美光在全球范围内加大HBM3E生产，或选择马来西亚建造新工厂

此前美光曾表示，希望到2025年，能占据20%至25%的HBM市场份额，力争提高到与传统DRAM相当的水平。对于具体如何去实现，美光并没有详细的说明，不过进一步扩大产能是必然的。

据相关媒体报道，美光除了在日本和中国台湾扩大产能外，还考虑在马来西亚生产HBM3E，并加强在美国的研发业务。考虑到美光至2025年的HBM产能都已经被客户预定，建设新工厂变得势在必行。

美光在马来西亚是有封装和测试基地的，所以选择在该地区新建DRAM工厂存在可行性。马来西亚有着相对成熟的半导体供应链，英特尔和AMD都在此建有封装设施。不过有业内人士称，美光不太可能在马来西亚生产DRAM芯片，因为需要耗费数年时间，而且资金投入也比较大，更大的可能性是建立组装产线，完成HBM3E的组装工作。

目前美光最大的HBM生产基地在台中，不但生产DRAM芯片，还会进行组装、封装和测试。美光打算进一步提升该地区工厂的产能，不过暂时还不清楚具体的计划。同时美光将在日本广岛县建造一座新的DRAM工厂，在广岛的新工厂位于现有的Fab 15附近，计划2026年初开工建设，目标2027年末完成工厂主体建筑建设和第一批工具的安装，但不包括后端封装和测试。其中将安装极紫外（EUV）光刻设备，以1-gamma（1γ）工艺生产DRAM芯片，未来还会过渡到1-delta工艺。

此外，美光还在美国爱达荷州博伊西新建一座DRAM工厂，并扩大了研发设施，为接下来的HBM4做准备。这也是美国20年来本土首个新建DRAM工厂，同时也是爱达荷州有史以来最大的私人投资项目。