• 单核心32GB容量，三星宣布量产第三代3D V-NAND闪存

    Blade 发布于2015-08-11 11:03 / 关键字： 三星, 3D V-NAND, 立体堆栈

    三星在立体堆栈3D V-NAND闪存的研发与生产商一直处于领先位置，其第一代24层堆栈以及第二代32层堆栈的3D V-NAND已经应用在多款产品上，例如三星850 EVO固态硬盘等。而日前三星又再宣布，3D V-NAND将步入第三代，采用48层堆栈设计的3D V-NAND闪存开始进入量产阶段。

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