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Intel 10nm工艺黑科技炸裂:量子阱晶体管、铟镓砷及应变锗
bolvar 发布于2015-04-23 10:06 / 关键字: Intel, 量子阱晶体管, 铟镓砷, CPU, 半导体
Intel前几天庆祝了半导体业界黄金法则——摩尔定律,通过更先进的工艺不断提升晶体管密度是Intel制胜的关键,他们也以此维护了摩尔定律的准确。如今Intel的制造工艺已经是14nm,下一步就是10nm工艺,面临的挑战还会更多,Intel实际上也延期了10nm工艺进程,但Intel手中的黑科技可不少,分析认为Intel将在10nm工艺节点启用量子阱晶体管(Quantum Well FET,简称QWFET),还会使用铟镓砷及应变锗两种新型半导体材料。
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