传三星减少下一代High-NA EUV采购量，与ASML的研发中心计划或陷入僵局

去年末，三星与ASML签署了一项价值1万亿韩元（约合7.7亿美元/人民币54.9亿元）的协议，双方将在韩国京畿道东滩投资建设半导体芯片研究设施，并在那里共同努力改进EUV光刻制造技术。同时三星获得了High-NA EUV光刻设备技术的优先权，有助于确保购入下一代High-NA EUV光刻设备，为其DRAM存储芯片和逻辑芯片的生产创造出更好的技术使用环境。

据Business Korea报道，三星计划减少对ASML下一代High-NA EUV光刻机的采购数量，另外与ASML合作的研发中心计划也很可能陷入僵局。传闻三星原计划未来十年内购入三款型号的下一代High-NA EUV光刻设备，包括TWINSCAN EXE:5200/5400/5600，但是现在决定只引入TWINSCAN EXE:5200，未来适当的时候再重新考虑后续版本问题。

这一决定是三星DS（设备解决方案）部门更换新负责人，审查正在进行的项目和投资之后做出的。随着三星计划的变更，相关进程已经完全停止，也让联合研发中心计划打上了问号，究竟是更换建造地点还是完全取消项目，三星和ASML还需要进一步讨论。

有三星内部人士透露，尽管计划进行了修订，但引进High-NA EUV光刻机的计划没有变，并确保联合研发中心建造在合适的位置。