）在产能提升方面受到全面的限制，本土化供应链具有较大的挑战性。不过长江存储在技术研发上依然取得进步，比如高层数的NAND闪存，同时还推出了新款120层产品，绕过了128层的限制，开辟了一条可行的道路。产能扩张依然是长江存储最大的障碍，可能还会持续一段时间。

目前长鑫存储和长江存储以不同的策略应对外部环境限制，加速新技术和新产品的开发。

根据长鑫官网的信息，他们首批产品包括12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。12GB LPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证，相信很快就能在这些消费级电子产品上看到国产LPDDR5内存的身影。

LPDDR5是长鑫存储面向中高端移动设备市场推出的产品，与自家上一代LPDDR4X相比，长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%。长鑫存储LPDDR5芯片加入了强大的RAS功能，通过内置纠错码等技术，实现实时纠错，减少系统故障，确保数据安全，增强稳定性。

长鑫存储LPDDR5的市场化落地将进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局，预计将赋能更多移动设备，满足数字时代日益增长的存储需求。

当谈及性能时，HBM类产品无疑是领先的，利用堆栈技术带来了更大的接口带宽，也提高了数据传输的速率，而这类存储器也并不需要最先进的光刻技术。现今大量供货的HBM2E和HBM3产品，也经过了时间的验证，发展得很成熟了。

HBM类产品要求较高的是封装技术，需要使用微小的硅通孔（TSV）垂直连接8个或12个存储器，这是一个复杂的过程。不过相比在更高的10nm级工艺技术上生产DRAM芯片，对堆叠的芯片模块进行封装还是相对要简单一些。理论上，长鑫存储有生产HBM类产品的技术，不过每个模块能够堆叠多少DRAM还很难说。

在未来人工智能、高性能计算、自动驾驶汽车等各种应用场景中，HBM类产品都有较高的需求，适用范围非常广，能够依靠自己的技术实现自主研发和生产，肯定是利大于弊。