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IMFT（Intel-Micron Flash Technologies）公司近日宣布，已经开始试产25nm工艺的MLC NAND闪存芯片。
IMFT是Intel和Micron在2006年成立的合资公司，公司产品Intel占49%，而Micron则占51%。IMFT每隔12到15个月就会更新一次制程，多年来其制造的闪存芯片已由一开始的72nm到50nm，再到34nm，而如今又宣布开始试产25nm工艺芯片了，预计从今年第二季度投入量产，下半年即可出货。
按照此前公布的产品路线图，Intel第四季度推出的“Postville Refresh”将会采用25nm工艺的MLC闪存芯片，并会达到600GB的容量。据悉，IMFT这种25nm MLC闪存芯片将采用沉浸式光刻技术，面积为167mm2，容量为8GB（64Gbit）其中每个单元为2bit。
25nm IMFT 2-bit MLC NAND Flash（8GB 167mm2）
消息来源：[Anandtech]
