欢迎参与评论,每一条合规评论都是对我们的褒奖。
请 登录 或 快速注册 后发表评论
去年末,三星与ASML签署了一项价值1万亿韩元(约合7.7亿美元/人民币54.9亿元)的协议,双方将在韩国京畿道东滩投资建设半导体芯片研究设施,并在那里共同努力改进EUV光刻制造技术。同时三星获得了High-NA EUV光刻设备技术的优先权,有助于确保购入下一代High-NA EUV光刻设备,为其DRAM存储芯片和逻辑芯片的生产创造出更好的技术使用环境。
据Business Korea报道,三星计划减少对ASML下一代High-NA EUV光刻机的采购数量,另外与ASML合作的研发中心计划也很可能陷入僵局。传闻三星原计划未来十年内购入三款型号的下一代High-NA EUV光刻设备,包括TWINSCAN EXE:5200/5400/5600,但是现在决定只引入TWINSCAN EXE:5200,未来适当的时候再重新考虑后续版本问题。
这一决定是三星DS(设备解决方案)部门更换新负责人,审查正在进行的项目和投资之后做出的。随着三星计划的变更,相关进程已经完全停止,也让联合研发中心计划打上了问号,究竟是更换建造地点还是完全取消项目,三星和ASML还需要进一步讨论。
有三星内部人士透露,尽管计划进行了修订,但引进High-NA EUV光刻机的计划没有变,并确保联合研发中心建造在合适的位置。