本月初，英特尔首席执行官Pat Gelsinger在2024年第二季度的财报电话会议上透露，位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔半导体技术研发基地即将迎来第二台High-NA EUV光刻机，很快就会进入厂房。早在去年末，ASML已向英特尔交付业界首台High-NA EUV光刻机，并在今年4月完成组装工作，进入到校准步骤。
据相关媒体报道，三星将于2024年第四季度到2025年第一季度之间开始安装其首台High-NA EUV光刻机，主要用于技术研发，将安装在华城园区，预计2025年中开始使用。三星已决定开发用于逻辑和DRAM芯片的下一代半导体制造工艺，一些技术需要通过High-NA EUV光刻机实现。此外，三星还与Lasertec、JSR、Tokyo Electron和Synopsys合作，打造High-NA EUV生态系统。
据了解，ASML手上已经受到了十多台High-NA EUV光刻机的订单，除了英特尔，还包括台积电、三星、SK海力士、以及美光。此前ASML证实了台积电将在今年引入High-NA EUV光刻机，传闻三星和SK海力士则要等到明年，预计在2025年下半年。不过按照现在的情况来看，三星可能会早于台积电拿到High-NA EUV光刻机。
High-NA EUV光刻机是具有高数值孔径和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光大批量生产系统，用于制造3nm以下的芯片。其提供了0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。有消息称，一台High-NA EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV（约1.83亿美元）的两倍多。
吕嘉俭编辑 08-16 11:15 | 加入黑名单
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cjwww123小学生 08-16 11:10 | 加入黑名单
这标题是不是错了，早于ASML？三星还能自己研发组装？是早于台积电吧。
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yochee教授 08-16 10:56 | 加入黑名单
早于ASML有点牛逼了
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