SK海力士宣布本月底量产12层堆叠HBM3E，定制化将成为HBM发展趋势

HBM产品被认为是人工智能和高性能计算（HPC）的支柱之一，近两年行业发展迅速。作为英伟达高带宽存储器合作伙伴，SK海力士目前在HBM市场的处于领导地位，大量供应HBM3和8层堆叠的HBM3E，用在英伟达的各款AI芯片上。早在今年初，SK海力士已经向英伟达发送了新款12层堆叠HBM3E样品，以进行产品验证测试。

据TrendForce报道，近日SK海力士总裁Kim Ju-Seon在Semicon Taiwan 2024期间，以“释放AI內存技术的可能性”为题，分享了SK海力士现有DRAM产品和HBM相关产品。同时还宣布，12层堆叠HBM3E将于本月底开始量产，这标志着HBM竞争来到了一个新的阶段。

SK海力士在Semicon Taiwan 2024上还指出，定制化将成为HBM的一个重要趋势，标准和定制HBM之间的主要区别在于基础逻辑芯片，因为已经集成了客户的IP，不过两者具有相似的核心芯片。与其他DRAM产品不同，HBM在定价和设计方面将越来越多地脱离标准DRAM框架，转向更专业的生产。

此前有报道称，为了将HBM4E的性能提升到一个新的水平，SK海力士计划推出一种能够实现计算、缓存和网络内存等多种功能的HBM类型。现阶段这只是一个概念，为了实现这一目标，SK海力士已开始着手半导体设计工作。

事实上，SK海力士对直接将逻辑芯片与HBM堆栈集成特别感兴趣，同时客户也对3D封装表现出了兴趣。SK海力士打算在未来三年内将小芯片技术集成到其内存控制器中，以改善成本管理。SK海力士表示，Chiplet不仅应用于HBM产品，还将用在SSD的SoC主控上。