2022年三星在“Samsung Foundry Forum 2022”上,公布了未来的技术路线图,其中2nm(SF2)工艺计划2025年开始大规模量产。三星上个月还发布公告,将与Preferred Networks Inc.合作,基于2nm GAA工艺和2.5D封装技术的Interposer-Cube S(I-Cube S),提供一站式的半导体解决方案,为对方制造AI加速器所使用的芯片。
据The Elec报道,三星将增加2nm工艺的EUV曝光层数,相比3nm工艺高出30%以上,而现有的3nm工艺的EUV曝光层数为20层。根据第三方的报告,台积电(TSMC)在N3工艺上的EUV曝光层数为25层。随着EUV曝光层数的增加,制造成本也会上升,三星2nm工艺的定价或许会有不小的涨幅。
三星于2018年在7nm工艺上首次引入EUV技术,之后的后续制程节点上,三星不断增加EUV曝光层数。目前三星还在开发1.4nm(SF1.4)工艺,计划在2027年量产,预计EUV曝光层数将超过30层。此外,三星还打算在1.4nm工艺上增加纳米片的数量,从3个增加到4个,从而进一步提升性能和功耗的表现。
除了逻辑芯片,三星还在存储芯片上采用了EUV技术,比如第六代10nm级别的1cnm工艺上,EUV曝光层数为6或7层。
魄无丧倾学前班 07-25 09:21 | 加入黑名单
三星这个,大厂们现在谁敢用
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