美光宣布推出第九代NAND闪存技术，并带来2650系列SSD产品

美光宣布，其采用第九代（G9）3D TLC NAND闪存技术的SSD产品已开始出货，成为业界首家实现这一里程碑的厂商。其层数达到了276层，具备高达3.6 GB/s的数据传输速率，提供了卓越的NAND输入/输出（I/O）速率，满足了人工智能（AI）及其他数据密集型应用场景高吞吐需求，带来了出色的性能，适用于个人设备、边缘服务器、企业和云数据中心。

美光技术和产品执行副总裁Scott DeBoer表示：“美光G9 NAND技术的量产彰显了美光在制程技术和设计创新方面的实力，提供了市场领先的密度，实现了更紧凑、更高效的存储解决方案，为消费者和企业带来显著的收益。”

与市场上现有的同类NAND解决方案相比，G9 NAND的每颗芯片写入带宽和读取带宽分别高出99%和88%，共同提升了SSD和嵌入式NAND解决方案的性能与能效。与前一代NAND产品相同，G9 NAND采用了11.5mm x 13.5mm的紧凑封装，比同类产品节省了28%的空间，是出色的小尺寸、高密度NAND闪存设计。美光在更小的尺寸内实现更高的密度，从而最大限度地增加了各种用例的设计选择。

美光还带来了2650系列SSD产品，融入了新一代3D TLC NAND闪存技术。其采用了单面芯片设计，支持PCIe 4.0×4 接口，可选M.2 2230 / 2242 / 2280三种外形规格，最高顺序读取和顺序写入速度分别为7000 MB/s和6000 MB/s，最高4K随机读取/写入均为1M IOPS，提供了256GB、512GB和1TB容量，对应的TBW分别为200TB、300TB和600TB。

美光表示，与同类竞品相比，2650系列SSD连续读取性能提升了70%，连续写入性能提升了103%，随机读取性能提升了156%，随机写入性能提升了85%。除了面向客户端OEM市场，G9 NAND还将用于客户端组件和英睿达（Crucial）的SSD消费类产品。